什么会导致FET的漏源短路？

背景：

我在开关电源中使用Si7456CDP N沟道MOSFET。电源和负载位于塑料外壳中。昨天，电源和负载运行正常。今天早上，当我打开电源时，没有任何反应。没有电。最终，我发现MOSFET的源极和漏极短路在一起。更换MOSFET解决了该问题。

题：

是什么原因导致N沟道MOSFET突然因源极-漏极短路而发生故障？

有两种主要机制，但首先是图表：

主体和源代码绑定在一起，为简单起见删除了一些功能。

方案1：

• 漏极上的过电压尖峰会导致灯丝以及接点和漏极植入物尖峰。IT可能会或可能不会导致触点发生故障/熔化，但电流过高会导致D / B结点击穿。一旦结尖刺，它就连接到阱漏极，源极现在短路了。这仅需要在晶体管中的一个位置击穿

方案2：

• 漏极上的高电压会导致GOX（栅极氧化层）上的EOS（电气过应力），特别是在离漏极最近的栅极上。这很可能是具有扩展漏极结构的LDMOS结构（这意味着栅极电压不必达到与漏极相同的电压）。栅极末端的击穿会导致栅极短路以耗尽电流。短路后，它现在基本上始终处于开启状态，而且，栅极现在被驱动到原本不希望达到的水平，故障消失了。仍然仅需要晶体管中的一个故障。

还有其他情况，但是它们都需要两个故障。

该设备相当大，在显微镜下可见。取消对此可能具有启发性。

那实际上是一个MOSFET。漏极-源极短路是MOSFET中常见的故障模式，通常是由栅极瞬态引起的。

任何损坏管芯的东西都可能导致漏源短路。（有时候，死对史密斯人也是如此。）

这包括：

• 门极过压/欠压
• 栅极驱动不良/不当导致热失控
• 一般的热失控（冷却/强制空气损失）
• 雪崩引起的EOS

没有更多具体的应用程序信息，很难判断哪种模式可能是罪魁祸首。