DIMM:单列,双列,四列


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DIMM的“排位”对服务器内存有什么区别?例如,当查看服务器配置时,我看到为同一服务器提供了以下内容:

2GB (1x2GB) Single Rank PC3-10600 CL9 ECC DDR3-1333 VLP RDIMM

2GB (1x2GB) Dual Rank PC3-10600 CL9 ECC DDR3-1333 VLP RDIMM

给定“单排名与双排名”或“双排名与四排名”选项始终是一种:

  • 快点?
  • 便宜点吗
  • 带宽更高?


这是IBM关于该主题的说法(第7页),至少关于其HS22而言:

重要的是要确保在每个通道中填充具有适当数量的列的DIMM,以实现最佳性能。只要有可能,建议在系统中使用双列DIMM。与单列DIMM相比,双列DIMM可以提供更好的交错效果,因此性能也更好。

例如,在SPECjbb2005上,装有6个2GB双列DIMM的系统比装有6个2GB单列DIMM的系统性能高出7%。双列DIMM也比四列DIMM好,因为四列DIMM会导致内存速度降低。

另一个重要的准则是在每个通道中填充等效等级。例如,应避免在一个通道中混用一个单列DIMM和一个双列DIMM。


最终,内存等级数量的影响是每个服务器/芯片组特定的。例如,在IBM的x3850X5服务器上,等级越高越好(请参阅第3.8.4节):

使用x3850 X5中的Xeon 7500/6500处理器,具有更高的等级可以提供更好的性能。原因是由于寻址方案可以将页面扩展到各个行,从而使页面有效地变大,从而导致更多页面命中周期。


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我已经整理了这本关于内存有趣和有趣的文件的
doc /

Answers:


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维基百科对等级(link)有一个很好的解释。我想说RamCity(金斯敦内存的供应商)对等级有更简洁的解释(链接):

简而言之,存储等级是使用存储模块上的部分或全部存储芯片创建的数据块或数据区域。

等级必须为64位数据宽;在支持纠错码(ECC)的内存模块上,64位宽的数据区域需要8位宽的ECC区域,总宽度为72位。根据内存模块的设计方式,它们可以包含一个,两个或四个区域的64位宽的数据区域(或72位宽的区域,其中72位= 64数据位和8 ECC位)。

文章继续提到价格变化:

为什么单列和双列内存模块的价格有所不同?

通常,单列存储模块使用x4(“按4”)DRAM芯片构建,并且比双列存储模块(使用x8 DRAM芯片构建)更昂贵。两种模块类型具有相同数量的芯片,但是x4 DRAM比x8 DRAM贵。使用PC2700或PC2-3200内存时,双列内存模块可能会限制服务器的未来可升级性和容量。购买基于Intel Lindenhurst的服务器的内存模块时,必须在内存成本和容量之间进行权衡。

在性能方面,我将参考维基百科:

等级不能共享,因为它们共享相同的数据路径。

因此,总的来说,排名似乎与密度和定价有关,而不是实际表现。当然,我正在处理供应商和维基百科的一般性陈述,我认为大多数人都不会在研究等级上投入太多精力。对于大多数服务器管理员来说,重要的是RAM具有匹配的等级。我认为这不是一个实际的规范或要求,但是它有助于保持一定的一致性,并使内存在许多类似服务器中可互换。

请记住,大多数服务器都是可升级的,并且RAM密度在很大程度上是影响因素。最好(尽管价格更高)为服务器获取更密集的RAM,以便为将来的升级留出空间。


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感谢您提供的链接-我找到了Wikipedia,但是它解释了很多“如何”而没有太多“为什么”。因此,听起来不同等级的主要含义将是芯片组支持的最大等级...
MikeyB

是的,它部分受芯片组支持的驱动。最终,对于服务器,排名下降到密度。服务器通常需要更多的RAM来填充(很抱歉,押韵)。但是就像您说的..它归结为该数量的芯片组。
osij2is

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作为对此的补充;在某些服务器上排名确实很重要。以Dell R710为例-如果您使用四列RAM,则不能仅填充A通道(来自内存)并保持完整的RAM速度。如果您填充A和B具有四列RAM则RAM速度下降到了800MHz,并且你不能使用C信道在所有。因此排名很重要。
马克·亨德森

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一直有人告诉我,双等级要超过单等级。确实,您的说法“排名似乎与密度和价格有关,而不是实际性能”与IBM关于“双列DIMM提供比单列DIMM更好的交错并因此具有更好的性能”这一问题的说法不一致。所以现在我很困惑。
Mike S

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原则上,可以将内存排名视为模块上的内存库。它具有相同的限制作用,并且原则上相差不大。

您一次只能访问一个存储通道上的一个存储等级,并且无法比安装唯一的单列芯片快得多的速度从该通道读取/写入该通道。

内存排名背后的主要思想-将更多内存分配到一个单插槽模块中,从而减少了所需的存储体数量。

与内存银行相同,您安装的模块(等级)越多,允许的内存速度就越慢。

通常,两排内存(两个单排模块或一个双排内存)不会影响内存速度(甚至会将内存生产率提高到大约10%)。

四列(一个四列,两个双列或四个单列)将要求一步降低内存速度(使总生产率与唯一的单列模块相同)。

八个等级(在支持的情况下)-分两步进行(与单个单等级模块相比,总体生产率低约10%)。

可以说,您在存储量上交换了存储速度。


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那是一些很好的信息-您可以引用任何参考文献吗?
2010年

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据我所知,单列DIMM比双列DIMM更昂贵。为了在Single Rank DIMM上包装相同数量的内存,制造商必须使用更大容量的芯片来弥补它。这就是为什么单列DIMM往往更昂贵的原因。

我相信Rank与DIMM上芯片的连接器数量有关。由于连接器的数量有限。为了以较低的成本容纳更多的内存,他们在DIMM上使用了两个存储体,因此可以使用较小的芯片来实现相同数量的内存。这就是为什么我们可以在不填满所有内存插槽的情况下运行存储体的原因。


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多列DIMM的主要偶然因素是内存IC密度。

这是以某些芯片组潜在的兼容性问题为代价的。尽管可以看到双列DIMM在某些芯片组上表现更好。

单列DIMM往往更昂贵;为了实现相同的容量,存储IC必须更大。

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