Questions tagged «saturation»

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如何使NPN晶体管饱和?
我了解到,在“饱和模式”下,BJT充当简单的开关。我在驱动LED之前就已经使用了此功能,但是我不确定我是否清楚地了解如何使晶体管进入该状态。 通过将Vbe升高到某个阈值以上,BJT是否会饱和?我对此表示怀疑,因为据我所知,BJT是电流控制的,而不是电压控制的。 通过允许Ib超过某个阈值,BJT是否会饱和?如果是这样,此阈值是否取决于连接到收集器的“负载”?是否仅仅因为Ib足够高而使晶体管的beta不再是Ic的限制因素而使晶体管饱和?


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BJT晶体管如何在饱和状态下工作?
这是我对NPN BJT(双极结型晶体管)的了解: 基极-发射极电流在集电极-发射极处被放大了HFE倍,因此 Ice = Ibe * HFE Vbe是基极-发射极之间的电压,并且与任何二极管一样,通常约为0.65V。不过,我不记得了Vec。 如果Vbe低于最小阈值,则晶体管断开,并且没有电流通过其任何触点。(好的,也许有几微安的泄漏电流,但这无关紧要) 但是我仍然有一些问题: 晶体管饱和时如何工作? 除了Vbe低于阈值以外,是否可以在某些条件下使晶体管处于打开状态? 此外,请随时指出(在答案中)我在这个问题上犯的任何错误。 相关问题: 我不在乎晶体管如何工作,如何使它工作?


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防止高端BJT饱和
我正在使用BJT构建高速的(在BC847级晶体管上为10-20ns)数字“缓冲” /“反相器”。方案附后。 虽然我可以通过添加肖特基二极管来防止低端BJT饱和,但它不适用于高端。除了降低基极电阻的电阻,还有其他提示吗?
12 bjt  saturation 

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在设计电感器时,为什么要在芯材中留出空隙?
在某些情况下,与变压器磁芯不同,电感器的磁芯必须有一定的间隙。我了解变压器芯的原因;无需担心磁芯饱和,我们希望保持绕组电感尽可能高。 电感的公式为: L=N2AL=N21R=N2ℓcμcAc+ℓμ0Ac=N2Acℓcμc+ℓμ0L=N2AL=N21R=N2ℓcμcAc+ℓμ0Ac=N2Acℓcμc+ℓμ0 L = N^2A_L = N^2\dfrac{1}{R} = \dfrac{N^2}{\dfrac{\ell_c}{\mu_cA_c} + \dfrac{\ell}{\mu_0A_c}} = \dfrac{N^2A_c}{\dfrac{\ell_c}{\mu_c} + \dfrac{\ell}{\mu_0}} 并且,磁通密度的公式为: B=μNIℓ=NIℓμ=NIℓcμc+ℓgμ0B=μNIℓ=NIℓμ=NIℓcμc+ℓgμ0 B = \dfrac{\mu N I}{\ell} = \dfrac{N I}{\dfrac{\ell}{\mu}} = \dfrac{N I}{\dfrac{\ell_c}{\mu_c} + \dfrac{\ell_g}{\mu_0}} 哪里, NNN:匝数:总磁芯磁阻:因子:通过电线的电流:磁芯的磁导率:磁芯的平均磁路:间隙的长度:横截面积芯数:电感:磁通密度 RRR ALALA_LALALA_L III μcμc\mu_c ℓcℓc\ell_c ℓgℓg\ell_g AcAcA_c LLL BBB 从这两个公式中我了解到,间隙的长度以相同的比例影响磁通密度和电感。在设计电感器时,我们希望保持较低的磁通密度,以使磁芯不会饱和并且磁芯损耗保持较低。人们说,它们留出间隙是为了保持较高的磁阻,从而使磁芯中的通量减少,而磁芯则远离饱和区。但是,这样做也会降低电感。通过留出间隙,我们以相同的系数减小了磁通密度和电感。然后,除了留出间隙,我们还可以减少绕组的匝数。 留下有意义的间隙的唯一原因是增加设计参数的数量,以便最终获得更接近的最终电感值。我找不到其他原因可以留下空白。 是什么使得在设计电感器时不可避免地要留出空隙?

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如何防止运算放大器饱和?
如果反馈断断续续,如何防止运算放大器进入饱和状态? 例如,在该电路中(现实生活中问题的简化情况),运算放大器充当负载的电流源,但有时负载可能会断开。 断开负载后,运算放大器输出将进入正轨,并且运算放大器将进入饱和状态。重新连接负载后,运算放大器将花费额外的时间来开始调节电流,然后转换到预期的电流设定点。根据运算放大器的不同,从饱和状态恢复的时间可能会很长。流经负载的电流是该时间段内的最大电流(哎呀)。 在这种情况下如何避免饱和?反馈网络是否还有其他组件可以做到这一点?也许某种输入或输出限幅电路?是否有运放会使用内置电路从本质上限制其输出(或输入)电压,使其远离电源轨?
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