良好的做法是使大量电流流过MOSFET吗?


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我一直在寻找一种控制项目中大量电流的好方法。在某些情况下,在12-15 V时这可能是40-50安培。虽然继电器是一个不错的选择,但它们是机械的,因此需要一段时间才能激活和磨损。

我已经看到MOSFET(如IRL7833)被宣传为能够处理这些苛刻的任务。但是,考虑到FET的尺寸,让这么多的功率通过它使我感到不舒服。这是一个有效的问题吗?


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包装的大小并不能告诉您太多。数据表确实如此。如果您花时间正确阅读它,稍后可能会感谢您。
Dampmask

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一点建议:始终尝试从Digikey / Farnell / RS等站点和其他站点获取组件。通常,您不仅会获得更具竞争力的价格,而且还会获得很多有关组件的更多信息。尽管此亚马逊页面具有功能列表,但不包括数据表。这是您想通读的文档,以查看用于您的项目是否可行
MCG

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您可能会想办法搜索Google零件号并尝试找到匹配的数据表,但是您不能确定它是否完全匹配,或者不确定您购买的产品不是廉价的廉价克隆品。因此,如果您对自己的工作很认真,请从信誉良好的网站上购买。
Dampmask

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如下所述,它表示“控制电流”的含义。如果计划将MOSFET用作可变电阻器,它将烧毁。如果打算将其用作ON / OFF开关,则应在充分冷却的情况下工作。
Barleyman

@Barleyman我可能会使用PWM切换电流。这可能约为330Hz,因为我相信这是Arduino在默认情况下与AnalogWrite一起使用的。
John Leuenhagen

Answers:


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为什么铜线可以承受大电流?

因为它具有电阻。只要您保持低电阻(将MOSFET完全导通,例如使用Ig7833的数据手册中的V gs = 10 V),那么MOSFET就不会消耗太多功率。

耗散功率为:P = I 2 * R,因此,如果R保持足够低,则MOSFET可以处理。PP=I2R

但是,有一些警告:

让我们看一下IRL7833数据表

150 A的温度为25摄氏度。这意味着您可能需要一个良好的散热器。随着NMOS 的R ds on随温度升高而增加任何散发的热量都应该能够“逸出” 。哪一个会增加功耗...看看会发生什么?这就是所谓的热失控

那些非常高的电流通常是脉冲电流,而不是连续电流。

页面12,点4:封装限制电流为75 A

因此,实际上,如果一个IRL7833 可以使MOSFET保持足够的凉爽,限制为75A 。

您希望在40-50 A的电流下工作,这要低于75A。离MOSFET的限制越远越好。因此,您可以考虑使用功能更强大的MOSFET或并联使用两个(或更多)MOSFET。

您也没有通过MOSFET投入那么多的功率,并且MOSFET 无法处理50 A * 15 V = 750瓦。

关闭的MOSFET要么处理在几乎没有电流(刚泄漏)15 V,由于低的电流将不足以功率来加热MOSFET。

的MOSFET将手柄50 A,但将有较小的阻力大于4毫欧(当它是凉爽),使得装置10瓦特。可以,但是您必须保持MOSFET冷却。

请特别注意数据表“最大安全工作区”中的图8,您必须留在该区域内,否则有可能损坏MOSFET。

结论:可以吗?是的,可以,但是您必须做一些“作业”来确定您是否将处于安全范围内。仅仅假设MOSFET可以处理一定的电流就可以了,因为它被宣传为灾难。您必须了解正在进行的事情和正在做的事情。

例如:由于50 A至4 mohm已提供10 W功耗,这对PCB上的所有连接和走线意味着什么?他们必须具有非常低的抵抗力!


你打败我了!我刚刚写完答案,但是您说了我打算做的所有事情,还有更多!向我+1!
MCG

谢谢!毕竟,我对此感觉好多了。我想我要订一个漂亮的散热器!
John Leuenhagen '18

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您可能还想提到,应该计划在打开和关闭状态(两个方向)之间进行转换。控制MOSFET的电路需要能够以足够的电流(关断和开断)驱动栅极,以便MOSFET花足够短的时间在状态之间进行转换,从而不消耗大量功率(导致热量)而仅部分打开。对于功率MOSFET,栅极电容可能相当大,需要用比“正常”逻辑输出所提供的电流大得多的电流来驱动栅极。
Makyen's

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需要强调的是,对于这些额定值,CASE温度为25°C的重要性。如果外壳温度为25C,环境温度为25C,则设备不会消耗任何功率!封装与散热器/空气/ PCB之间总会存在热阻,该电阻上散发的任何功率都会引起温度上升,就像流经电阻的电流会产生电压一样。
ajb

如果他将MOSFET用作可变电阻器,它将着火死亡。例如,将电流限制为25A将意味着将导通电阻调整为0.3R。算下来功耗高达187.5W。繁荣。
Barleyman

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作为对@Bimpelrekkie的良好回答的补充,在关闭负载时,我想引起您的注意,因为有必要为电流提供替代路径。

即使您为理论上纯的电阻性负载控制电流,它也可能包含一些杂散电感。因此,当您关闭15A电流时,该电感将在mosfet端子中引起电压过冲,这可能导致其击穿并因此而损坏。甚至导线的自感也可能导致此电流量出现问题。

典型的解决方案是将二极管与负载反向并联,如下图所示:

原理图

模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图

此外,由于您担心功耗,因此还必须提及在MOSFET打开和关闭时消耗的功率。每次形成或阻塞通道时都会消耗一些能量。

开关耗散的功率约为:

Pswitching=12VIloadfswitchingtswitchinG

如您所见,如果您在切换过程中花费很长时间,则mosfet可能会耗散大量功率,这将是一个问题。

为了快速过渡,您需要在arduino和mosfet之间使用栅极驱动器电路。此外,如果您打算使用连接到电源正极的mosfet,则必须使用栅极驱动器电路。在这种情况下,arduino无法在栅极和源极端子之间产生正电压,因为源极将根据负载电流条件而浮动。


谢谢(你的)信息。因此,您的意思是说,如果将MOSFET的源极连接到电源的正极,则需要驱动器电路吗?但是,如果负载后连接了源极,然后将其漏极接地,我可以在没有驱动电路的情况下进行控制吗?
John Leuenhagen '18

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嗨@JohnLeuenhagen。实际上,如果N沟道MOSFET连接到电源的正端子,则应通过其漏极而不是其源极引脚进行连接。如果将N-MOS的源极连接到电源的正极,而将漏极连接到负载,则由于其固有的体二极管,它将始终导通。
路易斯·波萨蒂

关于驱动程序的需要:如果将源极引脚连接到微控制器的接地电位,则只能用微控制器直接驱动N沟道MOSFET。这样,您只需将uC的GPIO拉至逻辑高电平,即可以比源极更高的电压来驱动栅极。但是,在像您这样的应用中,最好使用栅极驱动器,因为它将使开关速度更快,并为栅极充电更高的电压(10V〜15V),从而降低了导电通道的电阻,从而降低了功耗。
路易斯·波萨蒂

我知道了。那么将栅极充电到更高的电压会使开关更快吗?因为如果是这样,您可以使用漏极连接到+ 12v且源极连接到第一个mosfet的栅极的第二个mosfet来控制它吗?
John Leuenhagen '18

您提到的电路可以对主MOSFET的栅极充电,直到某个值低于5V,因为次级MOSFET的Vgs不足以将其保持在导通状态。看一下这篇文章,该文章解释了mosfet切换的基本原理:nutsvolts.com/questions-and-answers/mosfet-basics
Luis Possatti

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Google的“固态继电器”,您会发现比想知道的更多的东西。如果需要,他们可以与AC合作。它们是独立的,并内置有必需的保护电路。


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请注意,并非所有固态继电器都将切换DC,许多固态继电器AC(通常是因为它们使用三端双向可控硅开关元件或晶闸管作为开关元件)。同样,如果您从eBay或Amazon购买,它们可能符合或不符合规格或具有“保护电路”。当然,对于分立晶体管也是如此。
jms

感谢您的评论。同样,许多这样的设备会产生可怕的传导和辐射EMI!在永久安装之前需要检查一下。
richard1941
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