逻辑门如何以电子方式创建？
Answers:
我已将其变成社区Wiki，以便我们可以收集很酷的逻辑门实现，以供将来参考。
首先，您必须以简单的方式了解晶体管。我将处理CMOS，因为曾经存在过的所有逻辑（以数量计）中有99％是CMOS。
使用了两种晶体管，PMOS和NMOS，这是它们的符号：
晶体管是电控电流源/灌电流。当栅极电压低于源极电压时，PMOS将从漏极（连接到源极）的电源（连接到源极）提供电流（图中的虚线表示接通时的电流），并流入其他电路。NMOS将通过漏极到源极将电流吸收到地中（在这种情况下，您应将其视为吸收器）。
请注意，为了清楚起见，我在命名方面采取了一些自由。
PMOS通常连接到正电压，而NMOS通常连接到通常接地的负电压。
有趣的是，您可以堆叠设备以执行各种功能。堆叠两个PMOS可以提供一个由两个电压控制的电流源，堆叠两个NMOS可以提供一个由两个电压控制的电流吸收器。
注意，要使电流流过，A（我们将其称为A）和B两者的电压都必须低于+ V。还要注意，要吸收的电流（下沉？），C和D都必须高于地面（那个有趣的阴影三角形符号）。您可以说“ A和B都必须低才能使电流流过”和“ C AND D都必须要高才能使电流流过”。
就像您可以“堆叠”（实际上是串联）一样，您可以并联设备。
对于NMOS电路，您可以说“ A或B都可以使电流流过低”，而对于NMOS电路，可以说“ C或D可以使电流流过高”。
您会注意到，我们已经在使用逻辑语言来描述函数（AND，OR），因此现在我们可以开始将电路拼接在一起。
首先关闭逆变器：
当Vin接地时，PMOS导通并可以提供电流，但NMOS截止且不能吸收电流。结果，Vout引脚试图将电荷施加到任何可用的电容上，并对该电容充电直至其达到V +电平。
同样，当Vin为高电平时，NMOS导通并可以吸收电流，但是PMOS现在关闭并且无法提供电流。结果，Vout引脚尝试从任何可用电容上拉电荷并对该电容放电，直到达到接地电平。
输入上的“高”在输出上给出“低”，输入上的“低”在输出上给出“高”。倒过来！
如果同时查看PMOS和NMOS的符号，您会发现栅极看起来像符号上的电容器。这是故意的，因为MOS晶体管是电容器，并且主要是在操作过程中对该电容进行充电和放电。电流是单位时间的电荷流，电容是单位电压的电荷存储。晶体管将栅极电压转换成受控电流，然后对栅极电容进行充电和放电，栅极电容将电荷变化转换回电压变化。
现在，对于前两个输入门，与非门：
NMOS“堆栈”只会在一种情况下吸收电流，也就是说，当A和B都很高时。请注意，对于这种情况，PMOS均处于关闭状态（即，不提供电流）。因此，在这种情况下，Vout将吸收电流，而Vout将为低。
在所有其他情况下，至少一个PMOS将提供电流，而NMOS堆栈将无法吸收电流。然后将输出充电，并且Vout =高。
A B Out
0 0 1
0 1 1
1 0 1
1 1 0
该真值表显示是否为Not（A＆B）AKA NAND。0 =接地，1 = V +。
要变成“与”门，您只需要反转输出即可。
这是真值表：
A B Out
0 0 0
0 1 0
1 0 0
1 1 1
接下来是“或非”门
我希望现在您应该可以自己获取真值表。
C D Out
0 0 1
0 1 0
1 0 0
1 1 0
从NOR到NAND具有令人愉悦的对称性。该结构是一个简单的反演。
现在或
和真相表
C D Out
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 1
如3输入NAND所示，将设计扩展到高阶输入很容易。
通过将NMOS和PMOS串联/并联组合，您可以在晶体管级实现各种逻辑功能。通常这样做是为了提高面积效率，功率效率甚至速度。这些函数不必严格是AND，OR或Xor函数。以下称为“与/或”门：
并具有以下真值表。
C A B Out
0 0 0 0
0 0 1 0
0 1 0 0
0 1 1 0
1 0 0 0
1 0 1 1
1 1 0 1
1 1 1 1
至少您认为这是实现这些功能的唯一方法，我将介绍一种称为传输门的设备。
NMOS和PMOS栅极都必须反向驱动才能正常工作。
这是使用附加NMOS可以做什么的示例电路。
此处/ A =数字逻辑中的Not（A）
A + B = A或B
A * B = A和B
因此，您可以看到仅使用3个晶体管就可以实现A ORB。但是请注意，该电路具有严重的副作用，通常不使用。但这仍然是说明性的。
这是基于TG的逻辑功能的完整集合：
还有通过晶体管逻辑或PTL。这样的例子：
(A or B) nand (C or D)可以使用八个晶体管在单个逻辑层中实现，这比使用两个成熟的“或”门和“与非”结果要高效得多。
特别是在CMOS中，NOT门由互补的PMOS和NMOS器件组成，这些器件被配置为对输出进行反相。
我能给您的最佳建议是看《数字集成电路》一书。它具有您想知道的有关如何在晶体管级别设计逻辑的所有知识。
使用RTL（电阻器-晶体管逻辑）。
而且，一些门是通过组合门而制成的。例如，异或是（OR）AND（NOT AND）。而且，NAND只是一个反向AND。
反相器和NOR：http : //en.wikipedia.org/wiki/Resistor%E2%80%93transistor_logic
OR为反相NOR。
AND是具有反相输入的NOR。
NAND是取反的AND。
XOR是与NAND的AND或。
NXOR是反相的XOR，或与NOR的AND OR。
