Questions tagged «transistors»

恐怕这很基本，但是什么时候使用继电器，什么时候使用晶体管？在继电器中，触点会磨损，为什么还要使用继电器？

68 transistors  relay 

因此，有几种类型的晶体管： 北京电讯 场效应管 场效应管 将所有这些与每种特性（NPN，PNP，增强模式，耗尽模式，HEXFET等）结合起来，您将获得各种各样的零件，其中许多零件都可以完成相同的工作。哪种类型最适合哪种应用？晶体管用作放大器，数字逻辑开关，可变电阻器，电源开关，路径隔离，因此清单不胜枚举。我怎么知道哪种类型最适合哪种应用？我确信在某些情况下，一个比另一个更理想。我承认这里有一定的主观性/重叠性，但是我敢肯定，对于列出的每种晶体管类型（以及我遗弃的那些晶体管）最适合哪种应用类别已经达成了普遍共识？例如， PS-如果这需要是Wiki，那么如果有人想为我转换它就可以了

61 mosfet  bjt  transistors 

最近，我在汽车电路上做了一些工作。我看到汽车电路中使用了许多继电器。这些继电器用于简单的开关，我想知道为什么这些电路基于继电器而不是基于晶体管或其他可用于开关目的的电子组件。我认为晶体管比传统的El-mech继电器更便宜，更小且更可靠。 注意：在汽车应用中，使用12 V汽车电池为继电器的线圈供电，而继电器所切换的功率为12V。有时，继电器仅切换另一条信号线，即没有任何高功率负载。而且，我仍然看不到那里的晶体管。因此，我相信这样做的确有充分理由，我在这里一定会有所遗漏。:-)

58 transistors  relay  automotive 

在实验中，我仅将BJT用作MCU输出的开关（用于打开和关闭LED等）。但是，我一再被告知，对于开关来说，N沟道增强模式MOSFET是更好的选择（例如，请参见此处和此处），但是我不确定为什么会这样。我确实知道MOSFET不会在栅极上浪费电流，而BJT的基极会在栅极上浪费电流，但这对我来说不是问题，因为我没有依靠电池供电。MOSFET也不需要与栅极串联的电阻，但是通常不需要下拉电阻，因此在MCU重新启动时栅极不会浮空（对吗？）。这样就不会减少零件数量。 似乎没有太多的逻辑电平MOSFET可以切换廉价BJT可以切换的电流（例如，对于2N2222，约为600-800mA），而确实存在的（例如，TN0702）是很难找到，而且价格昂贵得多。 什么时候MOSFET比BJT更合适？为什么经常被告知我应该使用MOSFET？

57 microcontroller  transistors  mosfet  bjt 

我看过针对初学者的教程，提出了在没有足够电流驱动的情况下从某种东西驱动LED的方法是： （选项A） 但是为什么不这样： （选项B） 选项B似乎比选项A有一些优势： 组件更少 晶体管不饱和，导致更快的关断 LED中充分利用了基极电流，而不是使基极电阻发热 选项A的优势似乎很少： 使负载更靠近供电轨 但是，当Vcc明显大于LED的正向电压时，这无关紧要。因此，鉴于这些优点，为什么选择A选项呢？我忽略了什么？

52 led  transistors  driver  bjt 

下图中R2的要点是什么： 我知道R1控制着向基极的电流，但是R2做什么呢？

48 transistors  resistors  switches 

我了解到，在“饱和模式”下，BJT充当简单的开关。我在驱动LED之前就已经使用了此功能，但是我不确定我是否清楚地了解如何使晶体管进入该状态。 通过将Vbe升高到某个阈值以上，BJT是否会饱和？我对此表示怀疑，因为据我所知，BJT是电流控制的，而不是电压控制的。 通过允许Ib超过某个阈值，BJT是否会饱和？如果是这样，此阈值是否取决于连接到收集器的“负载”？是否仅仅因为Ib足够高而使晶体管的beta不再是Ic的限制因素而使晶体管饱和？

45 transistors  bjt  saturation 

我能在晶体管上找到的每一个参考文献都立即成为理论量大的字母汤。以上似乎也被认为是阅读数据表的知识。我不在乎；我只想找一个工作。 我知道施加到基极的电流/电压之间存在某种关系，以使特定电流从集电极流向发射极。数据表上哪些数字与此相关？如果我只想在“开关”模式下操作晶体管，我真的需要关心施加在基极上的电流是多少，或者只是在逻辑电平输出和晶体管基极之间插入一个1k电阻就可以了吗？ NPN和PNP晶体管之间唯一的区别是向基极施加电流时电流的流动方式吗？

45 transistors 

我已经创建了所示的电路。我使用的是9V电池（实际上扔掉了9.53V）和5V来自Arduino的电压，分别测试9伏和5伏。该晶体管是BC 548B（我正在使用的数据表在此处）。 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图 我进行了一些测试，更改了Rb和Rc的值，结果如下，但不知道它们是否正确。 9V Ref Rb Rc Ib (μA) Ic (mA) Beta 1 160k 560 50 15.6 312 2 470k 1.2k 18 6.15 342 3 220k 1.2k 41 7.5 183 4 180k 1.2k 51 7.5 147 5V Ref Rb Rc Ib (μA) Ic (mA) Beta 1 160k 560 …

43 transistors  bjt 

为什么这是AND门的标准 什么时候可以用两个FET和一个电阻制成？

41 transistors  logic-gates  computer-architecture 

我想是时候我了解MOSFET晶体管的工作原理了... 假设 我想通过MOSFET晶体管切换电阻负载上的电压。 -500V至+ 500V之间的任何控制信号都可以轻松生成。 图片中的晶体管模型并不重要，它们也可以是任何其他合适的模型。 问题＃1 哪些驾驶技术可行？我的意思是，这四个电路中的哪个电路可以正确应用控制信号？ 问题＃2 加载和卸载电阻器的控制信号（CS1，CS2，CS3，CS4）的电压电平范围是多少？（我知道必须分别计算开和关状态的确切边界。但是，我要求提供近似值以了解其工作原理。请提供诸如“ 在电路（2）中，当CS2低于397V时晶体管导通的语句）。并在高于397V时关闭。 ”。

40 transistors  mosfet  dc  control 

移动的薄膜或压电材料显然会产生声波，但是“纯净”的电路（如变压器或DCDC斩波器（及其他））如何经常会听到声音？材料在微观上是否随电流而膨胀和收缩？

39 transistors  transformer  noise  sound  speakers 

一直有人告诉我，理想情况下，运算放大器具有无限的输入阻抗。因此，当我查看LM741的晶体管级原理图时，当他们使用BJT而不是MOSFET时我感到困惑。 使用BJT是否会导致电流流入输入引脚？

39 transistors  operational-amplifier  physical-design 

我知道一个简单的CPU（例如Intel或AMD）可以消耗45-140 W的功率，并且许多CPU的工作电压为1.2 V，1.25 V等。 因此，假设CPU工作在1.25 V且TDP为80 W ...，它将使用64 Amps（很多安培）。 为什么CPU的电路需要超过1 A的电流（假设使用FinFET晶体管）？我知道大多数时候CPU处于空闲状态，而60 A都是“脉冲”，因为CPU有时钟，但是为什么CPU无法在1 V和1 A下工作？ 一个小型且快速的FinFET晶体管，例如：工作在3.0 GHz的14 nm需要多少安培（大约）？ 更高的电流会使晶体管更快地打开和/或关闭吗？

37 power  transistors  current  amperage  cpu 

围绕GaN晶体管进行了大量研究，证明它们具有非常低的导通电阻，低栅极电荷，并且在高温下非常有效。 那么，为什么我们仍然主要生产Si晶体管？即使GaN晶体管的生产成本更高，也一定要补偿它是否用于IC？

36 transistors  efficiency