Questions tagged «theory»

理论是抽象或概括性思维或这种思维的结果的一种沉思和理性类型。根据上下文

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陶瓷盖与电解盖。使用上有什么明显区别?
快速浏览一下Google,我似乎能找到的只是人们在谈论电容器的物理和化学性质,而不是这如何影响使用哪种电容器。 在避免谈论其组成的差异以及在电解电容中发现的更大容量时,驱动应用哪种类型电容器的主要思想是什么? 例如,为什么我看到它建议使用陶瓷电容对每个微处理器进行电源去耦,而对每个板使用更大的电解电容器呢?为什么不使用电解材料?

3
噪声以及V /√Hz的实际含义是什么?
(运算放大器)数据表中的噪声系数以V /√Hz表示,但 这个单位来自哪里?为什么是平方根?我该怎么发音? 我应该如何解释? 我知道越低越好,但是将噪声系数加倍也会使示波器的迹线宽度加倍吗? 这个值对计算信噪比有用吗?还是我可以用这个数字进行有趣的计算? 噪声是否总是以V /√Hz表示?

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为什么微控制器的RAM这么少?
也许这更多是一个感知问题,但是在过去的20年中,微控制器似乎在飞跃发展,几乎在所有方面,更高的时钟速度,更多的外设,更容易的调试,32位内核等。 看到RAM以10的KB(16/32 KB)为单位仍然很常见。 看来这可能不是直接影响成本或规模的问题。RAM控制器超过某个阈值是否会带来复杂性问题? 还是只是通常不需要它? 在一个受欢迎的互联网供应商的零件矩阵上,我看到一个256 KB的Cortex M4不到8美元,然后再花几美元,您可以找到更多没有ROM的东西,但是看起来很稀疏... 我完全不需要具有MB易失性存储的微控制器,但似乎有人可能会...

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是否有双变压器?
电容器和电感器是彼此的对偶。 变压器由两个电感器组成,并通过互感,通过电磁近场(对吗?)来传输功率。此外,您可以通过改变铁心的匝数比来改变电压或电流的比值。您可以认为这是将单个主回路与许多次级回路耦合在一起,然后堆叠次级回路,以便对它们的输出电压求和。 变压器有双电吗?是否使用电容并通过隔离栅上的电近场传输功率?将单个初级电容器与多个次级电容器耦合,然后将它们叠加以通过累加其输出进行功率转换的某种方法? 我知道可以使用两个电容器来建立隔离电源,但是我不确定这是否是双重电容器,或者是否等效于调整匝数比: 资源 或者与此有关的东西? 资源 例如,有电容性分压器,但是它们只能降低电压,不能像自耦变压器那样增加电压。有电荷泵,但那些电荷泵需要有源元件,例如开关或二极管,它们不存在于变压器中。 更简洁地说:是否有一种方法可以使用电场而不是磁场和仅使用无源组件来将功率(原边的1 V,5 A转换为5 V,原边的1 A)? 如果没有,为什么不呢?(电场筛选?)

3
为什么Nyquist数据速率低于Shannon数据速率?
在《计算机网络》一书中,作者讨论了通道的最大数据速率。他提出了奈奎斯特公式: C = 2H log V(位/秒)22_2 并举例说明电话线: 无噪声的3 kHz通道无法以超过6000 bps的速率传输二进制(即两级)信号。 然后,他解释了香农方程: C = H log(1 + S / N)(位/秒)22_2 并再次给出电话线的示例: 带宽为3000 Hz且信噪比为30 dB(电话系统模拟部分的典型参数)的信道传输的速率永远不会超过30,000 bps 我不明白为什么奈奎斯特速率要比香农速率低得多,因为香农速率会考虑到噪声。我猜他们不代表相同的数据速率,但本书没有对此进行解释。
26 theory  sampling 

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电压的U从哪里来?
我相信在欧洲,字母U通常用于(例如)欧姆定律电压。我想我了解字母V的来源,该字母通常在北美使用。但是U的故事是什么?ü= 我× Rü=一世×[RU = I × R
22 theory  ohms-law 

7
当人们谈论设备“汲取”电流时,它们是什么意思?为什么有负载的设备“消耗”更多电流?
在我的(非常初级的)理解中,电路中流动的电流量取决于a)电阻,以及b)电源电压(从头到尾的电压),迫使电荷流过。 那么,为什么人们谈论一种装置,例如在电动机遇到重力时“汲取”额外的电流?如果有的话,我希望这会增加电路中的电阻,从而减少流过的电流。电路中的负载有多少电荷被迫说呢?如何吸引更多人? 或者:我对这些交互的理解在哪里有缺陷?:)

5
从理论上讲,是否可以制造一个使用零电流的逻辑门?
CMOS大大降低了IC的电流消耗,因为其中一个互补FET始终处于非导电模式,因此在状态之间的过渡期间只有电流流动,这仅仅是栅极等效电容和当两个闸门都暂时打开时,可能有些泄漏。 从理论上讲,是否可以使逻辑门在改变状态时(使用任何现实的技术)具有零泄漏,并且信号随电压的变化而引起电压的其他变化而通过电路?如果没有,理论上的最小值是多少?
18 current  cmos  energy  theory 

6
电气设备是否“满足了需求”
我很难理解的一种电子概念是,电动机,执行器,螺线管等之类的设备是否使用了所需的功率或您提供的功率。 如果电动机需要12伏500ma,而我给它提供12伏3000ma,它只会消耗500ma吗?另外,如果我给它提供15V和500ma,会发生什么? 当需要/使用电力时,LED和DC电动机的方式似乎有所不同,因为必须完全调节LED,而(我假设)DC电动机则不需要。 我的理解错了吗?

7
为什么LED具有最大电流?
因此,我了解LED的最大电流(例如20mA),但从科学上讲,这是为什么呢? 使用水的类比,似乎高压会使东西弄乱(我喜欢认为它就像是大量的“压力”吹出管道或其他东西一样)。为什么一定数量的电子流会损坏某些东西?
14 led  theory  physics 

5
RC微分电路说明
这是基本的RC微分器的电路,具有输入/输出电压波形。 首先,我不明白为什么只要电源仍然打开,输出电压就会降低(电容器的电荷放电)。 其次,我不明白为什么电阻两端的电压会降至负值。 我知道这是一个简单的问题,但请帮助我理解此基本电路-谢谢。

1
串行电阻实际上如何降低EMI?
我最近正在使用基于GSM的系统,并且GSM模块的数据表中有以下建议: 模块和SIM卡之间应串联连接22Ω电阻,以抑制EMI杂散传输并增强ESD保护。 我尝试进行一些搜索,然后找到了文档《降低EMI的PCB设计准则》,其中有类似的说法,但没有任何解释。 在每个输出引脚上串联一个50 –100Ω的电阻,在每个输入引脚上串联一个35 –50的电阻。 另一部分说: (串联终端,传输线) 串联电阻是解决端接和振铃问题的一种廉价解决方案,并且是基于微机的系统的首选方法,在该系统中,最小化差模噪声也是一个问题。 还有一个可能相关的部分: 输入端的阻抗匹配 以及串联电阻都是最可能的解决方案。如迹线和输入引脚所示,驱动器上的电阻会增加输出阻抗,从而匹配输入的高阻抗 我在本文档中也发现了一些东西,“ 了解辐射EMI”说: 增加串联电阻?可能有帮助-较少的电流(好电流和坏电流)流过高阻抗-可以通过减少流过IC的电流来降低EMI 总而言之,我需要对该主题进行一些澄清,所以我的问题是: 串行电阻器如何实际降低EMI,原理是什么?

3
需要关闭电源的磁铁?反向线圈?
我从未听说过这样的事情。但这确实符合我的需求。 我正在发明一种设备,在设备运行期间,它应该能够随时(用永磁体)捕获铁物体。该设备应该是可移动的,因此使用电感器会真正减少操作时间。 但是设备还必须能够关闭该字段,以便物体可以掉落。 我只能想到一个概念:将电感器放置在永磁体后面,以便在打开电感器时,其磁场将抵消磁体的永磁体。 如您所见,这是我尝试绘制一个连接到永磁体的线圈(绝缘体位于两者之间)。当线圈导通时,它应产生与磁铁产生的磁场相反的磁场。 这可能吗?有更好的把戏吗?
10 magnetics  theory 

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控制理论如何应用于我的实际处理器控制的升压转换器?
我对控制理论的了解有限。我在学校处理零极点和转移函数。我已经为DC / DC转换器实现了几种基于微处理器的控制方案。这两件事如何相互关联,我还想弄清楚,我很想知道。以反复试验为基础的设计是可行的,但我更希望对自己在做什么以及后果有更深入的了解。 答案应该集中在如何分析系统上,而不是在如何改进它上。就是说,如果您有改进系统的建议,并希望给出分析原因,那就太好了!只要改进是分析的第二要务。 对于这个问题,我的示例系统是: C1:1000uF C2:500uF L1:500 uH 开关频率:4 kHz R1:可变 输入电压:400伏 输出电压目标:500伏 输出电流限制:20安培 我正在尝试调节输出电压,而不超过输出电流限制。我具有电压和电流检测功能,这些电压和电流检测功能经过各个放大阶段,目前还没有进行分析,但确实包含一些滤波功能。随后是直接在A / D转换器上的100欧姆和1000 pF的RC低通滤波器。A / D采样率为12 kHz。该值通过最后64个采样的单极IIR移动平均滤波器。 之后,我有两个PI循环。首先,电压环路。以下是伪代码,其值缩放为伏特,毫安和纳秒。假设边界检查在其他地方正确实现。如果没有积分项,这些循环的结构将根据最大允许下垂定义P,然后定义积分项,以使最大积分器可以准确补偿该下垂。INTEGRAL_SPEED常数确定积分器加速的速度。(在我看来,这是确保P和我的收益始终保持适当平衡的一种合理方法,而不管我如何设置常数,但我愿意接受其他建议。) #DEFINE VOLTAGE_DROOP 25 #DEFINE VOLTAGE_SETPOINT 500 #DEFINE MAX_CURRENT_SETPOINT 20000 voltage_error = VOLTAGE_SETPOINT - VOLTAGE_FEEDBACK current_setpoint = MAX_CURRENT_SETPOINT * voltage_error/VOLTAGE_DROOP #define VOLTAGE_INTEGRAL_SPEED 4 voltage_integral += voltage_error/VOLTAGE_INTEGRAL_SPEED //insert bounds …

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E和B场与电磁辐射同相吗?
我最近写了这个答案,我说: 无线电波是电磁辐射。电磁辐射包含两种成分,一种是电的,一种是磁的。如上所述,这些组件彼此创建。红色磁场产生蓝色电场,蓝色电场产生下一个磁场,依此类推。 我从维基百科获得了这张图,但是我的物理书和吉姆·霍金斯WA2WHV给出了相同的图。 在评论中,进行了如下讨论: Olin Lathrop:您的第一个图表是错误的。B和E字段实际上彼此相差90度,而不是如图所示。能量不断在E和B场之间来回晃动。 基兰:确定吗?维基百科和我的物理学书显示出不同。我认为,这两个领域应该有一个固定的比率,而异相不可能发生。一个场是水平的,另一个场是垂直的,有一个90度角-该图试图显示三个维度。 Olin Lathrop:嗯。我一直都知道它们是正交的,但我现在没有时间去看。这可能是一个坏图被其他很多图盲目复制的情况。当图中两个字段都为0时,能量在哪里?正交时,每个场的振幅的平方和是一个常数,这很好地说明了能量如何持续存在。它在两个字段之间来回移动,但总和始终相同。 我遵循奥林(Olin)的逻辑,不能说自己为什么要在领域上保持一致。所以我的问题是:电磁辐射的E场和B场是否同相?怎么能理解这一点?

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