Questions tagged «bypass-capacitor»

与其他IC一样，标准做法是在运算放大器的电源电压引脚附近放置旁路电容器。但是我已经看到了关于如何正确旁路运算放大器的不同意见（例如，在这里）。有人建议在V +和V-引脚之间放置一个电容器。其他人建议使用两个电容器，一个从V +到地，另一个从V-到地。这些方法中哪种方法效果最好？我将OPA827s用作音频信号的单位增益电压跟随器，但我想知道其他情况下的答案是否相同。 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图

18 operational-amplifier  bypass-capacitor 

我目前正在设计一个包含ST的AIS3624DQ加速度计的设计。在数据表中，它说（第17页第4节）： “应将电源去耦电容器（100 nF陶瓷，10μF铝）放置在尽可能靠近器件引脚14的位置（常规设计做法）。” 是否可以用钽电容器代替10μF的铝（由于尺寸较大）？

13 capacitor  bypass-capacitor 

我的电路板上有许多相同的IC MAX9611。根据数据表，应使用并联的0.1uF和4.7uF电容旁路。现在我喜欢其中的15个彼此相邻： 我不确定是否需要为每个IC焊接所有这些电容。首先，也许我的2层板的电容（VCC浇注顶部，GND底部）将变高，并且可能会干扰I2C信号？我没有使用此配置的经验，所以我不知道在最坏的情况下会发生什么...请说明一下！ 我将分别对每个IC进行读取/写入，因此不会同时运行2个IC。 我的意思是我需要焊接所有的盖子，还是可以例如为每个第二芯片都装上盖子？

13 pcb  pcb-design  analog  bypass-capacitor 

看看此评估板的可变增益RF放大器（数据表）： J5-J10用于连接直流电源（J6除外，它是直流模拟控制电压）。所有这些线路均具有三个并联的电容器。以连接到J10的走线为例。从J10到芯片上的引脚的过程中，需要经过以下三个电容器： 采用大包装的2.2 µF电容器（数据表中称为“ CASE A”） 采用0603封装的1000 pF电容器 采用0402封装的100 pF电容器 为什么使用三个并联电容而不是一个3.3 µF电容？为什么它们都有不同的包装尺寸？顺序是否重要（即，最小电容靠近芯片是否重要？

8 amplifier  rf  bypass-capacitor 

在去耦帽的PCB布局中，展示了三种放置旁路帽的变体： 在评论中，提到C19是最差的方法，C18稍好一些，C13是最佳方法，这与我的理解有些相反，因此，我想澄清一下。 我希望C19的布局接近最佳： 电容器被串联放置在通孔和电源层之间，因此高频成分可以被最佳地滤除 通孔距离不太远 我可能会在电容器和过孔之间使用更宽的走线（Altera的AN574建议这样做）。 C13距离IC较近，但过孔位于连接的远端，因此我希望高频下的行为更糟​​（可能太重要了，但是...） C18的布局最差： 通孔相距较远，增加了电感阻抗 循环很大 与C13具有高频纹波的问题相同 我的分析哪里出问题了？

8 pcb-design  bypass-capacitor