为什么闪存具有使用寿命？

我读过闪存可以“仅”重新编程100000至1000000次，直到内存“退化”为止

为什么在闪存而不是其他内存类型上会发生这种情况？内部“退化”指的是什么？

编辑：由于发生这种情况不仅是闪存，所以我想概括一下并询问存在此问题的内存。另外，是否由于相同的现象而导致这些存储器类型之间的损耗？

我不能谈论FRAM（铁电存储器），但是任何使用浮栅存储电荷的技术（包括EEPROM和Flash在内的任何形式的EPROM）都依赖电子通过非常薄的绝缘氧化硅势垒“隧穿”以改变电荷。门上的电荷量。

问题在于氧化物阻挡层不是完美的-因为它是“生长”在硅芯片的顶部，所以它包含一定数量的以晶界形式出现的缺陷。这些边界趋于或多或少地永久地“捕获”隧道电子，并且来自这些捕获的电子的场干扰隧道电流。最终，捕获了足够的电荷，使电池无法写入。

捕获机制非常慢，但是足以给设备提供有限数量的写周期。显然，制造商引用的数字是在许多设备上测得的统计平均值（用安全余量填充）。