工程师如何应对RAID控制器电池的“重新学习”周期?
如中所述:什么是LSI MegaRaid上的“电池重新学习”?,重新学习周期会使RAID控制器电池(BBWC或BBU)放电,从而消除了写缓存加速。检查电池寿命,充电后,将重新启用写缓存。在重新学习周期的持续时间内,这对服务器I / O性能有明显影响。我认为这每月发生一次。
已经注意到性能下降,尤其是在数据库系统上:
我的背景是HP ProLiant服务器,这些服务器的Smart Array控制器没有经过此练习(或者至少具有更主动的电池寿命监控)。这似乎是一个可怕的功能(最大的不便,很少的收益),但是我处于许多LSI控制器(在Supermicro硬件上)的环境中,并且希望了解是否可以将一揽子策略应用于相关系统。
- LSI控制器上的重新学习周期的默认时间表是什么?
- 这些重新学习周期有用吗?
- 是否应禁用此功能?
- 如果您选择在环境中启用此功能,那么如何处理计划?您是手动安排此时间,还是允许控制器设置自己的时间表?
- Dell Perc控制器是否以相同的方式受到影响?(LSI是OEM)
我无法回答其余的问题,但是PERC确实可以重新学习。
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MDMarra
较新的LSI控制器应该具有“透明重新学习”选项。在实践中(在Dell C类硬件上),我还没有看到这项工作。
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toppledwagon