MOSFET和BJT之间有什么区别（从电路分析的角度来看）？

在分析其中装有晶体管的电路时，它们是MOSFET还是BJT会有什么区别？

transistors analysis

我写这个其他问题的答案适用于这样一个问题： electronics.stackexchange.com/questions/14440/...

主要差异/粗糙：MOSFET由电压驱动，可有效控制双向电阻通道的电阻。要保持BUT所需的零电流（因此0功率），需要将大量电荷扫入和移出栅极以改变驱动，因此栅极处的高电流瞬变。| BJT由电流驱动，并控制一个单向结，该单向结的通过电流的能力受到控制。基极需要与集电极电流相关的电流，因此导通时需要静态功率。在某些情况下，使用外部驱动器和反馈电路将允许MOSFET和BJT互换。

— 拉塞尔·麦克马洪

何时使用什么晶体管的

— Olin Lathrop 2012年

Answers:

从设计的角度来看，主要和最明显的区别是基极电流：正如罗素所说，双极性是电流驱动的，这意味着流入集电极的电流将与流入基极（和发射极）的电流成比例。将输出KCL的总和）；MOSFET具有极高的门极阻抗，只需将电压高于阈值即可激活它。

$h_{FE}$

另一方面，其固定增益可能不足以将其用作开关，在该开关中，低功率输入用于接通大电流负载：在那种情况下，达林顿配置（两个级联BJT）可以提供帮助，但是MOS没有这个问题，因为它的电流增益实际上是无限的（如我们所说，没有门电流）。

另一个可能相关的方面是，由栅极中的电荷控制的MOS不希望它处于浮动状态（未连接）：在这种情况下，它会暴露于噪声中，并会导致不可预测的行为（可能破坏性的）。从这个意义上讲，需要基极电流的BJT更坚固。

通常，BJT还具有较低的阈值（MOS约为0.7 V VS 1+ V），但这非常取决于器件，并不总是适用。

— 克拉巴乔
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我见过的MOSFET字面上吃在大门口（你忽略的栅极电容和高工作频率的晶体管性能）当前的巨额!! 如果您不提及晶体管背后的模型，这不是一个有效的答案...否则，您的解释听起来像是一堆规则，这些规则来自谁知道晶体管遵循的位置...列出晶体管遵循的所有规则将导致许多if甚至更多的矛盾。请参考该模型，它本身会说:)

— gmagno 2012年

@gmagno我们可以整天谈论模型，二阶和高频效应，温度依赖性和短通道效应；我只是想给OP暗示一些有关使用晶体管的电路的期望。模型中没有提到某些内容，而更可能在数据表中找到。我只是从理论知识中了解到我所假设的许多错误。

— clabacchio

我认为描述理想的MOSFET与理想的BJT有何不同是公正而有用的，并且由于理想的MOSFET没有栅极电容，因此它没有栅极电流。另一方面，提及MOSFET和BJT与理想模型不同的定性方法也将有所帮助。栅极电容以及热响应应是其中的一部分。BJT变热时的导电性能更好，而MOSFET的导电性能较差，因此会影响导致热稳定性的情况以及导致热失控的情况。

— 超级猫

@supercat好的，我同意你们俩，而且我也认为了解他们的工作方式会更好地理解他们；我要说的是，常常很难知道MOS晶体管的Ids方程，因为它包含数据手册中没有的参数。因此，使用它会导致卡住。

— clabacchio

@clabacchio：我倾向于认为MOSFET具有一定的栅极电压，低于该栅极电压它们会“关断”，超过另一个电压会使其处于“导通”状态，并且会传导一定的最小电流量（可能的话，可能会更多），以及它们可以在其中执行所需操作的电压范围。这不是一个非常详尽的模型，而是一个在定义的部分上非常符合实际情况的模型，并且该模型足以满足许多目的。

— 超级猫

数量差异：

这实际上取决于要处理的电路类型和电压水平。但是一般来说，晶体管（BJT或FET）是一个“复杂”组件（用复数表示，它不是电阻器，电容器，电感器也不是理想的电压/电流源），从电路分析的角度来看鉴于此，您应该首先为晶体管选择正确的模型，即由代表晶体管性能的非“复杂”组件构成的电路（对于Hybrid-pi模型为google），以便对其进行分析。现在，如果您同时查看BJT模型和MOSFET模型，您将能够定量比较它们并了解它们之间的差异。选择正确模型的方式取决于不同的因素，即：

准确性
复杂
如果是小信号还是大信号

（仅举几个）

定性差异：

在论坛上查看一些有关晶体管的文章（例如，David Kessner的文章）

— 玛格诺
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抱歉，但这不能回答问题，只是解决问题的一种抽象的，某种程度上是哲学的方式。只谈论基础电流会更好。

— clabacchio

谈论基础电流会低估这个问题。通常，我会尝试提供概念帮助，而不是将答案限制在显而易见的以及课堂上通常听到的内容上。

— gmagno 2012年

在分析电路时，这将有所不同，因为BJT的等效电路模型与FET不同，因为它们在BJT的特性之前就不像FET。

从这张照片可以看到 FET的等效模型

这是由于FET的输入电阻很大。

顺便说一下，如果我们使用不利的配置，则输入电阻器my会变小，就像使用公共栅极或公共基极时发生的那样。

— 亚希·塔维尔（Yahya Tawil）
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