BJT处于反向主动操作模式


Answers:


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简短答案

它可以工作,但是(beta)较低β

为什么?

BJT由两个pn结(npnpnp)形成,因此乍一看它是对称的。但是,这三个区域的掺杂剂浓度和区域大小(更重要的是:结的面积)都不同。因此,它根本无法发挥全部潜力。(如使用倒档杆)

关于BJT的Wiki:尤其要注意部分Structurereverse-active操作模式

缺乏对称性主要是由于发射极和集电极的掺杂比。发射极被重掺杂,而集电极被轻掺杂,从而允许在集电极-基极结击穿之前施加较大的反向偏置电压。在正常操作中,集电极-基极结被反向偏置。发射极重掺杂的原因是为了提高发射极注入效率发射极注入的载流子与基极注入的载流子的比率。为了获得高电流增益,注入到发射极-基极结的大多数载流子必须来自发射极


另一个注意事项:经典BJT是以线性方式堆叠三个区域的(请参见左图),但是以表面(MOS)技术实现的现代双极型也将具有不同的集电极和发射极形状(右图) :

图片来源allaboutcircuits.com

左侧是传统BJT,右侧是MOS技术中的BJT(当两个晶体管都用在同一芯片中时也称为Bi-CMOS)

因此,行为将受到更大的影响。


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警告:大多数晶体管的Vbe反向击穿电压仅为几伏。因此,对于NPN,如果将发射极下方的基极降低5或6伏,则可能会损坏部件。刚刚检查了几个晶体管的Vbe反向击穿绝对值最大值:2N3904、2N4401,-> 6V。BC548、2N5087、2N4403,bc807-> 5V。但是某些RF晶体管更低:MMBT918最高为3V,MPS5179最高为2.5V。
杰森S

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clabacchio在他的回答中遗漏的是BJT的反向模式在某些原理图中可能有用。

在这种模式下,BJT具有非常低的饱和电压。几个mV是一个常见值。

过去,这种行为已用于构建模拟开关,电荷泵等,其中饱和电压决定了设备的精度。

现在,MOSFETS用于此类应用。

如果有人想进行实验,请注意,并非每个BJT都可以反向运行。尝试不同的类型,测量h21e。

但是,如果模型合适,则h21e可以大于5..10,这是非常不错的值。为了使BJT处于饱和状态,Ic / Ib应该为2..3;

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