如何减慢MOSFET的开关时间？

我的NMOS切换速度太快，无法适应我的应用程序。我正在向门中发送逻辑电平的方波（PWM）。对我而言，不幸的是，正如预期的那样，输出也是近方波。

如何使Vout更梯形？或以另一种方式说，我可以做的最简单的修改以降低输出的摆率？

注意：（Vin）是施加在NMOS栅极上的电压＆（Vout）是在NMOS漏极上看到的电压。

您对FET电阻的唯一控制是栅极-源极电压。您需要减慢该电压的变化。最常见的方法是在栅极处使用RC滤波器。在驱动源和设备栅极之间放置一个电阻，栅极的寄生电容将形成一个RC滤波器。电阻越大，开通和关断速度越慢。

如果电阻太大，则可能会产生噪声抗扰性问题（错误的栅极触发等），因此，超过某个电阻值（可能在10k-100k范围内）时，最好增加电容栅源以减慢开关速度进一步下降。

通常，我总是在所有FET上放置一个带下拉电阻的RC滤波器。这样可以控制上升时间，并提高了抗噪能力。

^{模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图}

请记住，只要您的FET花费不完全“开”或“关”，它的损耗就会增加。如果打开，则设备两端的电压非常低。如果关闭，则设备没有电流通过。无论哪种方式，低损耗。但是，如果介于两者之间，则设备会同时看到电压和电流，这意味着在此期间其功耗要大得多。切换得越慢，损失就越大。在什么时候成为问题取决于FET，源极和开关频率。

米勒时间不够？只是扩展它。

Spehro在这里采用了正确的方法。我将骑着他的大衣尾巴，对这个想法进行一些扩展，因为对于这种事情来说，这是一个好主意。

$C_{\text{dg}}$$g_{\text{fs}}$$C_{\text{dg}}$$C_{\text{fb}}$

$V_{\text{drv}}$$V_{\text{ds}}$$R_g$$R_L$$g_{\text{fs}}$$C_{\text{fb}}$$V_{\text{gs}}$$V_{\text{ds}}$$V_{\text{drv}}$

$-\frac{R_L}{s C_{\text{fb}} \left(g_{\text{fs}} R_g R_L+R_g+R_L\right)+1}$

$R_g$$R_L$$g_{\text{fs}}$$C_{\text{fb}}$

$R_g$$R_L$$V_{\text{drv-pk}}$$V_{\text{cc}}$$g_{\text{fs}}$

$V_{\text{ds}}$$V_{\text{drv-pk}}$

$C_{\text{fb}}$$C_{\text{fb}}$

您可以在栅极上添加一个串联电阻。通常这样做是为了降低上升/下降时间，以减少EMI或防止过度的过冲。显然，这会增加开关损耗（但不会增加传导损耗），因此需要权衡取舍。除了使开关变慢之外，它还会增加延迟时间，因此请注意是否存在交叉传导或类似问题。

$C_{GS}$$C_{DG}$$C_{DG}$

MOSFET的工作条件是什么？

当用作开关时，MOSFET大部分时间处于两种状态：

• $V_{\text{ds}}$
• $V_{\text{ds}}$$I_{\text{d}} \times R_{\text{ds_on}}$$I_{\text{d}}$$R_{\text{ds_on}} \times I_{\text{d}}^2$

$V_{\text{ds}}$$I_{\text{d}} \times V_{\text{ds}}$

如果您打算通过设计使MOSFET更长地处于此第三状态，则必须确保其结温的升高不会使其超过该结温的最高允许温度。（可在数据手册中找到）降低MOSFET的压摆率必须仔细研究。

我不知道您要用它做什么。如果它是LED，并且您希望它变得越来越亮但又越来越慢，则最好在MOSFET的栅极上使用PWM并仍将其用作开关。如果PWM速度非常快，那么肉眼就不会注意到它。

同样的方法对于驱动电动机也是有效的。