MOSFET：为什么漏极和源极不同？

为什么在其物理结构相似/对称的情况下，MOSFET的源极端子的漏极功能不同？

这是一个MOSFET：

您可以看到漏极和源极相似。
那么，为什么需要将其中一个连接到VCC，将另一个连接到GND？

误解：制造商共谋在分立元件中放置内部二极管，因此只有IC设计人员才能使用4端子MOSFET进行出色的处理。

真相：4端子MOSFET并不是很有用。

任何PN结都是二极管（在其他制造二极管的方法中）。MOSFET有两个，就在这里：

大部分的P掺杂硅是主体或衬底。考虑到这些二极管，可以看出，人体始终处于比源极或漏极低的电压，这一点非常重要。否则，您将二极管正向偏置，这可能不是您想要的。

但是，等等，情况变得更糟！BJT是NPN材料的三层三明治，对吗？MOSFET还包含一个BJT：

如果漏极电流很高，则源极和漏极之间的沟道两端的电压也可能很高，因为不为零。如果它足够高，可以对体源二极管进行正向偏置，那么您就不再需要MOSFET了：您拥有了BJT。这也是不是你想要的。$R_{DS(on)}$

在CMOS器件中，情况更糟。在CMOS中，您具有PNPN结构，可构成寄生晶闸管。这就是导致闩锁的原因。

解决方案：将主体短接至源头。这使寄生BJT的基极-发射极短路，使其牢固地保持住。理想情况下，您不要通过外部引线来执行此操作，因为那样的话，“短路”也将具有较高的寄生电感和电阻，从而使寄生BJT的“抑制”能力不那么强。相反，您会在即将死时将它们做空。

这就是MOSFET不对称的原因。可能某些设计原本是对称的，但是要使MOSFET可靠地表现得像MOSFET，则必须将这N个区域之一短路到人体。无论您对哪个人执行此操作，它现在都是源，没有短路的二极管就是“体二极管”。

实际上，这并不是分立晶体管所特有的。如果确实有4端子MOSFET，则需要确保主体始终处于最低电压（对于P沟道器件，则始终为最高电压）。在集成电路中，主体是整个集成电路的基板，通常将其接地。如果人体的电压低于电源电压，则必须考虑人体效应。如果您看一下CMOS电路，其中有一个未接地的源极（如下面的“与非”门），那没关系，因为如果B为高电平，则最低的晶体管导通，而另一个则导通。实际上，其上方的电源确实接地了。或者，B为低电平，输出为高电平，下面两个晶体管中没有电流。

除了Phil的回答，偶尔您还会看到MOSFET的描述，该描述提供了更多关于不对称的细节

^{从electronics-tutorials.wa}

从基板（主体）到源的不对称链接显示为虚线。

从物理设备的角度来看，它们是相同的。但是，当生产分立的FET时，衬底会形成一个内部二极管，其阴极在漏极，源极在阳极，因此必须将标记的漏极端子用作漏极，将标记的源极端子用作源极。