NPN和PNP晶体管有什么区别？

PNP晶体管有何不同？PNP和NPN之间的操作区别是什么？

transistors bjt pnp

— DenilsonSáMaia
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@Federico-是什么让您相信Denilson想知道身体上的差异？自从他按原样接受答案并与其他有关操作特性的问题联系在一起后，我得出的结论与Kortuk相同：您已经更改了问题的含义。编辑不应该用于劫持线程，相反，请编辑以阐明帖子的含义而不更改它。

— 凯文·维米尔

@凯文·维米尔（Kevin Vermeer）：这完全符合标题，它询问有什么区别。丹尼尔森（Denilson）还在问题中问什么是操作上的差异，并且公认的答案仅是关于如何连接。如果还有其他差异，我认为它们应该是这个问题的答案。

— Federico Russo

@凯文·维米尔（Kevin Vermeer）：我也想避免将一个新问题作为完全重复的问题解决，因为如果我问的话，那将会发生。

— Federico Russo

@Kevin-我读了Federico的补充，我同意他的看法，这不会改变问题的意图。“特性差异”（FR）是“操作差异”（DS）的一部分。我认为应该由Denilson决定回滚。

— 2011年

@stevenvh，基于接受的答案，它绝对不符合发布者可能的含义。您是正确的，我们需要OP权衡一下。这里发表的每个评论都在标记他。

— 2011年

Answers:

PNP晶体管的工作方式与NPN相同，但是所有电压和电流都反向。将发射极连接到较高电位，来自基极的源电流和主电流流入发射极，然后通过集电极流出。

$V_\rm{BE}$ 将为但如果使用互补部分，则PNP和NPN的大小应相同。 $-0.7\,\rm{V}$

— 杰普
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您在第一段中似乎要描述的是一个PNP晶体管，您没有说。这也没有回答问题，因为那更多的是关于设备物理的。你从未解释多数载流子，孔等

— 奥林莱思罗普

@OlinLathrop，您可以编辑以改善问题，但基于已接受的答案，OP主要对运营差异感兴趣。

— 2011年

@OlinLathrop，我试图提高答案的可读性。正如Kortuk所说，我完全不相信OP对物理学感兴趣。

— 2011年

我看到问题在此期间发生了变化，或者可能已合并。我看到的最初问题确实询问了物理问题，并特别提到了多数载流子和空穴。

— 奥林·拉斯洛普

@Olin我检查了编辑历史记录，看来您看到的扩展问题是因为与OP无关的某人添加了。

— 2011年

NPN和PNP晶体管不同。电子比空穴更易移动，这意味着PNP不如NPN好。对于Si BJT，在击穿电压和真正的大功率方面，PNP类型落后。对于BC337 / BC327这样的通用设备，出于所有目的和目的，它们都是相同的，但是如果您想进行离线SMPS，则在1KW时它既不容易也不实用。对于锗来说，NPN应该更好，但事实并非如此。这是由于制造问题。AC127的性能不及AC128，AD161的性能不及AD162，是的，这些设备以匹配对的形式出售。电子与空穴迁移率之比是PNP与NPN接近程度的决定因素。对于SiC来说，情况要糟得多，因此人们可能会希望使用更便宜的PNP BJT，因此他们可能不会再制造它们。由于某些原因，PNP具有较低的噪声，因此它们在差分对输入级中受到青睐。高端驱动器芯片的丰富性证明PNP不如NPN。

— 自闭症
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+1用于突出显示电子与空穴之间的迁移率差异。空穴不是自由电子的“正当量”。对于乡亲不解此评论，请查看更多这里electronics.stackexchange.com/questions/199347/...

— 艾哈迈德

唯一的区别在于晶体管的功能。在接地（公共）发射极配置中，当提供PNP晶体管的基极电流时（或更实际的是-当基极连接到5v电源时），由于n区域中的多数载流子是电子，其运动为抑制了发射器和集电极之间没有形成路径，因此在发射器结处没有得到o / p。如果从晶体管去除基极电流，则在发射极和集电极之间形成虚拟路径，该虚拟路径对电子流提供一定的电阻，该电阻随后被基极电流（或电压）改变。如果在这种情况下，Vcc直接连接到集电极，并且发射极通过一个电阻（可能为10k）接地，则Vcc会出现一条直接路径出现在发射极结处。因此，如果在PNP情况下在发射极采用o / p，则该配置是反相器的配置，而在集电极处，该晶体管用作简单的开关或缓冲器。（这与NPN配置完全相反）。模拟软件，我无法显示图片。但是我希望这可以达到目的。

— 恩瓦德
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