该问题与以下三个集成的H桥驱动器有关：-

• L293或L293D（D =添加了保护二极管）
• SN754410（包括保护二极管）
• L298（无保护二极管）

一次又一次地出现同样的问题-有人在使用其中一种设备（在低电压下，通常在6V左右或更小电压下），并且它们的性能不足。原因在下面进一步列出，但是我的问题是：-

What H-bridge drivers are preferred when controlling a low-voltage motor?

信息

L293和SN754410几乎相同，而且至关重要的是，如果尝试控制1安培的负载，您将面临糟糕的性能：-

这些表告诉您（典型情况），当驱动1A负载时，上部晶体管下降（下降）约1.4伏，而当驱动1A负载时，下部晶体管下降（下降）约1.2伏。结果是，如果您有6V，1A电动机和6V电池，则不要期望电动机两端的电压超过3.4伏：-

$V_{OUT} = 6V - (1.4V + 1.2V) = 3.4V$

最坏的情况是您可能只会看到2.4伏的电压。

L298呢？它有一个不错的大型散热器，而L293和SN754410是外观常规的芯片。电压降（损耗）如下所示：-

同样的道理-对于1A的负载，您可能会损失高达3.2伏的电压，而您认为整个电动机上可能有6V的电压，最好是4.2伏，最坏的是2.8伏。

显然，没有列出的设备适合于低电压应用，在低电压应用中，电机的预期功耗可能超过0.5A。

对于低电压，DRV8837看起来非常不错：-

负载为800mA时，电压降为：-

$I_O\cdot R_{OS(ON)}$

与此相比，L293的功耗约为800mA-可能会损失约3V电压，从而产生2.4瓦的功耗。

意法半导体（ST）的VNH5200AS-E也相当不错，可用于低至5.5V至18V的电源：-

此外，意法半导体的另一项产品是VN5770AKP-E。可以将其配置为单独的顶部和低侧MOSFET（包括驱动器），也可以将其布线为H桥。

还有飞思卡尔（以前是摩托罗拉）的MC33887：-

它的导通电阻也低至数百毫欧。

IR2210是功率电子电路和H桥设计中最著名的MOSFET驱动器。您可以查看有关如何使用IR2210制作H桥的完整指南。他对每件事都做得很好， http: //microcontrollerslab.com/use-mosfet-driver-1r2110/ http://microcontrollerslab.com/how-to-make-h-bridge-using-ir2110/