Questions tagged «transistors»

我想用Arduino控制警笛扬声器（具有内置驱动器）。 警笛需要12V的电压，消耗约480mA的电流。Arduino输出引脚为5V，最大可提供40mA的电流。 我想使用晶体管来打开和关闭警笛。这对晶体管来说可以吗？我宁愿不必使用中继或SSR，因为我手头没有任何继电器。 根据这些数字，我使用欧姆定律（R = E / I）将我的负载（警笛）电阻计算为25欧姆。（我以安培，伏特和欧姆为单位） 12 伏0.48 安= 25 Ω12V0.48一种=25Ω\frac{12V}{0.48A} = 25 \Omega 我发现了各种计算方法来确定我需要哪种晶体管，但我不确定哪一种是最好的。其中之一是这样的： HFË（中号我Ñ 我米Ù 米）= 5 × L o a dCü [R[R È Ñ 吨一[R dü 我ñ ØP我ñ中号一种 XCü - [R [R È Ñ 吨HFË（米一世ñ一世米ü米）=5×大号Ø一种dCü[R[RËñŤ一种[Rdü一世ñØP一世ñ中号一种XCü[R[RËñŤh_{FE(minimum)} = 5 \times \frac{Load\;Current}{Arduino\;Pin\;Max\;Current} 这使我的至少为60。HFËHFËh_{FE} 5 × 0.480.04= 605×0.480.04=605 \times …

24 transistors 

我有一个简单的NPN开关，见图。 我将100KHz方波（TTL）馈入此晶体管的基极，它的导通速度非常快（几个nSec），但它的关闭速度却不如之前快，它关闭几乎需要2uSec。（我正在看这个电路的收集器）。二极管是激光，晶体管在磨NPN之外运行（数据表）。我还尝试了ONSemi的另一个NPN，它能使同一个故事更快（至少在我看来是这样）。 为什么晶体管关断速度不那么快？ 如何在几个nSec中关闭它？ 在这种情况下，使用MOSFET比使用NPN更好吗？ **更新** 我添加了一个1K而不是那个NA电容器垫，并使用了更快的BJT，情况有所改善。（实际上，我发现BJT的速度相似，但集电极输出电容较低，为2pF和6pF）。无论如何，现在我看到关闭了120nSec。我将添加一个上限，并从此处报告结果。

24 transistors  switches 

有人可以用简单的英文解释一下什么是晶体管及其工作原理吗？我知道计算机中装满了这些东西，但对它们知之甚少。 PS：我从StackExchange家族的另一个站点（我没有工程背景）知道这个站点，并希望有人可以帮助我。请不要链接到Wiki解释。我已经读过了，我很困惑。 我正在寻找一个7岁的解释。 谢谢！

24 transistors  computers 

由于异步串行通信甚至在当今的电子设备中也很普遍，我相信我们许多人会不时遇到这样的问题。考虑与串行线（RS-232或类似产品）连接并且需要连续交换信息的电子设备D和计算机。即每个发送一个命令帧，并每个发送一个状态报告/遥测帧答复（报告可以作为对请求的响应发送，也可以独立发送-在这里并不重要）。通信帧可以包含任何任意二进制数据。假设通信帧是固定长度的分组。PCPCX msDY ms 问题： 由于协议是连续的，因此接收方可能会失去同步，或者只是在进行中的发送帧中间“加入”，因此它只是不知道帧起始位置（SOF）在哪里。根据数据相对于SOF的位置，数据具有不同的含义，接收到的数据可能会永久损坏。 所需的解决方案 可靠的定界/同步方案可在恢复时间短的情况下检测SOF（即重新同步所需的时间不超过1帧）。 我了解（并使用了一些）的现有技术： 1）标头/校验和 -SOF作为预定义的字节值。帧末的校验和。 优点：简单。 缺点：不可靠。恢复时间未知。 2）字节填充： 优点：可靠，快速恢复，可与任何硬件一起使用 缺点：不适用于固定大小的基于帧的通信 3）第9位标记 -在每个字节之前附加一个位，而SOF标记为1和数据字节标记为0： 优点：可靠，快速恢复 缺点：需要硬件支持。大多数PC硬件和软件未直接支持。 4）第8位标记 -上面的一种模拟，同时使用第8位而不是第9位，每个数据字仅保留7位。 优点：可靠，快速的恢复，可与任何硬件一起使用。 缺点：需要从/到常规8位表示到/从7位表示的编码/解码方案。有点浪费。 5）基于超时 -假定SOF为某个已定义的空闲时间之后的第一个字节。 优点：无数据开销，简单。 缺点：不太可靠。在较差的计时系统（如Windows PC）上无法很好地工作。潜在的吞吐量开销。 问题： 还有哪些其他可能的技术/解决方案可以解决该问题？您能否指出上面列出的缺点，可以轻松解决这些缺点，从而消除它们？您（或您将）如何设计系统协议？

24 serial  communication  protocol  brushless-dc-motor  hall-effect  hdd  scr  flipflop  state-machines  pic  c  uart  gps  arduino  gsm  microcontroller  can  resonance  memory  microprocessor  verilog  modelsim  transistors  relay  voltage-regulator  switch-mode-power-supply  resistance  bluetooth  emc  fcc  microcontroller  atmel  flash  microcontroller  pic  c  stm32  interrupts  freertos  oscilloscope  arduino  esp8266  pcb-assembly  microcontroller  uart  level  arduino  transistors  amplifier  audio  transistors  diodes  spice  ltspice  schmitt-trigger  voltage  digital-logic  microprocessor  clock-speed  overclocking  filter  passive-networks  arduino  mosfet  control  12v  switching  temperature  light  luminous-flux  photometry  circuit-analysis  integrated-circuit  memory  pwm  simulation  behavioral-source  usb  serial  rs232  converter  diy  energia  diodes  7segmentdisplay  keypad  pcb-design  schematics  fuses  fuse-holders  radio  transmitter  power-supply  voltage  multimeter  tools  control  servo  avr  adc  uc3  identification  wire  port  not-gate  dc-motor  microcontroller  c  spi  voltage-regulator  microcontroller  sensor  c  i2c  conversion  microcontroller  low-battery  arduino  resistors  voltage-divider  lipo  pic  microchip  gpio  remappable-pins  peripheral-pin-select  soldering  flux  cleaning  sampling  filter  noise  computers  interference  power-supply  switch-mode-power-supply  efficiency  lm78xx 

我是电子产品的新手，我想问一个新手问题：如何仅使用模拟万用表才能知道晶体管（对于PNP和NPN而言）的发射极或集电极是哪条支路？

22 transistors 

BJT主要用于常见的发射极，有时也用于常见的集电极配置。我很少看到共同的基础。您何时会在共同基础中使用BJT？例如，哪些参数不同于普通发射器？

21 transistors  bjt 

仔细查看这种MOSFET的示意图： （在本应用笔记中找到） 我们可以看到该设备实际上是对称的。是什么使栅极自身参考源极而不是漏极？ 另外，为什么栅极氧化物会在20V Vgs而不是20V Vgd的情况下击穿？ （不是作业问题。只是出于好奇。）

21 transistors  mosfet 

我一直在购买一些mosfet晶体管，入门工具包，并且注意到清单表明mosfet适用于5v逻辑，但数据表显示Gate Threshold是1-2v。由同一卖方将接近5v的4v栅形mosfet进行广告不适合。 我知道向栅极施加Vgs电压会打开MOSFET，但是它如何与不同的电压相互作用？ 因此，例如，如果mosfet的Vgs范围为2-3，并且我对其施加了0-1,2-3,3-7的电压范围，那么我认为它会像这样（如果我错了，请纠正我）： 0-1v-关 2-3v-以比例电导率接通（最大3v）。 3-7v-热/烧？

20 voltage  transistors  mosfet 

我看到的许多晶体管设计电路都使用链接在一起的两个晶体管，而不仅仅是使用一个晶体管。例子： 该电路旨在允许具有3.3V UART的设备与5V微控制器通信。 我了解到Q2关闭时，TX_TTL将为高，而Q2打开时，TX_TTL将为低。我的问题是，为什么不直接在Q2的基极上运行UART_TXD而不是使用Q1控制Q2的基极电压？

20 transistors  uart  npn 

考虑一下这个简单的CircuitLab电路（电流源）草图： 我不确定如何计算晶体管的功耗。 我正在学习电子学课程，并且在笔记中有以下公式（不确定是否有帮助）： P=PCE+PBE+Pbase−resistorP=PCE+PBE+Pbase−resistorP = P_{CE} + P_{BE} + P_{base-resistor} 因此，功耗是集电极和发射极之间的功耗，基极和发射极之间的功耗以及一个神秘因素。注意，在该示例中，晶体管的β被设置为50。Pbase−resistorPbase−resistorP_{base-resistor} 我总体上很困惑，这里关于晶体管的许多 问题 非常有帮助。

20 transistors  bjt 

在基础物理课程中讲授的双极结型晶体管的模型（肯定是简单的）似乎是对称的。-那么，真正的BJT的集电极和发射极之间有什么区别？如果晶体管是对称的，则不会进行区分。 也： BJT是否像二极管一样具有0.6V的压降？ BJT在两个方向（即EC和CE）导电吗？ 非常感谢。

20 transistors  physics 

我正在尝试构建自己的电缆锁定警报器（用于科学！），并且在寻找一种方法来检测电线是否被切断时遇到了麻烦。 电路必须 闲置时不使用任何电源（或至少很少使用，以免每小时更换一次电池） 切断特定电线时使扬声器发声 我对电子学的知识很少。我知道电容器，二极管，电阻器和其他基本材料是做什么的，但是除了单个回路之外，我对电流如何流动没有很好的了解。 我似乎记得曾经做过类似这样的电路。（哦，天哪，我什至不知道如何绘制正确的图表，以免原谅我） /----------[battery]-------\ | | |--------[light bulb]------| | | \-----[wire to be cut]-----/ 而且，只有切断下面的电线，灯泡才会点亮，因为电总是沿着电阻最小的路径进行。 无论如何，这将是电池供电的电路，我很确定上面的图很短。我认为其中涉及一个电阻，但我不记得它去了哪里。 如果有人可以给我一些建议，那就太好了！

19 transistors  batteries  sensor  switches 

我正在通过AVR MCU控制DC风扇，并且对连接风扇的2N3904 NPN晶体管的热特性感到好奇。 阅读晶体管的数据表，我发现以下值： [Rθ Ĵ− A= 200 ∘黑白[RθĴ-一种=200 ∘黑白 R_{\theta J-A} = 200\text{ }^{\circ}\text{C/W} [Rθ Ĵ− C= 83.3 ∘黑白[RθĴ-C=83.3 ∘黑白 R_{\theta J-C} = 83.3\text{ }^{\circ}\text{C/W} 我希望环境和外壳之间的热阻为： [Rθ ç− A= Rθ Ĵ− A− Rθ Ĵ− C= 116.7 ∘黑白[RθC-一种=[RθĴ-一种-[RθĴ-C=116.7 ∘黑白 R_{\theta C-A} = R_{\theta J-A} - R_{\theta J-C} = 116.7\text{ }^{\circ}\text{C/W} …

18 transistors  thermal  power-dissipation 

参见Sedra＆Smith microelectronics，第6版，第287页的以下电路： 它说，望向源极的栅极和源极之间的电阻为1 / gm，但是望向栅极的源极与栅极之间的电阻是无限的。为什么？“调查”甚至意味着什么？它有什么区别？ 根据我的理解，无论您查看源极还是栅极，G和S之间的电阻均为1 / gm。如果在G和S之间施加一个电压，并根据欧姆定律测量电流，您会发现R为1 / gm。 一定有些我不懂的东西。 编辑：这是我不了解的另一件事。看到这个电路： 它说Rin是vi / -i。我可以看到此表达式的来源，但我不知道Rin的正式定义。为什么在i前面有一个-？

17 transistors  mosfet  resistance 

我想切换50V交流电压。最大消耗电流为5A。频率为50Hz。切换速度并不重要，可以真正降低速度，这对我的应用程序来说不是问题。 为此，我想首先使用固态继电器。但是，当我开始搜索SSR时，我发现它们的价格太高了。对于更便宜的替代解决方案，我想使用MOSFET晶体管（也可以是其他类型的晶体管）代替固态继电器。 您能建议我上述规格的固态继电器的MOSFET等效电路吗？

17 transistors  relay  mosfet  solid-state-relay