MOSFET结构

我刚刚读了一份应用笔记，但对这句话感到困惑：“工程师们经常将MOSFET视为单个功率晶体管，但它是成千上万个并联的微小功率FET单元的集合。”

这怎么可能 ？在每一堂课中，我都是以单个本体而不是“数千个功率FET单元的集合”来了解MOSFET的横截面的。

所以问题是：该应用笔记是指一种特殊类型的MOS还是我一生都在撒谎？

如果将一个非常大的MOSFET（即具有非常宽的通道）实现为单个物理设备（如您在课堂上看到的那样），则栅电极将非常长且很薄。这将导致沿栅极的大量RC延迟，因此MOSFET的导通和关断非常缓慢。此外，将这样的设备放入包装中将是困难的，因为它将比其长数百倍或数千倍。

因此，如果将MOSFET分成许多​​小的MOSFET，它在电气上是优越的，并且易于操作。所有这些小型设备的源极，漏极和栅极端子均并联连接。结果与您构建一台大型设备的结果相同。

在CMOS VLSI设计中，这些小型设备通常被称为“手指”，实际上被绘制为并行结构。然后，其他手指可以共享其源/漏区。功率MOSFET使用其他技术来形成单个小型器件。

以下是数模转换器设计的示例： 来源：pubweb.eng.utah.edu

黄色层是多晶硅，而长的垂直条纹是MOSFET栅极。红色层是金属，白色方块是从金属到多晶硅栅极或源极/漏极区域的触点。在右上方，您会看到一个大型PMOS晶体管，带有五个平行的栅极指。在栅指之间是源极和漏极区域，看起来像三个平行的源极和三个平行的漏极。像这样共享源/漏区也减小了这些结构到下方衬底（N阱）的电容。链接的页面上有几个示例，说明了如何在模拟CMOS设计中使用它。我的经验主要是在数字设备上，但是当我们需要用于全局时钟或I / O引脚的高驱动缓冲器时，我们使用了相同的想法。

我猜这句话是对功率MOSFET的结构的引用，例如International Rectifier的HEXFET结构。

有关HEXFET结构的更多信息，请参见例如http://www.rfwireless-world.com/Terminology/HEXFET-vs-MOSFET.html。

编辑：HEXFET只是一个特定制造商的一种特定设计。当然，其他制造商的功率MOSFET也具有相同的设计。