Questions tagged «transistors»

我正在寻找从Arduino 驱动电磁门锁。我发现了一个关于从Arduino驱动螺线管的问题，其中包括一个看起来很适合这种情况的电路： 我不明白的是如何为工作选择MOSFET。如果我知道我的逻辑电平，设备电压和设备电流，我应该寻找什么属性？ 在这种情况下，它是5V逻辑，负载工作在12V / 500mA，但是很高兴知道一般规则。

35 arduino  microcontroller  transistors  mosfet 

晶体管在电路中具有多种用途，例如开关，用于放大电子信号，使您可以控制电流等。 但是，我最近在其他随机互联网文章中读到了摩尔定律，即现代电子设备中装有大量的晶体管，现代电子设备中的晶体管数量约为数百万甚至数十亿。 但是，到底为什么有人会需要那么多晶体管呢？如果晶体管用作开关等，为什么我们的现代电子设备中需要如此之多的晶体管呢？我们是否无法使事情更有效率，以致我们使用的晶体管比目前使用的晶体管少？

34 transistors  integrated-circuit  pcb-design 

例如，J108 JFET被列为“ N通道开关”，数据表中提到了电阻的RDS，而J201 JFET被列为“ N通道通用放大器”（并且导通电阻必须为从IDS曲线推导出来？） 这些产品的设计和制造方式是否有所不同？通常可以将一种类型用于其他应用程序吗，反之亦然？ 对于BJT，相关：作为开关与放大器销售的小信号双极结型晶体管（BJT）之间有什么区别？

34 transistors  switches  amplifier  jfet 

我正在和我的一位同事讨论下拉电阻。这是晶体管作为开关的两种配置。 输入信号可以来自微控制器或另一个数字输出以驱动负载，也可以来自模拟信号以从晶体管的集电极到微控制器提供缓冲输出。 左边是Q1，是我同事的配置。他指出： 基座中直接需要一个10K电阻，以防止Q1意外接通。如果使用右侧的配置（带Q1），则电阻将太弱而无法拉低基极。 R2还可以保护VBEVBEV_{BE}免受过压影响，并在温度变化时提供稳定性。 R1可以防止过流至Q1的基极，并且在来自"uC-out"高电压（例如+ 24V）的情况下，它会是一个较大阻值的电阻。将要形成一个分压器，但这无关紧要，因为输入电压已经足够高了。 右边是Q2，是我的配置。我觉得： 由于NPN晶体管的基极不是MOSFET或JFET之类的高阻抗点，并且晶体管的小于500，并且至少需要0.6V才能使晶体管导通，因此需要一个下拉电阻并不重要，在大多数情况下甚至都不需要。HFEHFEH_{FE} 如果要在板上放置一个下拉电阻，那么准确的10K值就是一个神话。这取决于您的功率预算。12K和1K一样好。 如果使用带有Q1的左侧配置，则会创建一个分压器，并且如果用于打开晶体管ON的输入信号为低电平，则可能会产生问题。 因此，为澄清起见，我的问题是： 10K下拉电阻是否是我每次都应遵循的经验法则？确定下拉电阻的值时要考虑什么？ 每个应用中是否真的需要下拉电阻？在什么情况下需要下拉电阻？ 您想要哪种配置，为什么？如果没有，哪种配置更好？

34 transistors  pulldown 

因此，我一直在浏览和阅读《数字计算机电子学》一书，然后才想到……似乎很简​​单，我理解它的“要点”，但是我不确定我确切地知道它是如何工作的。 。 “在肖特基晶体管中，肖特基二极管在晶体管达到饱和之前将电流从基极分流到集电极。” 我想这部分在^^^上方使我感到困惑 http://en.wikipedia.org/wiki/Schottky_transistor 从我收集到的数据来看，肖特基二极管的正向电压为.25 V ...因此它从输入线中抽出了.25 V（从图片的左侧开始），并将THAT放到集电极中...所以只需更少的时间即可切换...因为基极电压降低了.25 V？还是在集电极上添加了.25 V，所以当晶体管“打开”时，它已经流过一点（因为在关闭时，.25 V不足以实际流过？）？维基百科条目令人困惑。问这样一个简单的问题，我感到很愚蠢。

31 transistors  schottky 

我意识到有数十种晶体管，每种用于特定目的。有时会有很大的重叠。在给定的电路中可以使用多种晶体管，但有时只有特定的晶体管才是理想的。 在不阅读每种类型的所有细节的情况下，是否有某种快速参考或指南在研究要使用的晶体管类型时有用？例如，我熟悉某些晶体管，并经常在我的项目中使用它们。最终，有人会审查该项目并说：“为什么不在那里用X代替Y？” 正是在这一点上，我研究了X并学习了一些新知识。 如果有一个“方便的晶体管信息图”，它可能帮助我研究了所有与“ X”相关的类型，因此我会读懂它们。 （例如，我试图在电路中使用齐纳二极管，但没有意识到我真正想要的是瞬态电压抑制器。显示齐纳二极管和TVS的关系可能有用。） 搜索互联网除了晶体管家族树之类的东西外没有什么其他好处： 从学习电子学 有谁知道（或希望创建！）有用的晶体管选择指南，但它并不假定您熟悉晶体管的所有种类？

31 transistors  component-selection 

我需要一种方法来反转数字信号，即，如果输入为高电平，我希望输出为低电平，如果输入为低电平，则我希望输出为高电平。 我认为可以使用单个PNP晶体管完成此操作，但想在此进行验证。我要处理的电压小于5V。

29 transistors  digital-logic 

我要买一些东西回到电子世界。 从电阻器配套套件开始。需要购买一些包含最常见的电容器和晶体管的套件...要买什么？？？ [我想购买以创建很多东西，而无需购买新组件就可以在网上找到原理图] 来自重复问题的向内合并，现已关闭；摘要供参考： 日常发明家的电子产品 ...电容器，微调器，电阻器，电位器，二极管，变压器，LED和激光二极管，计时器（如555），电感器，IC和常见的微芯片，传感器的数量（温度，气体，辐射，光，声音，运动等） ）和传感器碎片（例如硒片），以及一堆其他东西……给混乱的发明家。

29 capacitor  transistors  kits 

使用这两个二极管有什么意义？您不能只用电阻器代替它们吗？

28 transistors  resistors  diodes  voltage-divider  pnp 

将晶体管设置为开关时，将负载施加在集电极或发射极上有什么区别吗？ 据我所知，唯一的区别在于计算Vbe，即计算由于负载两端的压降而需要使晶体管达到饱和的电压

28 transistors 

因此，我们具有与非门，与非门，或非门或非门，但它们是如何以电子/电气方式创建的？ 例如，什么使“非门”取反值？

27 transistors  digital-logic 

晶体管符号通常根据类型而用指向一个方向或另一个方向的箭头来绘制，例如以下符号： 但是，箭头实际指向的是什么？他们从哪里指向？每个符号背后都有相同的原理吗？如果是，为什么它们有时会指向晶体管，有时指向晶体管呢？ 为什么箭头指向不同类型的不同起源（有时是基极，发射极，栅极，源极等）？ 箭头的方向后面是否有任何一般性原则？

26 transistors  symbol 

最近，我一直在阅读有关CPU的文章，并且知道CPU上的所有逻辑块和存储器都可以由晶体管制成。那么它是CPU上唯一的电子组件吗？ 编辑（在前两个答案之后 做出）：但是制作CPU只谈论投影晶体管图（可能是主要部分）。但是如何在CPU中增加二极管，电容器等其他组件？

24 transistors  integrated-circuit  cpu  computer-architecture  fabrication 

例如： STN0214-超高压NPN功率晶体管 据说在其集电极和发射极之间接受的电压超过1 kV。它采用SOT-223封装（3针加一个标签）。在潮湿空气中的绝缘强度为1 kV / mm时，电极之间是否不会出现电弧？ 还是您必须用比空气高的绝缘强度的胶水或其他材料将包装包裹起来？

24 transistors  high-voltage  arc 

如果对于BJT晶体管，在公共发射极放大器电路中将其发射极端子视为集电极，而将其视为发射极，会发生什么情况呢？

24 transistors  amplifier  bjt