反极性保护


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这是非常方便的反极性保护方案。

当为负时,AP沟道MOSFET导通,可能在-3V至-5V左右开始。接通电源后,。这就是数据表中MOSFET上引出的寄生二极管起作用的地方(仅出于说明目的而绘制,请勿在漏极和源极之间放置一个二极管)。它允许电流流动,漏极至源极,并下降约1V。VGsVGs=0V

原理图

模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图

假设电源电压为10V:

VGs=VG-Vs=0V-9V=-9V

MOSFET被驱动到饱和状态。由于MOSFET的导通电阻约为,因此寄生二极管短路。[RdsØñ25Ω

如果极性接反,则寄生二极管将永远不会导通,从而永远不会使MOSFET导通。

您需要注意数据表中的最大。MOSFET可以切换100V,但最大可能仅为20V。在这种情况下,您必须放置某种分压器以保护MOSFET的栅极:VGsVGs

原理图

模拟该电路


嗨,马特,我完全同意您的体二极管的概念,但是当施加反向电压时,即对源极施加10V电压,而漏极接地。因此,现在的Vgs为-10V,远高于阈值,并且足以将MOS保持在饱和区域。因此,它现在也在朝相反的方向进行。如果我说了不正确的话,请纠正我。
Durgaprasad

回头看原理图。如果极性接反,则二极管将不导通。没有电流流过,因此栅极和源极将处于10V。。晶体管不导通。VGs=10V-10V=0V
马特·杨

我对二极管很了解。但是,当源极为10V且栅极接地并且漏极也接地时。那么Vgs = -10V。对?因此,我认为尽管体二极管是反向偏置的,但MOS应该导通(PMOS的常规配置)。
Durgaprasad 2013年

极性相反时,接地变为10V。
马特·杨

太棒了!我从来没有观察到这一点。非常感谢Matt。我现在完全明白了。
Durgaprasad
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