NPN晶体管的集电极-发射极电阻是多少？

这个问题看起来很荒谬，因为我不确定集电极-发射极电阻是否存在。这是一个简单的公共发射极电路

据我了解，当Vb增加时，会使Ib增加，因此Ic也必须增加。当Ic随负载电阻而增加但Vcc恒定且Ic =（Vcc-Vc）/ RL（负载电阻）时，Vc必须减小，反之亦然。那普通的发射器如何工作

现在，我关心的是Vcc与地之间的电压降是恒定的，而且是负载电阻值。假设在发射极和地之间没有使Ve = 0且Vb = 0.6-0.7的东西，而Vc更大（取决于负载电阻）。因此，必须存在一些浪费能量的事情，以使Ve = 0导致集电极和发射极之间的电压降。在集电极和发射极之间是否有类似改变电阻的作用。

换句话说，要使集电极和发射极之间的电压下降，它们之间必须有类似电阻的作用，对吗？如果不是，那么电压差会如何变化？

在其他配置中，集电极-发射极也具有电阻吗？

BJT集电极电流方程为

$$i_C = I_S\cdot e^{\frac{v_{BE}}{V_T}}\left(1 + \frac{v_{CB}}{V_A}\right)$$

其中是早期电压。但是，这个公式通常写成$V_A$

$$i_C = I_S\cdot e^{\frac{v_{BE}}{V_T}}\left(1 + \frac{v_{CE}}{V_A}\right)$$

从而

$$\frac{\partial i_C}{\partial v_{CE}} = \frac{I_S\cdot e^{\frac{V_{BE}}{V_T}}}{V_A} = \frac{i_C}{V_A + v_{CE}}$$

显然，这是集电极-发射极电压和集电极电流的非线性函数，因此不能将其解释为电导。

$I_C$$V_{CE}$

$$I_C + i_c \approx I_C\left(1 + \frac{v_{ce}}{V_A + V_{CE}} \right) = I_C + \frac{v_{ce}}{r_o}$$

哪里

$$r_o = \frac{V_A + V_{CE}}{I_C}$$

$r_o$

它不是真正的电阻，因为它不是恒定的，而是随晶体管的工作点而变化，如公式所示。

您有几个很好的答案。我将尝试添加一些直观的见解。

当晶体管偏置到不饱和时，它的行为就像一个电流吸收器（记得一个完美的电流吸收器具有无限的阻抗），因此集电极-负载结看起来像一个电压源，其戴维南等效源阻抗等于负载电阻。电压取决于基极电流和β。这等效于阿尔弗雷德（Alfred）撰写的内容，但具有无限的早期电压。由于早期电压而导致的集电极阻抗与负载电阻并联，因此要想得到一个不带负载电阻的实际答案，您必须像阿尔弗雷德一样将其包括在内。

当晶体管饱和时，它的行为更像是<< << 1伏特的电压源，其小信号源电阻非常低。

简单来说：集电极的行为就像一个电流吸收器，集电极电压稳定在任何可以使该电流量通过的值上（尽管它不能低于大约V _e + 0.2V）。

在您的示例电路中，可以将集电极-发射极结视为可变电阻，其值取决于放大器输出端的电子状况。它还像电阻一样发热：I _c * V _c =瓦特产生的热量，晶体管发热。

如果电源电压和负载电阻保持恒定，则随着基极电流变化，集电极电压和电流也会变化。

这样的话，那么对于任何集电极电流，在集电极和发射极之间都必须有一个电阻，使得：

编辑：

$$R2 = \frac{E2R1}{E1 - E2}$$

其中R2是晶体管的集电极-发射极电阻，E1是电源电压，E2是集电极-发射极电压，R1是负载电阻。

这并不是真正要问的问题。半导体确实具有抗电流流动性，电容器也具有抗流动性。开始的方法是询问晶体管两端的电压降是多少。这是通常为每个组件发布的值。这样，当您了解特定的工作条件时，就可以轻松计算电压和在电路其他部分中放置的适当电阻。