我怎么知道是发射器还是收集器？（晶体管）

我是电子产品的新手，我想问一个新手问题：如何仅使用模拟万用表才能知道晶体管（对于PNP和NPN而言）的发射极或集电极是哪条支路？

将仪表设置为较低的欧姆范围，以便可以看到二极管的导通-试用和错误或进行二极管测试（如果可用）。

• 使用NPN晶体管时，基极将背离两个二极管。即，当最正的仪表导线位于基座上时，当将负极导线放在其上时，其他两个导线将显示一个导电二极管

• 对于PNP晶体管，基极将有两个面向它的二极管。即，在底座上使用最正的负极（通常为黑色）仪表导线时，当将正极导线放在其上时，其他两个导线将显示一个导电二极管

好的-现在您知道PNP的NPN了，这是基础。现在

• 将NPN的正极连接到猜想的集电极，将负极连接到猜想的发射极。将仪表设置为1兆欧加量程。

  -通过一个高阻值电阻将基极连接到可能的集电极-可能为100k至1M。湿的手指效果很好。注意阅读。

  • 现在交换猜测的发射器和收集器并重复。再次将电阻从基极添加到推测的集电极。注意阅读

当基极正向偏置时，上述两个之一的R_CE读数将低得多。那是正确的猜测。

一旦习惯了，就可以拿起一个带引线的晶体管，将其与仪表引线弄混，直到找到两个提供基极和NPN或PNP的二极管，然后舔手指并进行正向偏置基极测试-然后声明引出线。对许多人来说看起来像魔术。作品。

您可以或当然在面包板上将其形式化，甚至添加（gasp）开关以交换极性等。

请注意，一旦您学会校准湿手指，您便可以了解Beta（当前增益_）。

最简单的方法甚至不需要万用表：

下载数据表并查看引脚图。

NPN + PNP双极晶体管以及N沟道和P沟道MOSFET都需要了解（补充其他答案）的有用信息：

• 当您面对晶体管封装的扁平部分并且引线朝下时，TO92晶体管几乎总是被固定为EBC（双极）/ SGD（MOSFET）。

• 当您面对晶体管的前部（背面的标签）且引线朝下时，TO220 / TO247 / DPAK / D2PAK晶体管几乎总是被引脚固定为BCE（双极）/ GDS（MOSFET）。助记符GDS = Gosh Darn Son-of-gun，这很容易记住。（或类似的东西。 ：-）

• 具有金属突舌（TO220，TO247，DPAK，D2PAK，SOT-223等）的晶体管几乎总是将突舌作为集电极或漏极。与任何形式的约定相比，这与设备的结构关系更大。集电极/漏极是模具中与金属接头热耦合最强的部分，因此这是电气连接的自然点。

• 表面贴装晶体管的一侧带有两个引脚，而第三侧则单独位于另一侧（SOT-23，SOT-323），其集电极/漏极几乎总是独立存在。这是因为栅极-源极/基极-发射极之间的电压差很小，而集电极/漏极之间的电压差可能为几十或几百伏，因此它为该电压差提供了更大的间隙，从而可以自行关闭集电极/漏极。对于DPAK / D2PAK晶体管也是如此，其中中间引脚被切短并粘在空中。这样做是为了提供电压间隙，然后您可以通过凸耳通过集电极/漏极进行电气连接，该凸耳通常与中心引脚是同一块金属。

我想某些晶体管部分是这些规则的例外（最有可能在SOT-23和SOT-323封装中），但我不知道有什么-仍要经常检查数据表。

最简单的方法是测量结BC和BE之间的正向电压，BC结将具有较低的正向电压。如果您使用普通的数字万用表（DMM），并且具有与我2n5551相似的测试电流，则会得到以下结果：Vbc = 642mV Vbe = 648mV（如果我尝试使用电阻范围Rbc = 23Mohm Rbe = 29Mohm）对于模拟万用表测试电流为与数字电阻相比，电阻稍高一些，因此您可以期望较低的电阻值（100K-1M），并且这样做是非线性的，但是BC结的相对正向电压较低（转换BC结的相对电阻较低）与BE结相比

通常，基极发射极将显示较高的电阻，而基极收集器将显示较低的电阻。但是在偏置条件下，您会得到相反的结果，即BE较低，BC较高。