12V和6A是一个很好的起点。这告诉我您需要一个最大漏极-源极电压能力大于12V的mosfet,因此20V将是最低标准。
您想要切换6A,并且希望它以最小的压降进行切换-就像继电器触点一样,因此您正在寻找低于(例如)0.1欧姆的Rds(on)。这意味着在6A时,它将在器件两端产生一个0.6V的小电压(欧姆定律)。
但是,这将产生6 x 6 x 0.1 W = 3.6W的功率耗散,因此,如果您正在寻找表面贴装器件,则希望最大耗散为0.5W。
这意味着Rds(on)更像是0.014欧姆。
到目前为止,您的应用程序需要一个20V的晶体管,该晶体管能够以不超过0.014欧姆的导通电阻切换6A电流。
Vgs“类似于”继电器上的线圈电压-这是您需要向线圈施加多少电压才能使其转换为FET的BUT,这是线性的,如果没有施加足够的电压,则mosfet会不能正确开启-它的导通电阻会太高,在负载下会变热,并且当您想要一个很好的低电阻时会在其两端产生一个或两个伏特。
然后,您需要检查规格的详细信息,以查看需要应用多少才能保证所需的低导通电阻。在这进一步下降。
IRFZ44N数据表的首页上有:-
Vdss = 55V,Rds(on)= 17.5毫欧,Id = 49A
它不是表面贴装设备,因此产生的热量不会过多(使用散热片),因此它可以按照您想要的方式工作,但是我会研究具有较小Vds(例如20V)的设备并且您可能会发现电阻小于10毫欧的电阻。
如果您看一下第2页的电气特性,您会发现17.5毫欧的导通电阻需要在栅极上施加10V的驱动电压(表中第3行向下)。低于该驱动水平,导通电阻会随着产生的热量而升高。
在这一点上,我无法再为您决定,但我认为您可能正在寻找一种可以在逻辑级别上运行的设备。在这种情况下,IRFZ44N将无法使用。
STB36NF06L的导通电阻要高一点,但规范确实表明它将在栅极上的5V驱动器下工作-请参见电气特性(ON),但我仍然很想找到一个更合适的电阻。
我会被这个吸引住的。当栅极电压为4.5V时,PH2520U是20V,100A,2.7毫欧的设备。如果您的逻辑电平为3V3,请查看图9以查看它在3V3下是否可以正常工作。
关于事情的最后一件事-您想要对负载进行PWM,如果频率很高,您会发现栅极电容将一些驱动电流带入栅极,以使其快速上下移动。有时,最好权衡导通电阻以找到具有较低Vgs电容的器件。您现在正在骑马。保持尽可能低的开关频率,并且应该从5V逻辑引脚驱动正常。