RAM频率和延迟有何不同?它如何影响性能?


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我对RAM内存的两个规格,Mhz的数量和延迟时间有疑问(例如:9-9-9-24)。

两者中哪一个对系统性能最重要,为什么?两者之间到底有什么区别?


Mhz / DDR3后面的数字是内存时序,越低越好。
Tamara Wijsman

读起来更像是购物建议,然后是实际的技术问题。
BinaryMisfit 2011年

然后删除价格并询问真实的问题。由于3个以上的用户标记了该标志并将其作为购物建议阅读,因此也许不再抱怨,将其编辑为可以回答的内容,然后它将重新打开。
BinaryMisfit 2011年

@NielsWillems:由于延迟时间较短,因此1866 Mhz的执行速度更快,而1600 Mhz的响应速度更快。出于亲近的原因,您可能想看一下有关Shopping Recommendations的博客文章。简而言之,应该对此类问题进行改革,以寻求您可以从中学习的建议,而不是产品建议或一年内将过时的信息。。。否则,请声明:如果每个人都提出了购物建议,就不会有对社区有很多学习价值。
Tamara Wijsman

您编辑的问题正在重新打开。
丹尼尔·贝克

Answers:


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Toms Hardware的一篇文章在解释RAM时序方面做得非常好

  • CAS,通常扩展为列地址选通(有时称为列地址选择),它是指阵列中某些物理内存位置的列,该数组由用于动态随机存取存储器(DRAM)模块的电容器的列和行组成本指南中的所有三种RAM类型均为子类型。CAS延迟通常首先出现在RAM的时序中,并指示从内存控制器指示内存模块访问其当前行中的特定列到此访问产生驻留在其中的数据之间经过的时钟周期数。
  • Trcd或tRCD通常作为RAS扩展为CAS延迟,其中RAS扩展为行地址选通,其中R表示阵列中物理内存位置的行,该阵列由用于DRAM模块的电容器列和行组成。此值指定行地址选通(RAS)和CAS之间的时钟周期数,并表示内存模块的行地址到列地址的延迟。
  • Trp或tRP通常扩展为RAS预充电,它表示结束对当前存储器行的访问并开始对下一行存储器的访问所需的时钟周期数,因此tRP =行预充电的时间。
  • tRAS或Tras通常扩展为RAS访问时间,由访问初始数据请求和开始下一次内存访问所需的预充电命令之间访问DRAM中某一数据行所需的时钟周期数来衡量。根据定义,tRAS必须大于或等于CAS加上tRCD,再加上两个额外的周期,以便在读取或写入内存的多个位(DDR(2位),DDR2(DDR)( DDR3(4位)和DDR3(8位)都用更少或更多的数字表示。

RAM存储器时序通常显示为以短划线分隔的四个数字序列,如5-5-5-15中所示。这表明CAS,tRCD和tRP值都等于五个时钟周期,而tRAS值等于15个时钟周期。这些序列中出现的数字越小,则表示存储时间越紧。同样,较大的数字表示较宽松的时间。简而言之,就内存而言,较低的延迟会带来更多的成本,更严格的时序会带来更多的成本,而两者的结合会带来最大的成本。

资源

我会选择比较紧的时间,它们往往会更快,而166MHz的差异甚至不会明显。实际上,它们是如此接近,以至于您不会注意到速度上的任何差异。Mhz等级较高的那一款可能是超频的最佳选择,因为它会给您一点空间,因为现代Intel和所有AMD芯片都集成了内存控制器,因此当您调高FSB时,您也将超频RAM。但是同样,这都是个人喜好,具体取决于您将对系统执行的操作。如果您只是建立一个不打算超频的股票系统,则任何一种都可以。


感谢您对@sathya进行块引用编辑,谢谢。
Supercereal 2011年
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