我正在尝试维修800W电源（请参阅与此有关的先前问题。）让我感到惊讶的是，该设计具有两个并联的肖特基二极管封装（在TO-220中）。经常有人告诉我这是一个坏主意，但是由于它们热耦合到同一散热器，因此在这种情况下会带来问题吗？我还注意到输入桥式整流器是相同的，两个并联使用。
Answers:
并联二极管的问题在于，随着二极管的发热，其电阻会降低。结果，该二极管最终消耗的电流要大于另一个二极管，导致其发热甚至更多。正如您可能看到的那样，如果提供足够的电流，此循环将导致热量散失，最终导致二极管烧毁。
现在，将它们耦合到同一个散热器的事实会减少这种影响，但我仍然不建议这样做。有太多的未知因素会影响到它，使其永远不要相信它，尤其是在商业产品中。
现在，对于这种电源，您很可能是他们花了一些时间使二极管尽可能接近地匹配，并允许散热器将它们保持在大约相同的温度。
也可能是因为它们使二极管工作在远低于其容量的状态，并且使第二个二极管并联运行，因此它们并不总是在接近最大容量的情况下运行，但我发现这种可能性不大。
如果在每个二极管上串联一个低电阻值的电阻（例如1 ohm或1/2 ohm），然后将这些组件并联，则电阻可以使两个二极管之间保持负载。如果一个二极管开始吸收更多的负载电流（就像热失控那样），则电阻上的IR压降会降低该二极管的电压，从而趋向于将电流推低。
电阻的额定值应为所引起的I ^ 2 * R损失，这通常意味着额定功率为多瓦。幸运的是，这种情况通常只会在电源中遇到，在这种情况下，与线绕电阻器相关的电感并不是一件坏事。通常，以5W以上的功率找到0.1 ohm，0.25 ohm等不是问题。
2W/(40A/4 diodes) = 0.2 Ohms？
它不是理想的，但是在实践中，通常可以避免使用它，特别是如果它们是热耦合的。如果不是，那么潜在的问题是硅的-ve温度系数会使电流增加“一头”，但是在实践中，它们倾向于以相同的速率加热，并且斜率电阻永远不会为零，因此即使比较热，您仍将获得当前共享。
碳化硅（SiC）二极管可以并联使用。
当一个二极管加热时，其电阻会增加，因此其他二极管会吸收更多电流。SIC半导体材料可确保电流均衡。您不必担心热失控。但是它们仍然很昂贵。
我没有讨论的一件事是平均电流的峰值。并联整流器在直流侧具有一个电容器，该电容器被充电到接近峰值电压的水平。因此，仅当峰值交流电压超过电容器的电压加上1个二极管压降时，整流器才会导通。如果直流侧的平均负载为1安培，则整流器将传导峰值电流的几倍。
因此，整流器会看到较高的峰值电流，这会使二极管结的低内部电阻看起来等于并联的整流器之间的电流，就像其他人建议增加外部电阻器来平衡电流一样。我已经看到LED发生这种情况。
因此在我看来，除了（或代替）用于正向电压的匹配二极管之外，还应该在峰值电流下将它们与正向电压匹配。
这是ST的.PDF文件，内容十分精巧。仔细阅读后，我认为如果正向电压差小于40 mV，则对于并联二极管是可以的。
简单明了，两个不匹配的二极管不能平均分配电流。除非有无限电流的电压源驱动，否则不会发生故障或失控。在没有实用应用程序的情况下受到学者欢迎的方案。实际上，电源可能具有5 A的负载，如果确实不匹配，则几乎5 A的电流将流经其中一个，而几乎不流经另一个。
似乎每个人都忽略了并联的（或双管的）肖特基二极管引线的很小但仍然很大的固有电阻。如果一个二极管开始比其并联伙伴“吸收”更多电流，则其封装引线的电阻增加[具有正温度系数（与结不同），nb]将自动减小驱动结的电压。如果电流需求量不算过多，则两个或多个二极管之间的这种持续锯切[共享]动作将使电流随时间平均。
我还认为并联二极管是一个坏主意，但不确定是否会考虑。如果二极管1中的电流大于二极管2中的电流，则前者的正向压降（Vf）将增加，这意味着更多的电流将采用二极管2的“更短”路径。这就像是自动调节电路使自己保持平衡。
条件是Vf-If特性应具有可比性，同一批次的二极管也应如此。
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为了使Vf-If特性相同，两个器件应具有相同的温度，因此应热耦合，最好在同一封装中。