Questions tagged «inductive»

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正确在电动机或晶体管两端使用反激或缓冲二极管吗?
从一些示意图中可以看到,在晶体管CE端子之间放置了反激或缓冲二极管(右配置),而不是通常在线圈端子之间放置了反激(左配置)。 其中哪些是“正确的”?还是每个人都有各自的目的? 需要注意的是,这些二极管通常列为外部1N400x型二极管(在TIP120 Darlingtons上),而不是BJT或Mosfet的内部二极管。 最后一点,我看到了一些示意图,其中有两个二极管,一个跨线圈,另一个跨CE端子。我认为在那种情况下只是冗余而没有真正影响电路,这是一个错误的假设吗? 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 何时/为什么要使用齐纳二极管作为续流二极管(在继电器线圈上)的答案?通过在上方左侧配置中显示一个常规二极管,在右侧配置中显示一个齐纳二极管,对此进行了细微的介绍。它并没有说相反的说法不正确(或为什么),那么作为第二部分,齐纳二极管能否在左侧配置下工作,而普通二极管在右侧配置下工作?如果是这样,它将如何改变其运作方式?

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如何为驱动感性负载的螺线管继电器设计RC缓冲器?
我了解到需要抑制驱动感性负载的开关,而RC对似乎是最好的(最便宜的)选择。我有一台大型交流感应电动机(用于制冷剂压缩机),该电动机由电磁继电器切换(大约每30分钟一次)。电机规格如下: 功率:1500W(输入功率作为对瓦特表读出。) 最大。电流:10A 额定电压:230VAC / 50Hz。 我遇到了这样的解决方案: 如何选择合适的缓冲器?一个非常常见的组合似乎是0.1uF-120Ohm。但是我无法证明这一点。 它应该与开关或负载并联吗?

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BJT晶体管如何在饱和状态下工作?
这是我对NPN BJT(双极结型晶体管)的了解: 基极-发射极电流在集电极-发射极处被放大了HFE倍,因此 Ice = Ibe * HFE Vbe是基极-发射极之间的电压,并且与任何二极管一样,通常约为0.65V。不过,我不记得了Vec。 如果Vbe低于最小阈值,则晶体管断开,并且没有电流通过其任何触点。(好的,也许有几微安的泄漏电流,但这无关紧要) 但是我仍然有一些问题: 晶体管饱和时如何工作? 除了Vbe低于阈值以外,是否可以在某些条件下使晶体管处于打开状态? 此外,请随时指出(在答案中)我在这个问题上犯的任何错误。 相关问题: 我不在乎晶体管如何工作,如何使它工作?

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感应充电
我用Arduino Mega构建了一个小型的三轮机器人来驱动东西。我希望尽可能地保持该机器人的移动性,而无需与之交互进行充电等。 目前,我使用的是普通AA电池作为电源。我想用合适的充电电池和某种充电电路代替它。 所以我有两件事。 有关充电电路的信息。我觉得我在寻找错误的东西,没有想出任何有用的东西。 感应充电。我真的很希望能够将机器人停在充电基座上,然后放到那里,待完成后再将其从基座上驶下。我能找到的大多数文章都说要为此拆开电动牙刷。但是我很想自己做。

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为什么我的MOSFET驱动器在此H桥中烧断了?
我建立了一个分立的H桥电路,以运行一个强劲的12V挡风玻璃刮水器电动机。电路如下(编辑:此处查看较大的PDF,StackExchange似乎无法扩展图像): RM:此处查看较大的imgur图像 -这些由系统保存,但仅以小尺寸显示。也可以通过“在新标签页中打开图像”进行访问 提起电路板,我从100%占空比(非PWM)模式开始,发现它可以工作,因此我开始对低端N沟道MOSFET之一进行PWM。这似乎还不错,尽管由于感应尖峰导致桥的PWM侧的高端肖特基产生明显的发热。 然后,我开始对高侧和低侧MOSFET进行PWM,以更有效地消除电感尖峰。这(也可能有过多的停滞时间)似乎运行良好,并且顶部二极管保持冷却。 但是,在使用开关运行了一段时间以改变实时占空比之后,我将速度从大约2降低了。从95%的占空比提高到25%,这是我之前做过的几次。但是,在这种情况下,突然出现突然的大电流汲取,并且TC4428A MOSFET驱动器烧断了。 这些是自爆的唯一元件-MOSFET本身很好,所以我排除了任何穿通布袋的可能性。到目前为止,我最好的解释是过量的感应反冲,或者(很可能)来自电动机的再生功率过慢,导致电源无法处理。TC4428A在电桥内具有最低的额定电压(18V,绝对最大22V),我认为电压上升得太快太快了。 我用一块老式的线性台式电源在该板的12V端供电,在该板和板之间有较长的引线。我认为这并不能真正消除电压上升。 对于MOSFET的动态负载,我认为TC4428A不会过载。我当时以相对较低的速度(约2.2kHz)进行PWM,而MOSFET本身的栅极总电荷并不特别高。它们似乎在运行期间保持凉爽,此外,尽管仅驱动器B被脉宽调制,但A和B驱动器还是自爆。 我的假设看起来合理吗?还有其他我应该看的地方吗?如果是这样,是否在电路板上随意散布一些坚固的TVS二极管(在电源输入上和电桥输出端子之间)是解决过压情况的合理方法?我不确定是否要切换到制动电阻器类型的设置(这只是一个“很小的” 2.5A左右的12V齿轮电动机...)。 更新: 我在12V电源端子(SMCJ16A)上放置了1500W TVS 。这似乎将制动期间的过压钳位到了20V以下(这显示了电源电压;在MOSFET栅极和0V之间看到了相同的波形): 它不是很漂亮,并且可能仍然太高(SMCJ16A的钳位电压在最大电流为57A时为26V,而我们的TC4428A的绝对最大值为22V)。我已经订购了一些SMCJ13CA,并将在电源上放置一个,在电动机端子上放置一个。我担心,即使有了强大的1.5kW TVS,它也不会持久。您会发现它似乎在80ms左右的时间内保持钳位,这对于TVS来说是很长的时间。也就是说,它似乎保持凉爽。当然,在轴上有实际负载的情况下……也许我毕竟可能正在实施开关制动电阻器解决方案。

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反激二极管的使用
甲回扫二极管通常用来消除突然电压尖峰时跨电感性负载电流降低。这些二极管可以在继电器,电机或MOSFET的附近找到。 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图 强制使用反激二极管来保护电路,尤其是对压降较弱的部件。这里的第一个问题: 反激二极管保护电路或电感负载吗? 在某些电路中,我看到了一个齐纳二极管,而不是经典二极管。 为什么在此电路中需要它? 反激二极管旨在减少电压尖峰的影响。标准之一可能是这些尖峰的范围。最后一个问题 : 还有其他标准来选择正确的零件吗?

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如何跟踪正在移动的烤箱门的运动
在工作中,我们正在测量各种参数以测试新设计的烤箱原型。为了使事情更有效率,我正在尝试创建一个电子装置来自动执行测量,尤其是对门的运动(从完全打开到完全关闭)进行测量。 目的是在门的各个运动点上测量门的瞬时速度,这是一条固定的径向路径。请注意,相对于仅通过计时确定的平均速度,重点是瞬时速度记录。 我怎样才能以合理的精度测量烤箱门的速度/跟踪其运动?(合理的隐含误差<1-2 cm / s) 由于它仅是固定的径向运动(并且没有沿着任何其他轴的分量),并且由于存在运动的分量和静止的分量,因此我认为这比测量像人或手。 我的第一个想法是基于加速度计-陀螺仪-IMU的方法,即随着时间对加速度进行积分以获得速度,但是对此主题的阅读表明这将导致相当大的误差。

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为什么短距离无线能量传输效率如此低?
Wikipedia和许多其他来源援引有关Magne Charge大功率感应充电系统的以下陈述: 例如,Magne Charge系统采用高频感应以86%的效率提供高功率(从7.68 kW的功耗中获得6.6 kW的功率)。 Wikipedia上有关感应充电的文章在该声明附近有一个引文,但它导致了Magne Charge用户手册,该手册不支持该声明的“功耗”部分,并且不提供有关能量损失位置的任何详细信息。 现在,像Magne Charge这样的系统具有两个非常大的线圈-与Magne Charge一起使用的车载“耦合器”直径约为100毫米,并且它们彼此非常靠近,并且在充电过程中平行排列。没有长距离的能量传输。这看起来像是一个普通的老式变压器(但还带有空心),而且我从未听说过7千瓦的变压器在转换中会浪费多达14%的能量-耗散约1千瓦的电力会使变压器熔化。 “ 86%的效率”要求有多现实?造成如此巨大损失的原因是什么?
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