Questions tagged «integrated-circuit»

集成电路(IC)是建立在单片半导体材料(通常为硅)上的电子电路。现代IC可能包含数十亿个晶体管,它们在现代电子系统的小型化和性能改进中发挥了重要作用。

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PCB上的黑色斑点是什么样的组件?
在低成本的批量生产产品中,我经常遇到黑色斑点,这些斑点看起来像是直接施加在PCB板上某物上的树脂。这些东西到底是什么?我怀疑这是某种定制IC,它直接布置在PCB上以节省塑料外壳/连接器插针。这个对吗?如果是这样,该技术称为什么? 这是便宜的数字万用表内部的照片。黑色斑点是唯一存在的非基本电路,以及运算放大器(顶部)和单个双极结型晶体管。

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为什么我的电路对电波动如此敏感?
我最近完成了在初学者的电子书中展示的电路的制作。我在下面列出了我的创作图片,因为我认为它可能与问题相关。 在构建过程的开始,说明中指定了添加“平滑的” 100微法拉电容器的位置,该电容器应放置在电源电缆与电路板连接的位置。我决定不打扰该步骤,因为我使用的是优质电源,所以我认为我不需要那个“平滑”电容器(大错误)。 不久之后,我开始经历怪异且莫名其妙的奇数电路行为,经过大量的故障排除且一无所获之后,我想到在电路中增加平滑电容器。当我将电容器添加到电路中后,问题就消失了,但是我发现自己想知道这种电容器有多么重要,因为我的电路仅使用了50毫安的总功率,而我认为这是合理的电源(Rigol DP832)。 为了使事情变得更有趣,我决定将平滑电容器从电路板的中心移到电路板的一端,令我惊讶的是问题再次出现。为什么仅仅通过将电容器放置在电路板上的不同位置而产生如此大的差异? 我决定添加一个功能更强的8200微法拉电容器(是前一个电容器的82倍),以为这将解决我所有的问题,但令我惊讶的是,那仍然无法解决问题。实际上,我不得不将电容器移回板的中心,以使情况恢复正常。 这不是唯一的问题,即使电容器处于“完美放置”状态,我也尝试使用来自电路的相同功率为小型机械继电器供电,并且每次继电器触发我的电路都会“重启”。 所以问题是,是否所有电路都对最小的电波动变化敏感?还是由于我的电路原型设计技巧低下和面包板效率低下而导致的问题? 该电路中使用的IC为: NE555P(精密计时器)。 CD4026BE(CMOS十年计数器/分频器)。

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集成电路是如何制造的?
从头到尾如何制造集成电路(例如微处理器)?例如,必须存在一些与电阻器,电容器的连接线,以在现场存储能量(位),晶体管等。 怎么做?构建集成电路需要哪些机械和化学过程?

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我可以切割IC吗?
据我了解,DIP封装的管芯位于中心,其余的只是引线框。鉴于我有未使用的引脚,是否可以切割该微控制器的顶部(ATmega16 / 32)?之后它仍然可以运行吗? 编辑:谢谢你的所有答案。我已经意识到,切割IC是一个微妙的过程,并且存在损坏芯片的高风险。但无论如何,我都做到了,剪钳工作了。我决定选择3个较低的引脚而不是较高的引脚,因为它们离ISP连接器更远。这是最终结果的照片(我的新DIP-34包工作正常):

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为什么微控制器的RAM这么少?
也许这更多是一个感知问题,但是在过去的20年中,微控制器似乎在飞跃发展,几乎在所有方面,更高的时钟速度,更多的外设,更容易的调试,32位内核等。 看到RAM以10的KB(16/32 KB)为单位仍然很常见。 看来这可能不是直接影响成本或规模的问题。RAM控制器超过某个阈值是否会带来复杂性问题? 还是只是通常不需要它? 在一个受欢迎的互联网供应商的零件矩阵上,我看到一个256 KB的Cortex M4不到8美元,然后再花几美元,您可以找到更多没有ROM的东西,但是看起来很稀疏... 我完全不需要具有MB易失性存储的微控制器,但似乎有人可能会...


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什么是“ DIE”软件包?
在IC的名单,与熟悉的包名,如沿QFN32,LQFP48等等,我见过被列为几集成电路DIE的封装尺寸。我之前从未见过这种描述作为IC封装的大小,并且Wikipedia也没有列出它。 会是什么 我以为这是某种芯片级封装,但是它没有揭示硅的尺寸或任何其他特性,例如引脚数等。


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为什么我们需要那么多晶体管?
晶体管在电路中具有多种用途,例如开关,用于放大电子信号,使您可以控制电流等。 但是,我最近在其他随机互联网文章中读到了摩尔定律,即现代电子设备中装有大量的晶体管,现代电子设备中的晶体管数量约为数百万甚至数十亿。 但是,到底为什么有人会需要那么多晶体管呢?如果晶体管用作开关等,为什么我们的现代电子设备中需要如此之多的晶体管呢?我们是否无法使事情更有效率,以致我们使用的晶体管比目前使用的晶体管少?

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IC上多个GND和VCC的原因
大多数IC(例如MCU)具有多个(A / D)GND和(A)VCC引脚的原因是什么? 如果要提高IC的性能,对性能有何帮助?还是IC设计人员更容易在外部连接一些引脚? 在这种情况下,某些占位面积的IC具有GND连接,这有什么帮助?如果在不使用外壳的情况下画一个GND,是否会提高IC的性能?

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闪存IC上的奇怪标记-这些工厂拒收吗?
我最近购买了一个非常非常便宜的SSD(25.99美元),出于好奇,我突然打开了机箱。 闪存芯片的零件编号上刻有条形,这是我以前从未见过的。 这是将切屑标记为不合格品的标准方法吗? 编辑:我买了其中两个放入RAID-1,因为我不太信任它们,而另一个有相同的标记: 尽管标记相同,但该笔使用的是微米闪光灯。 在这一点上,我只能认为这是隐藏闪存部件号的一种非常非常无效的尝试吗? 微米部分是MT29F128G08CBECBH6-12:C,这是16GB的部分,因此有64 GB的原始存储。 其他部件是“ Spectek”品牌的,显然是我从未听说过的微米子公司。它们似乎是FBNL95B71KDBABH6-10AL,也是16 GB的部分。 编辑: 第一个驱动器sudo badblocks -b 4096 -c 4096 -s -w /dev/sdm没有错误地通过,因此显然容量是真实的,并且它们至少适合一次写入。 编辑编辑: 更正:badblocks是我的el-cheapo USB-sata适配器崩溃了,还是确实有一些问题。 编辑编辑编辑: 好的,badblocks在驱动器上运行似乎使磁盘非常混乱。这是SMART报告: durr@mainnas:/media/Storage/badblocks⟫ sudo smartctl /dev/sdm -a smartctl 6.2 2013-07-26 r3841 [x86_64-linux-3.13.0-79-generic] (local build) Copyright (C) 2002-13, Bruce Allen, Christian Franke, www.smartmontools.org === START OF INFORMATION …

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未使用的IC引脚的一般“经验法则”
这有点类似于关于NC引脚的问题。如果数据表中未指定如何处理未使用的IC引脚,那么建议如何使用这些引脚?我特别考虑的是AT32UC3C微控制器的GPIO引脚,但更普遍的是其他类型的IC(例如,多运算放大器IC)。 我可以想到一些可能的组合: 提供一个焊盘/孔,以便固定芯片,但使引脚悬空。 将引脚接地(可通过电阻器/电容器/等) 将引脚连接到电源 我想不到的东西

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为什么现代的数字时钟会依靠电源频率?
我在军队中,驻扎在非洲吉布提。我们在基座上产生240V / 50Hz的功率,但是有些建筑物也有120V的插座,我认为这是在基座上其他地方(可能在柴油发电站)进行了转换的。我还假设它也是50Hz(见下文)。 我们刚收到一个带有120V插头和时钟/计时器的新咖啡壶: 经过两天的时间设置,希望在上班时可以喝杯热咖啡,然后发现显示屏上的时间不正确,我意识到由于电源电压为120V /,时钟可能慢了5/6。 50Hz,而不是60Hz。一点时间证实时钟确实每小时慢十分钟。 我本以为内部时钟将是一个简单的石英时钟,它以整流的直流电为源,但是(我认为)不会影响晶体的频率。那么,我猜测时钟是一个不同的A / C电路。 是否有理由(成本?)时钟依赖于60Hz信号?

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为什么要串联两个非门?
最近,我一直在查看74HC139 IC 的数据表,以查看它是否适合我的项目,并且遇到了以下逻辑图,这使我感到有些奇怪: 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图 对于每个输入Yn,在三输入与非门之后有两个非门。我不明白为什么这是必要的,因为简单的布尔逻辑告诉我们: 一种¯¯¯¯¯¯¯¯≡ 一∀ 甲∈ { TRUE ,FALSE }一种¯¯≡一种∀一种∈{真正,假}\overline{\overline{A}}\equiv A\qquad \forall A \in \{\text{TRUE}, \text{FALSE}\} 因此,我假设有一些基于电子的原因,为什么在输出之前有两个逆变器?我之前没有听说过称为反相缓冲器的门,并且据说这些门在电路之前和之后都将其隔离,但是,我不能声称理解其用法,因此,希望能对您有所启发!

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如果在+5 V之前连接+12 V,为什么会破坏Intel 8080芯片?
英特尔8080是1974年发布的经典微处理器,使用增强模式NMOS工艺制造,并显示了与此工艺相关的各种独特特性,例如需要两相时钟和三个电源轨:-5 V, +5 V和+12V。 在Wikipedia 的电源图钉描述中,它说 引脚2:GND(V SS)-接地 引脚11:-5 V(V BB)--5 V电源。必须连接第一个电源,最后一个断开电源,否则处理器将被损坏。 引脚20:+5 V(V CC)-+ 5 V电源。 引脚28:+12 V(V DD)-+12 V电源 这必须是最后连接的电源,也是第一个断开的电源。 我交叉引用了原始数据表,但信息有点矛盾。 绝对最大值: 相对于V BB(-5 V)的V CC(+5 V),V DD(+12 V)和V SS(GND ):-0.3 V至+20 V. 即使在未连接时V BB为0 V,V DD也将为+17 V,并且不应超过绝对最大值。在Wikipedia上最初声称如果在+5 V正确之前连接+12 V会破坏Intel 8080芯片吗? 如果正确,那么执行此操作的确切失败机制是什么?如果先施加+12 V而没有-5 V,为什么会损坏芯片?我怀疑它一定与增强模式NMOS工艺有关,但我不知道半导体如何工作。 您能解释一下如何在Intel 8080内部实现电源吗?在使用相似工艺制造的同一时代的其他芯片中是否存在问题? 另外,如果我需要为Intel 8080设计电源,比如说使用三个稳压器,那么如果+12 …

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