从微控制器驱动LED灯条

我想使用PWM从微控制器驱动LED灯带来控制亮度。我的测试条在12V电压下大约需要1.5A电流。我只熟悉纯低功耗数字电子产品，因此想检查这些假设是否正确并获得建议：

• 如果我使用NPN晶体管来驱动该晶体管，则该晶体管在导通时将下降约0.7v，因此在导通时将耗散超过1W的功率。
• 这将需要一个相当矮小的晶体管和一个散热片，如果可能的话，我想避免它们。

• 因此，最好使用电阻低得多的mosfet，这样我也许可以摆脱较小的mosfet甚至没有散热片的困扰？

• 但是，从各种MOSFET的规格来看，我可以买到它，看起来像任何能够通过此电流的器件都需要超过3.3v的电压，我可以从微控制器获得完全开启的电压。

• 那么，我最好让一个小的NPN晶体管将12v开关到mosfet的输入以控制实际的LED灯带吗？（很抱歉，我无法在这台计算机上绘制图表，但以后可以根据需要添加一个图表）

我的假设是正确的，有人有什么建议或更好的方法吗？我也对合适零件的推荐感兴趣，尽管这不是我的主要问题。

（编辑：我正在寻找其他能够回答此问题的帖子，但找不到与我想要的内容完全相同的东西，如果某人具有指向重复项的链接，请发布该帖子，我会很乐意结束问题）。

对于12伏时1.5 A，3.3伏开关的情况，这是一个工作得很好的MOSFET解决方案。这里建议使用的MOSFET是IRLML2502，可从eBay和其他站点购买，价格低至2.35美元，每10张免费送货。

^{模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图}

IRLML2502 在2.5伏栅极电压下的最大导通电阻为0.08欧姆，而在栅极电压接近3.3伏时则更低。它可以承受20伏的源漏电流，因此在12伏电源下可以很好地工作。漏源电流额定值大于3安培，提供超过100％的安全裕度。

在0.08欧姆和1.5安培时，MOSFET 完全导通时将耗散180毫瓦。即使允许PWM的开关沿，耗散也不会超过250 mW左右，因此该应用不需要散热器。

关于假设：

• NPN晶体管的跌落和耗散正确，因特定晶体管的Vce而有所不同
• 矮矮胖胖的晶体管（BJT）并非如此，但典型的是TO-220尺寸，是的，需要散热片
• 是的，请参阅上面的建议MOSFET
• 不正确的是，有几种低成本的MOSFET可以稳定地在低于3.3V的电压下导通，并且可以轻松通过1.5A的电流
• 不，对于NPN BJT，在基极电流等周围始终存在平衡作用。MOSFET是电压驱动的器件，工作量小得多

您的某些假设是正确的。这个答案提供了一种更好的方法，我相信还有其他方法。

首先想到的是这个电路：-

MCU将打开或关闭BC547（实际上任何NPN都会这样做），这会将12V施加（或移除）到P沟道FET的栅极。您将需要一个低导通电阻的P通道FET。0.1 Rds（on）的耗散小于0.2W，因此这是开始寻找FET的好方法。

如果您以100赫兹为单位进行切换，则FET的10k栅极到源极是可以的，但是如果您处于数kHz的范围内，则1k值会更好。

IRLML5203可能是一个不错的选择-它具有0.098 ohm Rds（on），30Vmax，3Amax且为SOT23