Questions tagged «transistors»

晶体管是可以放大信号并切换功率的半导体器件。最常用的类型是双极型(BJT,用于双极结型晶体管),UJT(单结型晶体管)和MOSFET(FET,用于场效应晶体管)

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反冲二极管应该放在晶体管开关的什么位置?
用晶体管驱动感性负载时,我们使用反冲二极管。 据我了解,反冲二极管为感应电荷的放电提供了一条路径。另外,电感器将尝试抵抗电流的变化,变成类似电压源的形式,在电流中断的情况下(例如,当晶体管关闭时)将以以前的方式提供电流。 )。 在以下电路中,反冲二极管有两种不同的放置方式。D1以合理的方式放置,因此L1中的电荷将通过它放电,从而保护Q1的集电极免于过压或击穿。 但是,第二条带D2的电路对我来说毫无意义。D2反向偏置时如何防止损坏?我很少看到这种配置,但是我在Lenze驱动程序原理图中看到了它,无法理解。 D2如何防止归因于反冲的任何损坏?

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BJT晶体管如何在饱和状态下工作?
这是我对NPN BJT(双极结型晶体管)的了解: 基极-发射极电流在集电极-发射极处被放大了HFE倍,因此 Ice = Ibe * HFE Vbe是基极-发射极之间的电压,并且与任何二极管一样,通常约为0.65V。不过,我不记得了Vec。 如果Vbe低于最小阈值,则晶体管断开,并且没有电流通过其任何触点。(好的,也许有几微安的泄漏电流,但这无关紧要) 但是我仍然有一些问题: 晶体管饱和时如何工作? 除了Vbe低于阈值以外,是否可以在某些条件下使晶体管处于打开状态? 此外,请随时指出(在答案中)我在这个问题上犯的任何错误。 相关问题: 我不在乎晶体管如何工作,如何使它工作?




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我用硅代替锗晶体管有关系吗?
我今天在这篇惊人的文章中发现了计算机黄金-它详细介绍了大约1967年基于400锗晶体管的数字位串行计算机的构造。在我希望花大约120美元建造它之前,我注意到它指定了锗晶体管用于施工。我当时正在考虑使用它们作为替代品-但我不完全确定这是否合适。是否会出现电压差或其他电气问题,或者我可以直接获取其面值吗?谢谢您的帮助!

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最简单的计算机内存(Pi0K)
我想制造最简单的计算机。我不在乎速度或存储,实际上,低速和低存储是一个巨大的优势,因为我想用晶体管(理想的是继电器)来构建它,并且我希望每个状态都有一个LED。它会通过一个Raspberry Pi进行编程,该Raspberry Pi将托管一个摄像头,以便您可以看到每个时钟周期正在执行(是的,它将以Hz而不是GHz的频率运行)。这将是一个开放式设计,意在让学校可以购买零件,了解和改进设计。因此,总预算必须低于400英镑,最好是100英镑左右。 我已经对此进行了多年的研究,并且对CPU有很好的想法(最少的寄存器,DIP开关中的微码以及用于减少晶体管数量的位串行逻辑/算术运算)。我不知道如何获取内存,我想要1024到8096位。 我能想到的最好的是两个6位n分之一的解码器,可以访问64 x 64的电容器网格。他们要么在里面充电,要么没有,读书会强化这种状态。电容器上将没有LED,因为此“ DRAM”的刷新将以顺序或分钟为单位(这很可惜,因为这将是唯一不显示状态的部分)。 其他想法包括某种形式的磁带驱动器(紧凑的盒式磁带机制:大容量存储,过于复杂,无法寻道),鼓式存储器(豆罐周围的带子:太难使机械师正常工作),机械式存储器(自行车车轮和滚珠轴承:太多的位错误),核心内存(大型硬铁氧体磁芯:要达到所需的规模仍然非常棘手),磁带/卡(我们仍然可以购买磁带阅读器),带有二进制打孔的旋转磁盘以及一些磁性用于存储的内存(构建起来太复杂)。 最终目的是发布可以在学年中构建的设计,其中CPU和内存的所有部分都是“可见的”,因此您可以看到指令提取,解码为微代码以及地址解码/注册访问/逻辑全部。在几分钟内发生。 如果有人对真正便宜的内存(<< 100英镑)有确切的想法,那么请告诉我。 托尼 PS当前的播放状态在http://www.blinkingcomputer.org/

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晶体管S8050 D 331在1MHz
首先,我告诉您,我对电路中的晶体管了解不多。我有一个晶体管S8050 D331,它的连接方式如下图所示。我遇到的问题是当我应用300 KHz以上的输入方波信号时。晶体管跟不上那么快。那是正常的吗?数据表中标明150 MHz转换频率。 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 输入信号为100 kHz时的输出: 以300 kHz的输入信号输出: 以500 kHz的输入信号输出:

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用MOSFET和微控制器驱动直流电动机?
我正在开发一个使用Atmega328微控制器,功率为3.3V的纳米四轴飞行器以及非常小的有刷直流电动机。这些电机使用的平均电流约为3.7V时为800mA。 最初,为了驱动它们,我使用了L293D电机驱动器,但是该组件效率很低。电动机以最大功率运行时测得的电流约为500mA,因此推力远低于应有的水平。 现在,要解决此问题,我将用4个逻辑电平MOSFET替换该电机驱动器。经过长时间的搜索,我找到了这个(2SK4033)。 你知道它是否应该工作吗?我必须与二极管一起使用吗?如果答案为“是”,那么这个(MBR360RLG)怎么办? 我之所以选择这些组件也是因为我可以从同一家在线商店购买它们。

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双极结型晶体管的基本操作
我非常努力地了解晶体管的基本工作原理。我已经看过很多书,也去过论坛,但是从来没有令人信服的答案。 以下是我要了解的内容: 除非向基极施加电压,否则晶体管类似于反向偏置二极管。由于发射极-基极结是正向偏置的,因此会有电子(例如-npn)的传导。那会发生什么呢?这些来自基极的电子真的会突破集电极-基极结的势垒,然后合并的电流流向发射极吗?(IB + IC = IE) 为什么我们会越来越流行?放大在哪里?不可能就像无中生有。我知道我在这里缺少一些关键点。有人可以简单地向我解释清楚吗? 我已经尝试了一周以了解这一点。:(
13 transistors  bjt  basic 



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晶体管的替代品
我只是想很好奇,所以我试图考虑替代晶体管。我并不在乎晶体管的放大特性,而是因为它们具有逻辑门的能力。这是到目前为止我所能获得的,请有人可以添加到我的列表中吗? 真空管:duh 继电器:常闭继电器是制造任何逻辑门所需的全部。常开继电器也很有用。 磁放大器:磁放大器可用于制作逻辑门,类似于晶体管晶体管的逻辑。 铁氧体磁环:事实证明它们可用于执行逻辑运算,但不能像普通逻辑门一样使用。http://www.youtube.com/watch?v=nQXjm7ru--s

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需要一个工作频率高达2至3 GHz的XOR门
我遇到了一种不寻常的情况,我需要一个XOR门,当出现频率为2至3 GHz的方波输入时,该门将能够可靠地工作。我知道台式机CPU的逻辑门可以这些速度运行,但是我不知道有任何集成电路可以做到这一点。我应该尝试用晶体管来构建门吗? 另外,以这些速度,我是否需要担心使用地平面,斜接弯头和微带线?

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自举对放大器电路的影响
我试图了解这种“自举偏置”放大器电路。下面的图片改编自GJ Ritchie的“晶体管技术”一书: 该电路是“分压器偏压”的变型,在加入了“自举组件”的和Ç。作者解释说,使用R 3和C是为了获得更高的输入电阻。作者对此进行了如下解释:R3R3R_3CCCR3R3R_3CCC 加上自举组件(和C),并假设C在信号频率下的电抗可忽略不计,则发射极电阻的AC值由下式给出:R3R3R_3CCCCCC R′E=RE||R1||R2RE′=RE||R1||R2R_E' = R_E || R_1 || R_2 实际上,这表示的小幅下降。RERER_E 现在,随着射极电阻的发射极跟随器的电压增益 是甲= - [R ' ÈR′ERE′R_E',这是非常接近于1。因此,与输入信号v我Ñ施加到基,与在发射极出现的信号(甲v我Ñ)被施加到的下端- [R3。因此,出现在整个信号电压 - [R3是(1-甲)v我Ñ,比全输入信号,并且非常少得多- [R3现在似乎具有的一个有效的值(AC信号):- [R'3=A=R′Ere+R′EA=RE′re+RE′A=\dfrac{R_E'}{r_e+R_E'}vinvinv_{in}AvinAvinAv_{in}R3R3R_3R3R3R_3(1−A)vin(1−A)vin(1-A)v_{in}R3R3R_3。R′3=R31−A≫R3R3′=R31−A≫R3R_3'=\dfrac{R_3}{1-A}\gg R_3 为了理解这一点,我制作了电路的AC模型。这是AC模型: 从AC模型中,我可以验证作者关于发射极电阻为的说法。| R 1 | | R 2和节点中标记为V的电压略小于输入电压。我还可以看到,R 3两端的电压降(由V i n - V给出)非常小,这意味着R 3将从输入中汲取很少的电流。RE||R1||R2RE||R1||R2R_E || R_1 || R_2R3R3R_3Vin−VVin−VV_{in} - VR3R3R_3 但是,从该解释中我仍然不太了解两件事: 1)为什么我们可以简单地将公式用于发射极跟随器电压增益()这里,忽略的效果- [R3?A=R′Ere+R′EA=RE′re+RE′A=\dfrac{R_E'}{r_e+R_E'}R3R3R_3 2)说对于交流信号似乎具有不同的“有效值”是什么意思?我不明白为什么R 3会改变价值。R3R3R_3R3R3R_3 …

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