Questions tagged «transistors»

BD679晶体管的数据表列出了“发射极基极电压”的最大值为5v的绝对最大额定值。 这个图使我感到困惑-我的（BJT）晶体管的心智模型具有从基极到发射极的等效路径，与二极管的等效，并且电位差无关紧要-是电流控制着栅极。 我搜索了这个词，结果中得到的像这其中似乎谈论的晶体管的不同属性。 符号（“发射极基极电压”与“基本发射极电压”相对）使我认为这可能是指可跨接在基极发射极上的最大“负电压”，而不是正常操作中的最大“负电压”。这个对吗？ 如果不是，那么这个数字是什么？与该器件的其余部分相比，是什么导致该结的最大值这么低？

12 transistors  bjt 

为NPN晶体管基极选择电阻的方法是什么？ 我想在如下所示的设计中将P2N2222A用作开关。当我的基极电压为（1.8 V）时，我希望在NODE1与地面之间建立连接。 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图

12 transistors  resistors  bjt  npn 

我正在构建一个LED微调电路，并且正在对其进行优化。整个电路本身仅吸收约10-20mA的最大值。我今天正在看电路的这一部分： 现在您可以看到，当我的开关位于位置5时，它会关闭电路。但是，现在当我的电路关闭时，仍然有电流流过下拉电阻，从而耗尽了电池的电量。我知道这是一个很小的电流，但是我想知道是否有一种方法可以使该开关在关闭时不会吸收任何电流。 编辑：我应该把整个电路都放进去。

11 transistors  switches  pulldown 

我刚刚读了一份应用笔记，但对这句话感到困惑：“工程师们经常将MOSFET视为单个功率晶体管，但它是成千上万个并联的微小功率FET单元的集合。” 这怎么可能 ？在每一堂课中，我都是以单个本体而不是“数千个功率FET单元的集合”来了解MOSFET的横截面的。 所以问题是：该应用笔记是指一种特殊类型的MOS还是我一生都在撒谎？

11 transistors  mosfet  cmos 

我刚刚购买了Arduino Uno套件，并且正在研究套件随附的手册中的所有项目。从最简单的LED和电阻电路，到对Arduino板，面包板的感觉，以及将我已有30多年未使用的电子知识抹去的知识。它需要除尘。 电路之一只是简单地演示使用电动机和NPN晶体管的电源开关。据我了解，除了二极管的功能外，我还了解了这种最基本的电路的各个方面，据我所知，它们在电路的工作中不起作用。肯定有一个原因，所以我的问题是：那是什么原因？

11 transistors  motor  diodes  basic 

我们每天都在使用它们，有经验的人会充分了解BJT晶体管的功能特性。有大量文档和链接解释了运算数学。甚至还有成千上万的精美视频，它们解释了当前身体如何运作的理论。（后者中的大多数由出于某种原因讲“电话营销英语”的人提供。） 但是，即使在40多年后，我也不得不承认很多，但我还是要以票面价值来接受，因为关于集电极接点如何适合方程式的描述总是有些费事。 不管怎么说，我真的只是不了解其中一个方面。它似乎无视物理学定律，即基尔霍夫定律等。 我说的是您的标准饱和公共发射极电路。 众所周知，并且我们接受的是，饱和时，集电极电压将小于基极电压。显然，我们在电路中利用了它的优势，并选择了一些器件来为特定的负载电流提供尽可能低的Vce-Sat。 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 一切顺利，直到您了解典型NPN晶体管的典型模式... 集电极的电压到底会比该夹层中的基极低吗？ 即使在其中添加一些反电动势类型的电压来解决，集电极电流也将错误地通过基极-集电极结。

11 transistors  bjt  physics 

建议使用以下设计来通过微控制器驱动负载。我想知道为什么需要使用2个晶体管（n-ch和p-ch）作为开关，而不仅仅是一个？ 我搜索了Google和youtube，大多数页面都使用一个晶体管（主要是n-ch）进行切换，例如以下页面： http://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran_7.html 您能否解释一下这种设计（2个晶体管）相对于一个晶体管开关的优缺点？ 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图

11 transistors  switches 

我遇到了一个教程，在该教程中，由于得出的结论，我认为上述BJT NPN电路是错误的。 但是当我对该电路进行仿真时，我发现结论是正确的。 我完全感到困惑，似乎对晶体管的行为有一些基本的误解。 上面的电路未通电。没有Vcc。输入电压Vin从零增加到1V。 下面是输出电压Vout相对于Vin的曲线图： 下图是相对于Vin的通过负载的电流I（Rload）和集电极电流Ic。 题： 我的困惑是，当晶体管的集电极和发射极端子之间没有电位差时，任何电流如何形成并流过集电极和Rload。 根据该图，由于I（Rload）+ Ic = 0，因此似乎满足了KCL。 但是我不了解当前的方式是如何形成和流动的。 如果有人问我，我会说：“电流将从基极流到发射极，从而流到地面。没有电流流过负载，而Vout将为零。” 我完全不知道这个电路。我认为显然有问题。为什么电流会以这种方式循环？

11 transistors  bjt 

我正在阅读教科书中的示例。对于上述电路，作者声称，当R3小于100欧姆时，Q3将不会切换。我不知道为什么的“原因”。但是我用LTSpice验证了作者是正确的。他只是不解释原因。 如果说Q2接通时R3接近于零，为什么Q3也不能接通？

11 transistors  switches  bjt 

我设计了以下电路，以将12-20V信号连接到运行3.3伏特的微控制器。信号为20V或开路。 我希望电路尽可能具有弹性。它应该能够处理EMI和ESD。 R1用于限制电流并使晶体管偏置。 C1用于实现低通滤波器。 R2用于下拉晶体管基极并使电容器C1放电，20V输入为20V或开路。 D1用于保护晶体管不受基极负电压的影响。 R3上拉微控制器引脚。 欢迎对此电路进行任何评论和改进。 附带的问题：该晶体管可以承受的最大正电压是多少。数据表中规定峰值基极电流为100mA。如果基极保持在0.7伏，则输入可以高达1000伏（10k欧姆* 100mA）。但是，如果输入为1000伏，则分压器会将电压设为500伏。根据数据表，最大Vcb为60V。

11 microcontroller  pic  transistors  bjt 

这个学期，我们将设计一个音频放大器。到目前为止，在我们的演讲中，我们仍在BJT上，根据我所听到的内容，与BJT上的详细内容不同，将仅部分讨论FET。无论如何，我想尽早提出一个想法，以便我可以计划要使用哪种晶体管以获得最佳音频放大效果。我读过一些文章，其他晶体管（BJT / FET）的性能如何更好，但是其他论坛则指出，性能不取决于组件，而是取决于晶体管的正确偏置方式和电路的正确设计方式。 在设计音频放大器时，晶体管的四个子类型中哪一个最有效？（NPN / PNP / JFET / MOSFET） 顺便说一下，我教授的要求就是这样：打动我。目前，我的小组尚未决定具体的电路（功率，阻抗等）。

11 transistors  audio  amplifier  bjt  fet 

我一直在考虑在我的电路之一（PWM LED调光器）中用TIP102替换2N3904和TIP31C，并且在TIP102原理图电阻器中注意到从每个基极到发射极的电阻。我当前的电路没有这些，我想知道它们的作用是什么，以及我的电路是否应该具有它们。

11 transistors  darlington 

我正在尝试使用Raspberry Pi的GPIO引脚控制我的车库门遥控器。不用驱动继电器，只需将遥控器上的按钮短路即可。这是我应该怎么做吗？我需要保护二极管吗？如果需要，应该去哪里？ 将3.3V GPIO引脚引用到与远程地不同的地（Raspberry Pi地）是否重要？ 还要感谢有关晶体管使用和电阻值的指导。 更新; OP评论提供的更多信息：检查后，您是对的，按钮只是将电路短路至9V电池的返回路径。我主要关心的是当遥控器上的所有器件均处于悬空状态时，将3.3V参考至GND。

11 transistors  raspberry-pi  gpio 

我做了以下电路： 接通电源后，C1充电并且LED点亮。断开电源后，LED逐渐变暗。当C1达到1.5V左右时，它关闭。 我正在尝试让第一个LED熄灭时另一个LED点亮。所以基本上，我希望在电容器的电压低于1.5V时打开电路： 我正在使用SS9014晶体管（图中显示了其他内容）。我对读取晶体管数据表不太熟悉，因此我不知道导致晶体管关闭的条件。是一定的电压还是一定的安培数使其导通？ 如果是某个安培数，那么我可以调整R2以在C1低于1.5V时使LED2点亮，对吗？那安培数是多少？ 如果不是通过安培数使Q1导通，则必须是电压。我认为电压低于1.5V，因为1.5V可以将其打开。在这种情况下，我有哪些选择？是否有办法（或可能是4000串联IC？）将C1的1.5V降低到使基极导通Q1的最小电压？如果是这样，那电压是多少？ 抱歉，我的问题令人困惑。随时在评论中提问。

11 transistors 

在学校里，我曾教过PMOS和NMOS晶体管以及增强和耗尽型晶体管。这是我所了解的简短版本： 增强意味着该通道是正常关闭的。耗尽表示通道为常开状态。 NMOS表示通道由自由电子组成。PMOS表示通道由自由孔组成。 增强型NMOS：正的栅极电压吸引电子，从而打开沟道。 增强PMOS：负栅极电压吸引空穴，从而打开沟道。 耗尽NMOS：负栅极电压排斥电子，从而关闭沟道。 耗尽型PMOS：正的栅极电压排斥空穴，从而关闭沟道。 自从我开始谋生设计工作已经六年了，至少有一次我想要（或者至少以为我想要）耗尽型PMOS晶体管。例如，对于电源的自举电路来说，这似乎是一个好主意。但是似乎没有这样的设备。 为什么没有耗尽型PMOS晶体管？我对它们的理解有缺陷吗？他们没用吗？不可能建造？建造起来如此昂贵，以至于首选其他晶体管的便宜组合？还是他们在那里，我只是不知道在哪里看？

11 transistors  components  nmos  semiconductors  pmos