BJT晶体管如何在饱和状态下工作？

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这是我对NPN BJT（双极结型晶体管）的了解：

基极-发射极电流在集电极-发射极处被放大了HFE倍，因此 Ice = Ibe * HFE
Vbe是基极-发射极之间的电压，并且与任何二极管一样，通常约为0.65V。不过，我不记得了Vec。
如果Vbe低于最小阈值，则晶体管断开，并且没有电流通过其任何触点。（好的，也许有几微安的泄漏电流，但这无关紧要）

但是我仍然有一些问题：

晶体管饱和时如何工作？
除了Vbe低于阈值以外，是否可以在某些条件下使晶体管处于打开状态？

此外，请随时指出（在答案中）我在这个问题上犯的任何错误。

相关问题：

我不在乎晶体管如何工作，如何使它工作？

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— DenilsonSáMaia
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相关阅读：electronics.stackexchange.com/questions/254880/...，electronics.stackexchange.com/questions/254391/...

— Incnis MRSI

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饱和仅表示基极电流的增加导致集电极电流没有（或很小）增加。

当BE和CB结都正向偏置时，就会发生饱和，这是器件的低电阻“导通”状态。可以从Ebers-Moll模型预测包括饱和在内的所有模式下的晶体管特性。

— 莱昂·海勒
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为什么？来源？

— 2011年

但是当BE和BC都正向偏置时...基极电流必须为集电极和发射极提供电流...即Ib = Ic + Ie，因此基极变化必须影响Ic的变化...基极如何隔离（精益求精）操作中的收集器

— Wupadrasta Santosh

@Kortuk：请看electronics.stackexchange.com/questions/254391/…，这是相关的。

— Incnis Mrsi

@IncnisMrsi-感谢您的分享。我实际上是在试图促使莱昂加入参考文献的更详尽答案。它是在我们试图提高答案质量的时候设计的。

— Kortuk '16

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$I_{CE}$ $I_{BE} \times h_{FE}$ $I_{CE} \lt I_{BE} \times h_{FE}$ $I_{BE} \gt I_{CE} \mathbin{/} h_{FE}$

由于NPN的集电极会像电流吸收器一样工作，并且在饱和状态下，外部电路不会提供尽可能多的电流，因此集电极电压将尽可能低。饱和晶体管的CE通常约为200mV，但由于晶体管的设计和电流的不同，其变化也可能很大。

饱和的一种假象是晶体管将缓慢关闭。基地中还有多余的“未使用”费用，需要一些时间才能耗尽。这不是很科学，只是粗略地描述了半导体物理学，但这是一个足够好的模型，可以作为一阶解释留在您的脑海中。

一件有趣的事是，饱和晶体管的集电极实际上低于基极电压。这在肖特基逻辑中很有用。从基极到集电极，肖特基二极管集成到晶体管中。当集电极接近饱和时，当集电极变低时，它将窃取基极电流，从而使晶体管处于饱和边缘。由于晶体管未完全饱和，因此导通状态电压会稍高一些。优点在于，由于晶体管处于“线性”区域而不是处于饱和状态，因此它使截止跃迁更快。

— 奥林·拉斯罗普（Olin Lathrop）
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$h_{FE}$ $V_{CE}$ $V_{CEsat}$ $0.2\mathrm V$ $I_C$ $I_B h_{FE}$ $V_{CE}$ $V_{CEsat}$
如果没有电流通过，为什么还要担心BJT处于打开状态？就像打开水龙头时没有水龙头：D

— 斯蒂夫
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我为什么在乎？好吧...我正在学习，并且正在尝试了解它们的工作原理。:)

— DenilsonSáMaia

从理论上讲:)因为SAT表示两个结点都正向偏置，所以如果您强行施加B，C和E电压来达到这种条件，并且不施加电流，则SAT BJT将没有电流。我知道它没有任何类型的应用程序..

— STEF

-3

连接发射极电阻意味着晶体管将达到饱和，但是基极电阻和集电极电阻将保持不变。为电池绘制电路并计算基极电流，则将获得良好的结果。

— 萨米尔·库马尔·塞西
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