在过孔和芯片之间旁路电容器？

在去耦帽的PCB布局中，展示了三种放置旁路帽的变体：

在评论中，提到C19是最差的方法，C18稍好一些，C13是最佳方法，这与我的理解有些相反，因此，我想澄清一下。

我希望C19的布局接近最佳：

• 电容器被串联放置在通孔和电源层之间，因此高频成分可以被最佳地滤除
• 通孔距离不太远

我可能会在电容器和过孔之间使用更宽的走线（Altera的AN574建议这样做）。

C13距离IC较近，但过孔位于连接的远端，因此我希望高频下的行为更糟​​（可能太重要了，但是...）

C18的布局最差：

• 通孔相距较远，增加了电感阻抗
• 循环很大
• 与C13具有高频纹波的问题相同

我的分析哪里出问题了？

EMC正确的方法是C19，因为从IC产生的高频纹波会通过C19焊盘布线，因此会被滤波。

注意共振频率。如果在> 300MHz处产生噪声，则“经典的” 100nF 0603（1608公制）X7R电容器太大，因为其谐振频率约为20MHz，并且在比其更大的频率上开始像电感一样工作。这里需要一个1nF或100pF的电容器。

为了模拟，您可以使用REDEXPERT或SimSurfing。电容器的尺寸和额定电压也起着很大的作用。

有两个方面：

• 减少噪音和高频纹波
• IC的电源传输

这两个考虑的结果是在不同技术中使用多个电容器：

1. 几百pF到几nF（例如0402或0603中的100pF到3.3nF）以C19的方式（从IC到电容器的布线，然后向下到带通孔的平面）尽可能接近
2. 几百nF（100nF-1uF）的更大陶瓷帽
3. 几uF的钽帽

这是我降低EMC的方法。

关键是您如何考虑布局。C19确实将保持高频率从芯片从进入轨道，反之亦然，但你不是要滤除高频噪声（至少通常情况下），你想在电源轨，以尽量减少阻抗，从IC的观点。

实际上，C13 在芯片的电源连接两端并联了电容器和电源轨。C19将它们串联在一起，而C18是两者的混合。