读取数据会导致SSD磨损吗?


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几乎众所周知,过多的写入(包括格式化,碎片整理等)会及时磨损固态驱动器。但是从SSD读取大量数据也会造成磨损吗?

我正计划在具有SSD的Linux机器上启用预取。我有时间残疾。


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我要指出的是,尽管这是常识,但大多数人都大大高估了他们用完SSD写入的速度。英特尔特别声明,您可以连续十年每天一天超过21GB 的写入量,而不会耗尽其消费者级驱动器上的写入内容。
井2012年

(此外,请不要对SSD进行碎片整理,因为它实际上不会做任何有用的事情。)
Shinrai 2012年

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考虑弯曲一块金属(例如衣架)。您可以通过弯曲信息来“写入”信息(例如,straight = 0,bend = 1),并通过查看信息来“读取”信息。您可以根据需要多次读取它,而不会造成(严重的)伤害,但是在它破裂之前,您只能对其进行多次写入。
Synetech

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@Synetech-我的印象是,SSD上的数据的物理位置既是A:在99%的情况下基本上无关紧要,而且是B:大多数碎片整理软件都没有正确理解它们,因为它们写的是预期的硬盘驱动器,以及控制器该驱动器可处理大部分此类物品(出于磨损均衡目的而放置在不同位置的物品等)。当然,这里大大简化了。
2013年

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这些注释中的几乎所有信息都已过时。
David Schwartz

Answers:


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不会影响设备。Flash的有限写入寿命是它们工作方式的自然结果。

闪存驱动器上的数据是安全的,因为这些位是由锁定在非常隔离的层中的电子存储的。这些电子(如果存在)产生一个电场,该电场可以被附近的晶体管吸收。由于它们已被锁定,因此读出晶体管不会影响电子。但是,在写入过程中,要使电子通过该层,闪存需要非常高的电压。这些高压会对隔离层造成一定程度的损坏,这会逐渐产生。

相比之下,DRAM没有这样的隔离层。电子非常容易移动。结果,DRAM速度更快,并且不会因写入而损坏,但经常需要更换泄漏的电子。关闭电源,它们都在几毫秒内消失了。


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尽管读取本身并没有直接的危害,但值得注意的是,过多的读取会导致固件生成后台写入。就是说,在大多数情况下,后台写操作可能并不重要。更多信息:superuser.com/a/725145/6091
rob

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我相信读过程不会影响NAND单元,尽管我可能是错的(例如,查看本文的底部)。可能的是,如果在很长时间内未对“页面”或擦除块进行重新编程,则某些位(可能非常小)将恢复为未编程状态的可能性。不知道固件是否考虑到了这一点并重写/重新映射了很长时间未读取的页面。


有趣。您是否有关于此行为的更多信息(不仅仅是该文章)?
dtmland 2014年

我并不是很遗憾,但是如果遇到更多信息,我会尽量记住进行更新。
LawrenceC

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值得注意的是,读取本身并没有害处,但是过多的读取会导致固件生成后台写入以抵消保留错误和读取错误。@dtmland请参阅我对类似的问题的回答,该问题受ultrasawblade的回答启发。superuser.com/a/725145/6091
2014年


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闪存只是一种eeprom(可以重新编程的芯片。正是这种重新编程会导致磨损,读取次数不受限制。要读取其唯一的内存 。http://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory#NAND_flash 本文讨论关于重新编程的工作方式以及它基本上如何将数据“刻录”到内存中。


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Flash!== EEPROM
Alvin Wong 2012年

是的,从技术上讲不是EEPROM,但这仍然是正确的,因为读取不会造成任何损坏。
井2012年
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