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最初的ROM设备必须通过某种机械，光刻或其他方式将信息放入其中（在集成电路之前，通常使用网格，在该网格中可以有选择地安装或省去二极管）。第一个重大改进是“ fuse-PROM”，该芯片包含一个由熔断二极管组成的栅格，以及行驱动晶体管，其强度足以使选择行并强制输出状态可以将任何二极管上的保险丝烧断。一个不想要。尽管此类芯片是可电写的，但是将在其中使用它们的大多数设备都没有强大的驱动电路来进行写入。取而代之的是，将使用称为“编程器”的设备来编写它们，然后将其安装在需要能够读取它们的设备中。
下一个改进是植入电荷存储设备，该设备允许电荷被电植入但不能去除。如果将此类设备包装在紫外线透明包装（EPROM）中，则可以在暴露于紫外线约5-30分钟后将其擦除。这样就可以重用那些其内容不有价值的设备（例如，有缺陷的软件版本或未完成的软件版本）。将相同的芯片放入不透明的包装中可以使它们以更低的价格出售给最终用户应用，而最终用户几乎不可能有人希望擦除并重复使用它们（OTPROM）。后续的改进使得可以在没有紫外线的情况下（早期EEPROM）以电方式擦除设备。
早期的EEPROM设备只能整体擦除，并且编程所需的条件与正常操作相关的条件大不相同。因此，与PROM / EPROM器件一样，它们通常用在可以读取但不能写入它们的电路中。后来对EEPROM的改进使擦除较小的区域（即使不是单个字节）成为可能，并且还允许它们使用与它们相同的电路来写入。然而，名字没有改变。
当一种叫做“ Flash ROM”的技术问世时，EEPROM设备允许在应用电路中擦除和重写单个字节是很正常的。从某种意义上说，Flash ROM在功能上有所退步，因为擦除只能大块进行。尽管如此，将擦除限制在大块内仍使得存储信息的能力比EEPROM的紧凑得多。此外，许多闪存设备具有比EEPROM设备典型的更快的写入周期，但擦除周期更慢（许多EEPROM设备需要1到10ms的时间来写入字节，而5到50ms的时间来擦除；闪存设备通常需要不到100us的时间来写入数据。写操作，但有些操作需要数百毫秒才能擦除）。
我不知道闪存和EEPROM之间有明确的分界线，因为某些自称为“闪存”的设备可以按字节擦除。但是，当今的趋势似乎是将术语“ EEPROM”用于具有逐字节擦除功能的设备，将“闪存”用于仅支持大块擦除的设备。
剧透：EEPROM实际上是闪存。
正如supercat的出色回答所指出的那样，EEPROM是对旧的可紫外线擦除的EPROM的演进（EEPROM的“ EE”代表“电可擦除”）。但是，尽管它是对旧伙伴的改进，但是今天的EEPROM保持信息的方式与闪存完全相同。
两者之间唯一的主要区别是读/写/擦除逻辑。
NAND闪存（常规闪存）：
只能在又名页面中删除。字节块。您可以读取和写入（覆盖未写入的）单个字节，但是擦除操作需要擦除许多其他字节。
在微控制器中，通常用于固件存储。某些实现支持从固件内部处理闪存，在这种情况下，只要您不弄乱用过的页面，就可以使用该闪存来保存信息（否则您将擦除固件）。
NOR闪存（又名EEPROM）：
可以读取，写入和擦除单个字节。它的控制逻辑布局使得所有字节都可以单独访问。尽管它比常规闪光灯慢，但此功能对较小/较旧的电子设备有利。例如，较旧的CRT电视和监视器使用EEPROM来保存用户配置，例如亮度，对比度等。
在微控制器中，通常用于保存配置，状态或校准数据。它比闪存要好，因为擦除一个字节就不必记住（RAM）页面内容来重写它。
有趣的事实
有一个常见的误解，即NOR Flash使用NOR门，而NAND Flash使用NAND门（事实上，这很明显）。但是，事实并非如此。命名的原因是每种存储器类型的控制逻辑与NAND和NOR门的原理图符号相似。
闪存是一种EEPROM（电可擦可编程只读存储器）。“ Flash”更多地是营销术语，而不是特定的技术。但是，这些术语已经趋于收敛，是指针对大尺寸和高密度进行了优化的EEPROM类型，通常以较大的擦除和写入块和较低的耐用性为代价。
闪存是EE-PROM的一种变体，它正在变得流行。闪存和EE-PROM之间的主要区别在于擦除过程.EE-PROM可以在寄存器级别进行擦除，但是必须擦除其中之一整体或部门层面。
“闪存”存储是用于存储在内存芯片（非易失性内存）中而不是旋转磁盘（如软盘，CD，DVD，硬盘等）的统称。
NOR和NAND是原始的闪存芯片，由Fujio Masuoka在大约1980年为东芝工作时发明。“ NOR”和“ NAND”用于大多数USB拇指驱动器。
闪存还包括 EEP-ROM（电可擦可编程只读存储器）和NV-RAM（非易失性随机存取存储器）。EEP-ROM较为便宜，可用于大多数系统级芯片和Android设备中的存储。NV-RAM较为昂贵，并且用于Apple设备中的固态驱动器和存储。
新的NV-RAM芯片比EEP-ROM和其他闪存技术快得多。
有关更多信息，请参见：http : //www.crifan.com/___flash_memory_nand_eeprom_nvram_and_others_zt/