转换为“地下”逻辑电平

我有一个RF开关芯片，该芯片由逻辑信号控制，其电平为0 V和-3V。我想通过产生普通+3.3 V CMOS电平的CPLD对其进行控制。

在该设计中，电路板面积非常宝贵，因为我试图将其插入现有设计中。

几毫安的功耗或长达100 us的开关时间对于该电路来说都不是问题。RF芯片的控制输入仅提供约10 uA的负载。可接受的逻辑电平在标称值的+/- 0.5 V之内。我可以处理反相或同相解决方案。我有+3.3和-3.3 V电源。

对于级别转换问题，我有一个“非常好的”解决方案，但是我想知道是否存在针对该问题的规范的“最佳”解决方案。

编辑

为了阐明输出要求，输出逻辑高电平必须在-0.4至+0.6 V之间。输出逻辑低电平必须在-3.5至-2.5 V之间。

这应该很好，因为您只需要100 µs的响应。输出阻抗为10kΩ时，10 µA负载将仅引起100 mV的失调，这完全在您的规格范围内。

请注意，这会反转，因此需要相应地调整CPLD输出极性。

添加：

我只是注意到，也许您只想要0到-3.3V的输出，而不是+3.3到-3.3 V的输出。您首先提到0到-3.3的电压，但是然后谈论±500 mV是可以接受的，所以我有些困惑。无论如何，这是0至-3.3 V的输出版本。这个不会反转。

好的，正如我所承诺的，这是我的：

^{模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图}

正如我在评论中提到的，与Olin相比，它过于复杂。这样做的唯一好处是，在高状态下，输出电压不会高于地面，这甚至不是我的电路所必需的（但在其他情况下可能会有用）。

使其完全起作用的原因是使用了带有集成偏置电阻的互补对，例如MUN5311DW1。这将R1，R2，R3，R6和两个BJT放入单个SC-70（2 x 2毫米）封装中，批量价格低于0.05美元（出于我的目的，这不算噪音）。零件号为NSBC114EPDP6T5G的芯片可以放在1 x 1 mm SOT-963中。

我认为，由于减少了外部分立器件，该电路实际上比Olin的电路板占用的空间小一些。除非我能找到带有集成发射极电阻的BJT。

Russell仅使用齐纳二极管和电阻器的想法可能会赢得占位奖，但不幸的是，我没有足够的时间“花一点时间”在这个特定项目上找到正确的齐纳二极管值。