如何解释内存（RAM）的规格？

在查看内存时，有一些我不理解的规范，希望对此进行澄清。这些术语是什么意思，它们如何影响系统性能？ 随时提供技术数据和答案，但不限于我在以下示例中列出的规格。

• 速度：DDR3 1600，DDR2 800
• 时间：9-9-9-24（每个数字是什么意思？）
• 电压：1.5V（我知道电压是多少，但是它如何影响我的系统？）
• 多通道套件：双通道，四通道

速度

数字以MHz为单位，表示RAM工作的时钟信号频率（x2为DDR RAM，因此DDR2-800以400MHz运行）。DDR的意思是“双倍数据速率”，这意味着它在信号的上升沿和下降沿都传输数据（而不只是信号的开和关）。因此，例如，DDR给您800MHz的效果，而实际上仍然只有400MHz。DDR2和DDR3是DDR规范的替代版本。（即：DDR3是“双倍数据速率类型三”）。

定时

内存时序（或RAM时序）统称为一组四个数值参数，称为CL，tRCD，tRP和tRAS，通常表示为以破折号分隔的四个数字序列，分别以各自的顺序排列（例如5-5-5-5 15）。但是，通常不会遗漏tRAS，或者添加第五个值，即Command rate（来自Wikipedia）））。

CL（CAS延迟）

CAS延迟是指从发送READ命令到输出出现第一数据之间的延迟（以时钟周期为单位）。

LRCD

行地址到列地址的延迟-tRCD是发出活动命令与读取/写入命令之间所采用的时钟周期数。此时，内部行信号足以使电荷传感器稳定下来以对其进行放大。

吨

行预充电时间-tRP是发出预充电命令和激活命令之间花费的时钟周期数。此时，感测电流将充电并激活存储体。

tRAS

行激活时间-tRAS是存储区激活命令与发出预充电命令之间所花费的时钟周期数。

有关这些和其他RAM时序元素的更多信息，请参见此处。

电压

列出的电压是为RAM模块供电所需的最小/推荐电压。不够，它无法为模块供电，太多会损坏模块上的各种芯片。

多通道套件

这些“套件”只是封装在一起的多个单个，相似（尽可能相同）的RAM模块。目前的目的是将它们用于具有双通道和三通道（等）RAM通道功能的主板。IE：由于您需要2条记忆棒来做双通道，并且早在新系统（在三通道，四通道等之前）就成为标准/常规，因此存储器制造商开始将其现有的“套件”营销为“多通道”。套件”。

以前，套件的销售主要是为了在购买多个模块时降低价格（即：“ 2GB套件”中的两个1GB模块比购买两个相同型号的单个1GB模块便宜）。

速度：

第一部分是内存的类型。DDR2是双倍数据速率2。第二个是内存运行的速度（以MHz为单位），通常，速度越快越好（在某种程度上）

定时：

这些数字是不同内存操作之间必须发生的等待周期数。越低越好（深度更深））。

电压：

内存操作的电压。在大多数情况下，这仅供参考，但某些系统需要一定的电压存储器。例如，新的Intel Core I芯片所需的电压（1.5v iirc）比旧的Core 2芯片低。

多频道：

内存可以通过单独的模块（棒）出售，也可以通过套件购买，以购买具有多个内存通道的主板。当前大多数主板具有双通道，而英特尔插槽1336具有三通道。包装的全部目的是确保您获得了多通道RAM所需的两个完全相同的内存模块（相同的速度，时序和大小）。