从逻辑选择MOSFET驱动负载

我正在寻找从Arduino 驱动电磁门锁。我发现了一个关于从Arduino驱动螺线管的问题，其中包括一个看起来很适合这种情况的电路：

用MOSFET驱动器件

我不明白的是如何为工作选择MOSFET。如果我知道我的逻辑电平，设备电压和设备电流，我应该寻找什么属性？

在这种情况下，它是5V逻辑，负载工作在12V / 500mA，但是很高兴知道一般规则。

— 多项式
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您有一个奢侈的问题：有成千上万个适合您工作的FET。

1）逻辑层次。您的电压为5 V，关闭时可能小于200 mV。您需要的是，这是FET开始导通的栅极阈值电压。它是针对特定电流而提供的，您也要注意这一点，因为不同的FET可能会有所不同。像FDC855N一样，对您有用的最大3 V @ 250 µA 。在200 mV（或更低）下，泄漏电流将远低于此水平。 $V_{GS(th)}$

2）最大连续。6.1 A.好的。 $I_D$

3）图： $I_D / V_{DS}$

在此处输入图片说明

FDC855N再次亮相。它显示了FET将在给定的栅极电压下吸收的电流。您可以看到3.5 V的栅极电压为8 A，因此适合您的应用。

4）。导通电阻决定了功耗。对于FDC855N，在4.5 V栅极电压时最大为36mΩ，而在5 V时它将小一些。在500 mA时，将导致9 mW的功耗。这已经足够了。您可以找到具有更好数字的FET，但实际上并不需要为此付出额外的价格。 $R_{DS(ON)}$

5）。最大漏极-源极电压。FDC855N为30 V，因此对于您的12 V应用程序来说也可以。 $V_{DS}$

6）包装。您可能需要PTH封装或SMT。FDC885N采用非常小的SuperSOT-6封装，考虑到低功耗，也可以。

因此FDC855N会做得很好。如果您愿意，可以看看Digikey的产品。它们具有出色的选择工具，现在您知道要寻找的参数。

— 史蒂文夫
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太棒了，我敢肯定我现在就明白了。我正在看国际整流器公司的IRF520N，它的Vgs为2.0V，但在同一张表中提到的最大Vgs门限为4.0V。这意味着什么？然后显示Vgs / Id图，其中Vgs数字高达10V。从图中可以看出，Vgs = 5V时的Id足以满足我的需求。我查看了IRF520N，因为在TO220机箱中，我可以在当地以每只0.21英镑的价格购买它们。

— 多项式

最小2 V，最大4V。这并没有给您留下太多的余地，请记住那仅是250 uA，但随后该图在5 V时通常显示4.5 A，所以可能还可以。不过，我更倾向于FDC855N，因为这最多是3 VGS（th）。

— stevenvh 2012年

嗯，我现在知道了-Vgs（th）min必须高于逻辑泄漏电压，而Vgs（th）max必须低于正常逻辑高电压。优秀。那我可能会去买STP55NF06，因为它很便宜并且可本地采购。感谢您的所有帮助！:)

— 多项式2012年

@stevenvh选择FET晶体管时（考虑到问题情况）如何考虑功耗？

— JeeShen Lee 2012年

@JeeShenLee-功率=电流x电压=电流平方x电阻。同样，电压=电流x电阻。假设您有2 A的电流，并且希望电压降最大为120 mV，即12 V电源的1％。然后电阻应小于120 mV / 2 A =。寻找性能更好的FET将毫无困难。这样，功耗将为120 mV x 2 A = 240 mW，即使采用小型SMT封装的FET也可以解决。关于选择。您不能对电流做太多事情，但是可以选择允许的压降或功耗。

Ω

$\Omega$

— stevenvh 2012年

您需要一个能够在5V输入下完全导通的MOSFET，要寻找的规格为Vth（阈值电压）。
请注意，该数字只是导通的开始，因此漏源电流仍然非常低（通常您会看到Vds = 1uA或类似的情况）

因此，如果您的Vth例如为2V，则可能需要大约4V才能很好地将其导通-数据表将具有Vg与Id / Vds的关系图，以向您显示在不同的栅极电压下MOSFET将导通多少。
Rds是漏极的电阻，可以告诉您MOSFET会消耗多少功率（例如，Id ^ 2 * Rds）

此外，您还需要针对最大漏源电压和漏源电流（Vds和Id）（在您的情况下为500mA和12V）进行额定。因此，像Vds> = 20V和Id> = 1A之类的东西就可以了。

— 奥利·格拉瑟（Oli Glaser）
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