为什么我的推挽驱动器排油环响得如此之大？

我已经读过《杀死我的MOSFET的原因》，它似乎呈现出与我的MOSFET类似的电路（我的次级也被中心抽头，并且有两个高速二极管整流成10R / 400uF负载）

变压器为12：1，我的电源电压在300mA时在10v至25v之间。

由于我认为雪崩击穿，晶体管正在发热。我使用了50V的设备，示波器显示的是〜200V的设备。在每种情况下，DS电压都会振荡直至击穿（如果电路中有足够的能量）。我想通过此电路推动10W，最好是100W。我意识到面包板对于100W设计不可行，但应该做10个。

振铃频率为2.x MHz。电源输入电容器不是低esr或特别高的值。

这是由于中心水龙头。只看变压器的左侧。

您有两个串联的电感器。当您将一个电感器接地时，电流开始流动，而另一个（磁耦合）电感器将尝试感应相同的电流，从而将另一个晶体管的漏极电压向上推，直到其击穿为止。

如果您的电源电压为25V，并且变压器（和开关）绝对完美，那么您将在MOSFET的漏极上看到50V，这是事实。MOSFET的额定电压至少应为100V。

想象一下，初级的中心抽头就像跷跷板的支点；您将一侧下拉到地面，然后神奇地（或没有）将另一侧上升到电源电压的两倍。初级线圈的两半是牢固耦合的，这是通过耦合电感器（也称为变压器）获得的，而与次级线圈及其负载无关。

出现振铃是因为变压器不是完美的-并非通过中心抽头提供的每位磁能都会被感应到开路绕组中-您具有漏感，并且如果可以得到优于98的环形磁环（例如）是好的％耦合。

未耦合的2％仍然从电源中获取能量，并且当变压器的那一侧开路时，它无处可去。发现的是MOSFET的开路漏极电容，它“响”，而且这种响也可能是致命的。

对晶体管进行更高的评估，从每个漏极将33V齐纳二极管和二极管缓冲器施加到中心抽头上（至少这样，您可以偷回一点能量）。