Questions tagged «transistors»

谁能解释晶体管如何放大电压或电流？根据我的说法，放大意味着-您发送的东西很小，它就会更大。例如，我想放大声波。我对一个声音放大器说悄悄话，结果说它大了5倍（取决于放大倍数） 但是，当我读到晶体管放大作用时，所有教科书都说，由于基极电流ΔIb的变化很小，但发射极电流ΔIe的变化也较大，因此存在放大。但是放大在哪里？按照我的定义，正在放大什么？我对放大一词的理解错误吗？电流如何从低电阻区域转移到高电阻区域？ 我想我已经了解晶体管的构造以及电流的流动方式。因此，谁能清楚地解释晶体管的放大作用并将其与我对放大的理解联系起来。

17 transistors 

我面临两种包装类型： SOT 23 索特23-3 它们之间有区别吗？ 根据Wikipedia上的一篇文章，似乎没有什么区别。

16 transistors  packages 

我有一个带有GPIO的IC，我想用它来驱动LED。 由于设备将依靠电池运行，因此当LED熄灭时，请优先使用低电量（可能为零）。 GPIO开启时提供3.3V电压，关闭时提供0.0V电压。 它还具有最大4mA的限制。 LED的正向电流为20mA，期望的正向电压为2.0V。 当LED打开时，它很可能在低千赫兹范围内闪烁（使用PWM）。 戳一戳之后，我相信这可能是我需要的电路类型。 问题1：我是否接近正确的道路。 问题2：用于第（5）项（晶体管或Mosfet）的正确组件是什么？如何找到一个组件（在当地的Frys，RadioShack，Online）以及如何识别（指定）？ 问题3：选择项目（5）是否会对电阻器项目（3）的欧姆值产生影响？除了适用于3.0V电源和2.0V LED的正常欧姆定律。 问题4：如果需要，电阻项目（2）的欧姆值为多少？

16 led  transistors  gpio 

在分析其中装有晶体管的电路时，它们是MOSFET还是BJT会有什么区别？

16 transistors  analysis 

我想使用晶体管构建一个简单的音频放大器。我知道有专门针对该任务的IC设计。但是我想使用晶体管，以便我可以学习如何使用它们进行放大。 我将如何仅由分立组件来设计音频放大器。

16 audio  transistors  amplifier 

我通常会在NPN晶体管的基极看到弱下拉电阻。许多电子站点甚至建议这样做，通常将其值指定为基本限流电阻的10倍。 双极晶体管是电流驱动的，因此，如果基极悬空，则无需将其接地。 另外，我通常会在FET上看到栅极限流电阻。 它们是电压驱动的，无需限制向栅极供电的电流。 这两种情况的例子是人们在晶体管（需要基极限制电阻）和FET（需要下拉电阻）之间混淆规则还是将规则或其他东西组合在一起... 还是我在这里想念东西？

16 transistors  mosfet 

我想使用多个并联的晶体管来控制通过负载的电流。这是为了使流过负载的电流跨晶体管分布，以便可以将额定集电极电流小于流过负载的单个晶体管进行组合，以控制负载。 两个问题： 如下图所示的布置是否可以正常工作？（电阻值仅非常粗略地近似）。 电阻值应如何计算？我当时正在考虑将晶体管的hfe值范围如下：计算两个集电极电流：对于VR的最小值，对于最小和最大hfe值，最小和最大集电极电流。 谢谢 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 编辑：实际上，我将删除R限制，并使VR越过导轨延伸，将抽头连接到R1-R3

16 transistors  parallel  npn 

这个问题看起来很荒谬，因为我不确定集电极-发射极电阻是否存在。这是一个简单的公共发射极电路 据我了解，当Vb增加时，会使Ib增加，因此Ic也必须增加。当Ic随负载电阻而增加但Vcc恒定且Ic =（Vcc-Vc）/ RL（负载电阻）时，Vc必须减小，反之亦然。那普通的发射器如何工作 现在，我关心的是Vcc与地之间的电压降是恒定的，而且是负载电阻值。假设在发射极和地之间没有使Ve = 0且Vb = 0.6-0.7的东西，而Vc更大（取决于负载电阻）。因此，必须存在一些浪费能量的事情，以使Ve = 0导致集电极和发射极之间的电压降。在集电极和发射极之间是否有类似改变电阻的作用。 换句话说，要使集电极和发射极之间的电压下降，它们之间必须有类似电阻的作用，对吗？如果不是，那么电压差会如何变化？ 在其他配置中，集电极-发射极也具有电阻吗？

15 transistors 

这个问题与增强型n型MOSFET有关。据我了解，当向栅极施加电压时，在MOSFET栅极下方的绝缘层下方会形成一个反型层。当该电压超过，阈值电压；该反型层允许电子从源极流到漏极。如果电压现在被施加，反转区域将开始锥度，并最终，这将逐渐变细，以至于它将夹断，一旦夹断（它不再能够在高度收缩） ，然后它的长度（宽度）将开始缩小，越来越靠近源。VTVTV_\mathrm{T}VDSVDSV_\mathrm{DS} 我的问题是： 我到目前为止所说的正确吗？ 为什么会发生这种夹断现象？我不明白我的书怎么说。它说明了漏极处的电场也与栅极成正比。 据我了解，当MOSFET饱和时，在收缩位和漏极之间会形成耗尽层。电流如何通过该耗尽部分流到漏极？我以为耗尽层不导电...就像二极管一样...

15 transistors  mosfet  pn-junction 

我是电子领域的初学者。我开始了解使用RC电路的振荡器（电容器的充放电和时间常数告诉电路的行为）。 然后，我看到了以下电路，该电路按时间顺序使2个LED闪烁。有人会解释其工作原理吗？我知道电容器会充电，在充电过程中LED会熄灭，放电时它们会打开LED。 但是为什么晶体管在那里？

15 led  transistors  basic  learning 

在选择晶体管时，我通常会从供应商的目录开始，然后根据我最感兴趣的规格进行搜索和优化。但是，我似乎常常会得出一些奇怪的选择。例如，我最近需要一个NPN来使用MCU基本切换200mA电流，最终选择了BC337。它似乎可行，但是它似乎也被归类为“音频放大器”而不是“通用”或“开关”晶体管，因此我不禁认为自己可以做出更好的选择（或者也许没有没关系）。同样，我有一个很大的袋子BC548，我经常使用它，因为我刚好在我的第一个“初学者”套装中放了一个，而在通常情况下，无论是否是最佳选择，我都坚持这样做。 我认为我会发现有用的最简单的图表，其中包含最常见的类型及其特征，我可以打印出来，而不得不动手简单地查找合适的类型。Google搜索找到了一些60年代的图表，几本书（价格高得离谱，几乎已经过时了），但我找不到一个简单的“选择器”或“比较表”。 有人可以推荐一个吗？还是有更简单的挑选方法？还是“类型”到底是真的重要吗（如果我只是用它来进行切换（就像我现在一直在做的那样，因为到目前为止我只做数字电路））？ 也许一个更简单的问题是...如何选择开关工作的晶体管？

15 transistors 

我一直在寻找一种控制项目中大量电流的好方法。在某些情况下，在12-15 V时这可能是40-50安培。虽然继电器是一个不错的选择，但它们是机械的，因此需要一段时间才能激活和磨损。 我已经看到MOSFET（如IRL7833）被宣传为能够处理这些苛刻的任务。但是，考虑到FET的尺寸，让这么多的功率通过它使我感到不舒服。这是一个有效的问题吗？

14 transistors  mosfet  switching  fet 

我的设计中有一个用于光电检测的RGB LED，每种颜色都由MOSFET控制，以管理每种颜色的光强度。绿色和蓝色LED的效果很好，但是我的红色LED似乎随着时间的推移逐渐淡出。一开始，我在红色LED上测得的正向电压（Vf）为2.6V，但在接下来的几分钟内（规范）下降至〜2.56V。 这是我的示意图。左边是我的三色LED和MOSFET设置，右边是PWM扩展器，由I2C控制： PCB： 以下是我的三色LED的规格（我圈出了正确的一个）： 当我测量随时间变化来自LED的光强度时，我可以看到红色强度下降，而绿色和蓝色保持稳定。焊点会影响LED吗？我不会三思而后行，但是我有一个额外的RGB LED，所以我卸下了一个旧的（死的）LED，并用电线将LED连接起来，而不是焊接到板上。我的LED指示灯为“红色”，并且强度没有下降。 现在这已经发生在4个LED上了...

14 power  led  transistors  resistors 

我正在尝试为冰柜发出警报，以便如果门开着，大约1分钟后，就会响起警报。 我有一些类似于下面的示意图。当开关断开时，电容器开始通过晶体管的基极放电，但是我将LED与晶体管并联，因此当电容器放电时，LED点亮。这工作正常，但是我不能使延迟足够长的时间。如果我增加电容器值或晶体管的基极电阻，则延迟时间会更长，但是由于电容器放电速度较慢，因此LED / Alarm逐渐淡出，这是我不想要的。我希望警报/ LED尽可能突然亮起。 我有办法增加延迟，但使警报相对突然打开吗？ 作为一个脚注，我不想使用任何IC（即555计时器）

14 transistors  capacitor  delay 

图为LM555的原理示意图。 我认为水平线是基础，但是我不确定我是否了解晶体管的工作原理。将基极与收集器连接起来有什么作用，第二个收集器有什么作用？它是另一个收集器的当前镜像吗？

14 transistors