1N4001和1N4007之间的最大反向电压有什么区别？

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我在这里比较了1N400x二极管。据我所知，除了最大反向电压以外，它们的所有特性都相同。

其

最大电流
恢复时间
反向漏电流
电容

是相同的。

看起来1N4007是所有其他1N400x二极管的超级版本。那么，为什么要生产1N4001 ... 1N4006二极管，又为什么要购买呢？如果1N4007独自完成工作，那么为什么其他版本仍在市场上呢？

diodes component-selection

— hkBattousai
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@Vasiliy和@johnfound的答案不正确。1N400x二极管除了“偶然的”制造变化以外，并非都相同。

特意制造具有较高反向电压额定值的二极管，并采用较轻的掺杂，以使给定反向电压的耗尽区比其他情况下要宽。掺杂较轻的缺点是，高压二极管的正向电阻和压降高于低压二极管的正向电阻和压降。

因此，您可以在所有应用中使用1N4007，但是如果在低压应用中使用额定值更高的二极管，则电路效率会稍高。

— 戴夫·特威德
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根据制造商的规范，所有1N400x二极管的正向压降完全相等。

— johnfound

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\propto \frac{1}{V_{B}}

$\propto \frac {1}{V_B}$

V_{B}

$V_B$

...您能提供任何参考资料吗？我简直不敢相信，二极管的制造商只会丢弃性能不佳的二极管，而不会尝试将它们作为容忍度较低的器件来出售。

— Vasiliy

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我回想起大约30年前4007的正向电压比4001高（不幸的是，我不再有相关数据了）。可能制造发生了变化，这不再是事实。我目前看不到任何证据。

— Brian Drummond 2013年

我认为有一些合并正在进行，但这还不是全部。如果我没记错的话，1n4007二极管比1n4001体积要大得多

— jbord39 '17

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由于工艺变化，制造的半导体器件可能具有不同的特性。许多制造商对制造的零件采用“ 分箱 ”策略：他们测试零件，然后根据设备的性能将它们分为几个“箱”。一旦这样做，他们便可以出售性能更好的设备，从而获得更多的收益。

我完全确定1N400x采用分级策略，但是我不能说最初产生了多少个池。我的猜测是2个池，从中得出7个垃圾箱。该猜测基于以下事实：数据表中的典型结电容数据具有两个区域。即使我对这个制造商是正确的，池的数量也可以是制造商特定的。

这些二极管之间的差异主要是其反向击穿电压。还有许多不同的参数。数据手册中提到了部分差异（如上述的结电容），其他则没有。通常，反向击穿电压的x20比率（在1N4001和1N4007之间）反映了结点特性的主要差异。这些特性必须影响二极管的几乎任何电气参数。

制造商倾向于将这些二极管表示为具有完全相同的性能，因为非常细微的差异对于使用这些二极管的主要领域并不重要。有应用需要更高的精度。

人们说，还有一些利用二极管反向击穿的应用。在这些应用中，您可能希望能够选择合适的击穿电压。我不知道具体细节。

我的猜测是，几年前，当这些二极管刚被引入并且半导体工艺还不成熟时，不同二极管之间的差异就更为明显。

摘要：

如果价格相同，并且您将这些二极管用于“标准”应用（如低频整流），则可以使用其中任何一个，只要它满足反向击穿电压的要求即可。如果您打算将它们用于更敏感的事情，则可能需要对它们全部进行测试，以查看哪个套件更好。

— 瓦西里
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+1为“半导体工艺尚未成熟”。人们不得不怀疑，这些部分是否甚至没有被装箱，而是仅仅按照需求指示进行了标记，并仅仅因为它们是基础部件而可能永远不会过时而被传播。

— Trevor_G

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似乎有两种根本不同类型的二极管出售为1N4001..1N4007。第一种是常规二极管，以1N4001..1N4005出售。将1N4005二极管用于所有产品没有任何缺点（可能价格除外）。以我的经验，价格差异非常小，或者根本不存在，例如，在撰写本文时，以100k的价格Digikey列出的价格都为$ 11.20 / k。

第二种是PIN构造，用于1N4006和1N4007。

1N4006-1N4007的正向和反向恢复时间较差。它们在所有反向偏置电压下也具有较低的结电容（例如，在-10V时为10pF对15pF）。有关说明差异的实际曲线，请参考Motorola Semiconductor Library数据手册。例如：