灌电流

我一直在阅读NPN晶体管正在下沉，PNP正在采购器件。我不太了解这个概念。它说电流源设备将负载连接到V _cc，电流吸收设备将接地（低电压）。

那么在NPN晶体管的发射极上连接负载会使其成为源吗？

相对于V _CC而言，以一种非常简单的形式，可以将晶体管视为位于器件之前或之后。

如果晶体管连接在V之间_CC和装置中，采购电流。

如果晶体管连接在设备和地之间，则表示正在吸收电流。

（图片来自CircuitsToday.com）

一些文章更详细地描述了事物：

• National Instruments：术语下沉和采购之间有什么区别？
• dataq.com：这些吸收器和源极电流的东西是什么？

JYelton是对的，也许这就是谁所说的“ NPN晶体管正在下沉而PNP正在寻找设备”的想法。但是，这不是使用晶体管的唯一方法。例如：

^{模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图}

此配置称为共集电极或发射极跟随器。现在，NPN正在采购，PNP正在下沉。

因此，源极或漏极与晶体管的类型实际上并没有多大关系，而是晶体管的工作原理。它是从正电源轨推动电流（源极），还是从地面汲取电流（漏极）？

这样想吧。SINKING =提供接地的路径。采购=提供通往V +的路径

要小心，因为大多数电气手册等都参考了常规电流。

是的，您可以按照描述的方式配置它们，但是它是工业电子学中的标准，可以进行NPN =灌入和PNP =采购。

当考虑来自集成电路的输出时，源极与漏极之间的关系非常简单，即电流是从引脚流出（源极）还是流入引脚（漏极）。您经常会发现NPN器件已将发射极接地，并确实配置为在产生逻辑低电平时吸收电流。类似地，通常会发现PNP器件的发射极连接到正轨，并提供电流以产生逻辑高电平。但是通常，输出不必一定是BJT，甚至BJT也不必严格按照我刚才描述的方式使用。

所以，最重要的是，我会说是。如果一个NPN集电极连接到正轨，预计运行从发射器的输出，即晶体管将源电流。

我对菲尔·弗罗斯特答案的最后一部分持第二看法。

“源/消耗”是电源（电源）的特性-它源通过它的正端子的电流，并在同一时间，下沉通过其负端子的电流...源既采购和下沉。因此，查看源极端子，我们看到电流从其正极端子流出，而电流进入其负极端子。

当将某些元件（晶体管）连接到源极端子时，电流流过它们，我们看到电流从连接到正极端子（之后）的元件流出，并且电流进入连接到负极端子（之前）的元件。然后，我们指定的采购/沉没属性这些元素......，说的第一个元素的来源，第二个- 汇电流。

简而言之，如果电流从设备终端（输出或输入）流出，则表示正在寻找电源。如果进入设备终端，则说明正在下沉。看起来很奇怪，但是某些输入可以提供电流（例如TTL输入）。

从地面上的靴子的角度来看，非工程电气维护人员用外行术语替代了很多pnp / npn接近传感器；

信号源切换正的[高]侧。想想你家的灯。120 V通过开关使灯泡通电。

下沉切换负的[低]侧。120 V直通灯泡，然后将开关置于中性脚上。

对于有源区中的NPN晶体管，其电流取决于其基极和发射极端之间的电压。为了提供恒定电流，其基极和发射极之间的电压应保持恒定。因此，它用作其发射极端接地的吸收源，通常在基极端施加恒定电压。这样可以确保流过该电流的电流保持恒定，而与电路中的其他变化无关。

我知道这是一篇过时的文章，但是您可以将采购视为组件可以提供多少。例如，任意运算放大器可能会从输出中提供50 mA的电流，并且如果在其上放置小型反馈电阻，则该运算放大器可能无法提供足够的电流来获得稳定的反馈。

下沉是相反的。组件可以消耗多少电流？例如，某n沟道MOSFET以一定的Vgs工作，使漏极电流为50 mA，源极接地。通过FET只能吸收50 mA电流。如果您有更多电流，则将需要其他地方沉没。

是的，在普通IC中，P器件通常提供电流，而N器件吸收电流（电流从VCC流向VEE，或从VDD流向VSS）。这也很方便，因为N个设备传导更多的电流（它们可以吸收P设备的所有能量），从而可以建立直接接地的路径，也就是对模拟设备进行正确偏置的虚拟接地。