为什么仍然使用普通的EEPROM而不是闪存？

如今，为什么有人仍在使用（而不是在新系统中实现）普通EEPROM而不是闪存？

从Flash维基百科：

闪存是从EEPROM（电可擦可编程只读存储器）开发的。

使用闪存而不是普通的EEPROM是否有不利之处（功耗，空间，速度等）？

简单来说，FLASH存储器只是EEPROM的一种形式：这里有一个营销/品牌方面。通常，当今使用的区别是EEPROM是可擦除/可重写的单字节（或存储字），而FLASH是基于块的擦除/写操作。

有关问题：

• 由于最大擦除/写入周期额定值比闪存好一个数量级或两倍，因此EEPROM继续受到欢迎。
• 由于与任何成熟技术一样，对设计的投资通常会随着时间的推移而摊销，因此与较新的技术相比，生产和测试的成本得以降低。

大多数EEPROM可以处理的写周期数通常远远超过大多数闪存可以处理的写周期数。

EEPROMS通常每个单元可处理约100,000-1,000,000次写入。
闪存的一般额定值为〜1,000-100,000次写入（具体取决于闪存的类型）。

EEPROM与闪存相比的另一个优点是，通常必须按块擦除闪存，因此，如果您的写入模式涉及顺序的单字节写入，那么与等效的EEPROM相比，与EEPROM相比，您将在闪存上使用更多的写入周期通常可以按字节擦除存储器，而不是按块擦除周期使用闪存。

基本上，闪存通常以〜64-512 KB的块被擦除。因此，对于该块内任何位置的每次写入，控制器都必须使用整个块的写入周期来擦除整个块。您可以看到，如果您依次对一个块中的每个地址执行单字节写操作，那么最终您将对整个块执行64K到512K之间的写操作，这很容易使用闪存的整个写持久性。

因此，EEPROM通常用于本地处理器较小，无法缓冲对每个闪存页面的写入的情况。

随着闪存技术的进步，很多事情变得不那么真实了。有一些闪存IC，包括用于本地写缓冲的功能，以及闪存的写入持久性显着提高。