实际上,在SPICE(Berkeley v.3f5)中使用哪些二极管修改器来模拟LED? 这些对我可用:
# Name Parameter Units Default Example Area
1 IS Saturation current A 1e-14 1e-14 *
2 RS Ohmic resistance Ω 0 10 *
3 N Emission coefficient - 1 1.0
4 TT Transit-time s 0 0.1ns
5 CJO Zero-bias junction capacitance F 0 2pF *
6 VJ Junction potential V 1 0.6
7 M Grading coefficient - 0.5 0.5
8 EG Activation energy eV 1.11 1.11 Si
0.69 Sbd
0.67 Ge
9 XTI Saturation-current temperature exponent 3.0 3.0 jn
2.0 Sbd
10 KF Flicker noise coefficient - 0
11 AF Flicker noise exponent - 1
12 FC Coeff. for for.-bias dep. cap. formula 0.5
13 BV Reverse breakdown voltage V ∞ 40.0
14 IBV Current at breakdown voltage A 1.0e-3
15 TNOM Parameter measurement temp. °C 27 50
3.4.2二极管模型(D)二极管
的直流特性由参数IS和N决定。其中包括一个欧姆电阻RS。电荷存储效应通过过渡时间TT和非线性耗尽层电容来建模,非线性耗尽层电容由参数CJO,VJ和M确定。饱和电流的温度依赖性由参数EG,能量和XTI定义,饱和电流温度指数。测量这些参数的标称温度为TNOM,默认值为.OPTIONS控制线上指定的全电路温度值。反向击穿通过反向二极管电流的指数增加来建模,并由参数BV和IBV(两者均为正数)确定。
我不太在意的高频特性-只是希望能够将其操作规范内匹配它的IV曲线(-10uA / -5V泄漏+100毫安/ + 2.2 “ISH V正向):