与MOSFET相比,对于相同数量的组件,使用BJT可能会使功率输出级更有效。我用“有效”一词来表示,对于与简单推挽电路中使用的BJT相同的电源,您的输出电压将摆动更高/更大。这是因为,要开启BJT,您只需要约0.6至0.7V的电压,而要使MOSFET提供数百毫安的电流,则可能需要用3或4伏电压驱动其栅极。
同样,这将是一个简单的发射极跟随器推挽AB类输出级。您只能使用限制在电源轨上的信号来驱动输出晶体管,如果这是(例如)24V dc,则应该能够将22Vp-p的信号驱动到功率晶体管。假设每个BJT会“失去” 0.7伏特(由于基极发射极结),最大输出电压将峰峰值约为20.6伏。如果您使用的是mosfet,则峰值可能会达到14伏特,从而达到一个不错的负载。
到目前为止,我的回答有些麻烦,不过,您只需要对作为源极跟随器连接的mosfet进行作业,并选择较小的Vgs(阈值),然后检查数据表即可了解需要多少栅极驱动电压使其流过数百毫安。
在输出晶体管集电极连接或漏极连接的情况下,还有更复杂的设计很难工作,但是,对于初学者,我会尽量避免使用这些设计,因为如果设计不当,它们将变得不稳定,并且需要更多的硅才能有效地工作。
因此,鉴于您未指定功率输出,扬声器负载或电压轨,我想说BJT功率输出级可能是最佳选择。至于其他晶体管,我会坚持使用BJT-它们已用于成千上万的良好商业设计中。您当然可以考虑使用输出变压器的A类输出级-这可能值得考虑,但不利的一面是由于最终晶体管偏置而导致的效率损失。
我刚刚浏览了一个相当简单的输出级,该输出级显示了您可能需要一个体面放大器所需要的偏置电路,并且偶然发现了这个:
它来自此站点。我推荐它是因为它似乎有一个不错的规格,并且该网站还建议使用不带二极管/偏置的简化版本。我个人认为对于初学者来说这将是一个好的开始。该站点讨论了实现良好输出阶段所需的几件事。
如果您进行了更多研究,则可以采用基本设计并为其增加增益,然后将运算放大器换成单个晶体管。