Questions tagged «transistors»

晶体管是可以放大信号并切换功率的半导体器件。最常用的类型是双极型(BJT,用于双极结型晶体管),UJT(单结型晶体管)和MOSFET(FET,用于场效应晶体管)

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这是当前镜子吗?
我在线性升压转换器的应用笔记AN-19中看到了这一点。它是用于升压转换器的误差放大器。 我不太清楚Q55和Q56的符号是什么。我最好的猜测是当前的镜子。我对么?

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什么是数字万用表的hFE的完整形式?
在数字万用表中,具有晶体管检查功能,并且术语hFE。我不知道如何使用它,但是,不同的网站说这是测量晶体管的增益(“ Ic / Ib之比”), 例如:https://www.quora.com/What-does -hFE-平均值-万用表等 。 但是我想知道,hFE的完整格式(完整名称)是什么?


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微芯片上的显微晶体管是如何制成的?
像微芯片这样的东西已经很小了,因为它能够以这种微尺度容纳数百万个甚至更小的晶体管,这又是怎么回事?对于机器来说,能够做得如此小巧并且功能强大似乎是一项壮举。也许我对此考虑过度,或者缺乏理解,但是如何才能制造出一个如此小的晶体管,用肉眼无法看到却起作用。什么机器可以做到这一点?特别是在60年代。

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保护NPN晶体管免受基极-发射极负电压影响?
我有一个电路,使用BC548晶体管将5V RS-232极性信号(逻辑0 = + 5V,逻辑1 = -5V)转换为3.3V TTL极性(逻辑1 = 3.3V,逻辑0 = 0V)。 它形成一个非门,因此当RS-232输出为高电平时,它将输出拉低,反之亦然。 作为参考,RS-232设备(一个GPS接收器)以9600bps的速度传输并连接到Raspberry Pi的UART。 我的电路看起来像这样: 但是,由于RS-232输入的负电压,这​​种配置会导致晶体管在基极-发射极结两端看到-5V的电压。BC548的最大Vbe为-6V,但我想通过最小化基极-发射极结两端的任何负电压来保护晶体管。 经过一番搜索之后,我在Raspberry Pi论坛上发现了一个帖子,该帖子建议使用以下电路来保护晶体管免受负电压影响: 我已经构建好电路,并且看起来很成功:最低的Vbe电压约为-0.5V。我的数字万用表每秒仅更新约5次,并且我没有示波器看得更清楚,但是以前显示的最低Vbe电压约为-5V。 我的问题是这样的: 为什么将二极管放置在原处?如果我正确地解释了情况,则意味着最低的Vbe与二极管的正向压降相同,并且会有电流从地通过电阻R1流入负电压RS-232引脚。将二极管放置在RS-232输入和R1之间或R1和晶体管Q1之间是否更有意义,以阻止任何电流流入该引脚? 原理图说要使用我使用的1N4148高速二极管。使用1N4001代替1N4148有什么缺点吗?9600bps表示每个位的长度约为100uS,1N4001的典型反向恢复时间为2uS。1N4148的典型反向恢复时间为4nS-显然1N4148的开关速度更快,但是在这种情况下真的有所作为吗?

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什么是肖特基二极管?
谁能告诉我什么是肖特基二极管?方案?符号?在哪里使用?我的意思是使用哪种类型的电路?以及用于什么? 我已经在网上搜索,但没有找到我想要的东西。

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需要帮助计算晶体管基极的电阻
我有3个想与Arduino一起使用的12VDC / 40A汽车继电器(数据表)。根据本教程,我关注(链接)我需要晶体管,电阻器和二极管。我不是电气工程师,因此不确定我所做的零件和计算。 首先,每个数据表的继电器线圈电阻为90 + -10%Ohm。因此,我首先计算电流。 电压=电阻*电流 电流=电压/电阻 电流= 12V / 90 欧姆电流= 133mA 对于晶体管,我可以获得2N3904或2N4401。此时,我必须计算晶体管基极的电阻。在教程中如下 hfe = Ic / Ib Ib = Ic / hfe Ib = 0.03 A / 75 Ib = 0.0004 A => 0.4毫安 R1 = U /磅 R1 = 5V / 0.0004安 R1 = 12500欧姆 2N3904数据表指出,当lc …

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使用微控制器打开LED灯条
我有60个LED装在一个LED灯带中。一米长的LED灯条需要满足以下条件: 400毫安 12伏 我想用微控制器控制这些LED。我正在考虑使用TIP120和raspberryPi。 甲树莓派GPIO管脚可以输出连续50毫安。(更新:这是不正确的,请参见下文) 我是一个初学者,不确定执行正确的方法。我所有的计算都是基于我在此博客上阅读的内容。 数学 基本电流: TIP120的集电极电流为lc = 250 * lb,因此我需要1.6 mA的基极电流。 (1.6mA * 250 = 400) raspberryPi的Base current应该没有问题 基极电阻: 我需要一个足够低的电阻,以确保TIP120基极保持饱和,但保持低于50 mA的电流,以免使raspberryPi过载。 根据我提到的博客,我通过查找Vbe(sat)来找到基本电阻。见图2。 在x轴上Vbe(sat)为400的情况下,集电极电流在y轴上约为1.3。 如果raspberryPi输出3.3伏,则压降为2伏 (3.3-1.3) 因此,根据我的计算,我需要一个4到40欧姆之间的电阻R = V / I 2 /(0.05 A)= 40欧姆 2 /(0.50 A)= 4欧姆 (更新:不正确,请参见问题底部) 我仍然认为自己是业余爱好者,我有点不知所措。 这些计算看起来正确吗? TIP120可以工作吗?(欢迎其他任何建议) 原理图还有其他考虑因素吗? 更新资料 正如答案中指出的那样,我将毫安额定值打错了10倍。我应该说: 2 /(0.005 …

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P沟道MOSFET高侧开关
我正在尝试减少P沟道MOSFET高侧开关的功耗。所以我的问题是: 有什么方法可以修改该电路,以便无论负载如何,P沟道MOSFET始终处于“完全导通”状态(三极管/欧姆模式)? 编辑1:请忽略开/关机制。问题仍然是相同的:我如何始终保持V(sd)尽可能最小(P-MOSFET完全导通/欧姆模式),而与负载无关,从而使MOSFET的功耗最小。 编辑2:开关信号是直流信号。基本上,电路取代了开关按钮。 编辑3:电压开关30V,最大电流开关5A。

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如何构建2N6027 PUT?
与此问题类似,我需要替换可编程单结晶体管[PUT]。具体来说,我试图模仿2N6028数据表中描述的行为。但是,我想用普通的晶体管制造自己的晶体管,而不是购买一个。 我在Makezine论坛上找到了此页面,有人问了同样的问题。这链接到edaboard 上的此页面,其中包含原理图,但是我不确定OP的“两个基本B1 B2”是什么意思,或者不确定以下原理图: 表示我恰好需要那些特定的晶体管,或者是否可以替代其他双极晶体管(例如BC548B)。 出于好奇,我并不是说这是一个功能项目,但我有兴趣尝试从其他组件中构建组件。我可能学到一些东西,我可能不会学到一些东西。我期待找到答案。我正在阅读《制造:电子产品》一书,其中一些关键的开始实验要求使用PUT。我知道PUT很旧,但是出于好奇,我对此很感兴趣。

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如何找到晶体管的替代品?
我有一个使用BC106和2N3634的电路,这些电路在商店(我住的地方)找不到。有没有可以帮助我找到等效晶体管的网站? 例如,我想用行为相同的其他产品替换BC106和2N3634。任何建议,将不胜感激。


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晶体管基础
一段时间以来一直困扰着我。当我看一个涉及比RLC组件更复杂的电路(也许还有运放)时,除非我已经看过它的配置,否则我很难弄清楚它在做什么。 相比之下,我非常有信心,无论我给的RLC电路多么复杂,我最终都能弄清楚。 现在,当我分析RLC电路时,我的工具基本上是 V= 我[RV=IRV = IR 一世= CdvdŤI=CdvdtI = C \frac{dv}{dt} V= L d一世dŤV=LdidtV = L\frac{di}{dt} 这些组件的并联和串联组合(我想这与基尔霍夫定律并没有真正分开,但是...) 基尔霍夫定律 所以我要问的是,我缺少用于分析更复杂电路的工具吗?我主要想知道如何分析涉及BJT和FET的电路。晶体管的工作方式似乎太多了,很难使它们保持直通状态。有人知道一个介绍所有内容的好网站吗? 谢谢 编辑我还想提一提,实际上,温度变化时会有。我暂时不关心这一点,我同意stevenvh所需要的仿真,但是我希望能够充分了解这些概念,以设计电路,然后再进行仿真等调整。V≠ 我[RV≠IRV \neq IR


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PUT和普通晶体管有什么区别?
可编程单结晶体管和普通晶体管有什么区别?我正在阅读《 Make:Electronics》一书,它说我需要其中一本。有人可以用某种非技术术语向我解释它是什么吗?

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