10 我正在为Samsung K9WAG08U1D NAND flash芯片编写驱动程序。内存芯片的规格提到其页面大小为2048字节（2kB）。我正在使用TI MSP430F2619具有4096字节（4kB）RAM的A。这意味着我只需要分配2k内存缓冲区即可写入闪存。我的应用程序是协议转换器，因此需要一个额外的缓冲区来处理来回传输。请建议我采用更好的方法来减少由于闪存页面大小而导致的RAM需求。 electrical-engineering embedded-systems — 普拉萨德 source
7 您无需一次全部填写页面注册。 通过写入串行数据输入命令（0x80），列地址和行地址，开始页面写操作（即“页面编程”操作）。然后，您将数据传输到页面寄存器（最大2112字节）。可以将这种传输分解为多个块，您需要在块之间进行任何延迟。 填满页面寄存器后，您可以使用页面程序确认命令（0x10）开始从页面寄存器到阵列的传输。 — 帕特里克 source 请注意，NAND闪存通常限制为每页4次部分写入 1 @Jacen我不是指每页的部分写入。这是通过每部分单独的命令/地址/数据/命令序列来完成的。我指的是拆分到页面寄存器的传输，如果需要的话，它可以是每个字节一个“块”。 — Patrick 基本上，我当前的驱动程序逻辑是等待RAM中的整个2K缓冲区被填充，然后写入闪存。但是现在我也可以拥有至少1字节的RAM缓冲区。 哦，是的，您是对的Patrick，我忘记了此选项。