Questions tagged «transistors»

今天，我有机会使用可编程的单结晶体管作为计时器来分析非常有趣的电路。 电源变化，电路必须在10uA以下的电流下工作（不算对电容充电）。只要电源高于1.8VDC，它就会每10-30秒触发一次SCR，并且必须在1.8和7.0 VDC的范围内工作。 时间并不严格-触发SCR的大约10-30秒间隔很好（短的正脉冲）。电压越低，时间间隔越长。 关键在于低电流要求（10uA或更小），低电压要求（1.8V）以及一如既往的低成本（即用30美分的微控制器代替10美分的PUT是不理想的）。 我应该寻找其他廉价，低电流，低电压，低精度定时器设计的选择吗？

11 transistors  oscillator  timer 

我将以一个简单的普通发射极放大器为例。暂时不要考虑偏见和事物，而应关注此电路的症结所在。据我所知，基极节点和发射极节点之间的电压是变化的，最终被晶体管放大，导致原始信号的反相（放大版本）出现在集电极上。 现在，我正在读一本书。Sedra / Smith，微电子学。 在本章的整个章节中，都说在有源区域中，Vbe假定为0.7V。这对我来说毫无意义，当Vbe本身是放大器级的输入变量时，Vbe如何保持恒定？如果我正在看带有发射极电阻的CE阶段（发射极退化），这对我来说可能已经变得有意义，在该阶段，剩余的电压可能会在电阻两端下降。但是事实并非如此，请赐教！ 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图

11 transistors  amplifier  inverting-amplifier  active-components 

我目前正在对需要控制磁场的电路进行逆向工程。为此，该电路各有一对D882和B772。PCB走线表明晶体管的排列如下图所示： 这种排列对我来说根本没有任何意义。不会对任何控制信号施加电压会导致电流流过两个晶体管而不是线圈吗？

10 transistors  coil 

我已经阅读了一些有关通孔焊接的在线教程，其中说晶体管和IC是精密的组件，容易被热损坏。因此，他们建议烙铁与引线的接触时间不要超过2-3秒，并且在焊接时也要使用散热器。 这是其中一篇教程的引文 某些元件（例如晶体管）在焊接时可能会因热而损坏，因此，如果您不是专家，则最好使用夹在接头和元件主体之间的引线上的散热器。烙铁提供热量，这有助于防止组件的温度升高太多。 但是，在焊接表面贴装IC和组件时，有些人更喜欢使用回流焊炉将整个电路板和精密IC加热到高于焊料熔点的温度。 那么为什么不炸这些成分呢？ 是什么使微小的组件即使在较大的散热表面上也无法散热，而大型通孔组件却无法承受这样的温度？

10 transistors  integrated-circuit  soldering  surface-mount  through-hole 

我试图了解使用“负载开关”切换应用程序的优势。 负载开关（如下图所示）有两个晶体管来完成工作。为什么我不能只用一个晶体管（bjt / fet）来做同样的事情？

10 transistors  switches 

我从参考设计中模拟了该电路，但我不完全确定它是如何工作的，或者您将如何设计这种东西。在仿真中，尽管输入电压范围高达25V，但看起来它旨在将流经D1的电流保持恒定在5mA左右。 我看到M1的栅极电压保持在1.6V左右，而BJT的基极电压随着输入电压的升高而升高。因此，随着电压的升高，通过BJT的电流会增加，因此它的作用就像可调阻抗，我想可以使栅极电压保持恒定。那正确吗？ 这是您只是在香料中所做的事情，还是某种电流镜电路在某处定义得很好，而我只是不认识它？

10 led  transistors  mosfet  circuit-analysis  bjt 

2N3904和2N4401在所有规格中似乎都是可比的零件。2N4401的额定电流更高，但否则它们的价格和其他一切都差不多。显然，要给出100％的通用答案是困难的，因为两个零件都是由多个制造商制造的。但是，只要有可能，是否有理由使用2N3904而不是2N4401？

10 transistors  bjt  components  npn  specifications 

我实现了一个恒定电流源，并且效果很好，但我只是希望尝试多一点！这是有问题的电路： 我尝试在网上进行一些搜索，发现很难在该电路上找到任何理论性的东西来解释一切的实际情况。我确实发现，仅通过使用就能找到流过晶体管的电流，这比我要多得多在我开始寻找之前就知道了。但是，现在我想知道实际情况，以及即使负载/电压变化，它如何仍保持恒定的电流输出。IE=VsetRsetIE=VsetRsetI_{E}=\frac{V_{\text{set}}}{R_{\text{set}}} 如果有人能够对此有所了解，我将不胜感激。

10 transistors  operational-amplifier  bjt  current-source  constant-current 

标题说明了一切。 我试图从晶体管的角度了解闪存技术的工作原理。经过大量研究，我对浮栅晶体管以及如何注入电子或将其从电池中移除有了很好的直觉。我来自CS领域，因此我对诸如隧穿或热电子注入之类的物理现象的理解可能有些不稳定，但我仍然对此感到满意。我也对如何从NOR或NAND存储器布局中读取数据有一个了解。 但是我到处都读到闪存只能以块为单位擦除，并且只能以页为单位写入。但是，我发现此限制没有任何道理，并且我想对为什么要这样做有一个直觉。

10 transistors  memory  flash  non-volatile-memory 

在我的一堂课中，我们略读了光刻技术，但主要涉及光学方面（衍射极限，浸液以增加入射角等）。 从来没有涉及到的一点是，光实际上是如何掺杂硅并形成晶体管的。我试图绊倒围绕在网络上，但是每一篇文章或者是方式在我头上，或太含糊。 简而言之，由于缺少更好的用语，对准硅等化合物的聚焦光束如何引导至“印刷”晶体管？

10 transistors  integrated-circuit  optics 

模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 有人可以向我解释一下晶体管镜电路如何工作以及如何用作过电流检测器吗？ 我非常需要上述电路的明确解释。任何人都可以帮忙。

10 transistors  current  current-measurement 

据说双极晶体管同时具有电子流和空穴流。可以理解电子的运动，但是空穴是原子/晶体结构的固定部分。我们如何表征他们的运动？

10 transistors  bjt  electron 

我正在尝试制作一个电路，以允许我打开一个继电器，该继电器将打开一个LED。但是，该继电器的额定电压为12 V，我只有5 V的输入，因此我使用的是NPN晶体管。打开和关闭继电器的电源。这是原理图： 但是，我对一些事情感到困惑（请注意，未指定12 V电源和5 V电源的接地）： 如果我的5 V电源是Arduino，我可以使用12 V电源的接地吗？ 基极和发射极在晶体管上具有不同的接地可以吗？还是必须相同？ 如果我的12 V电源是8节AA电池（不可持续，但我只是将其用于测试），我该如何将其连接到与arduino相同的地面，而不是电池的负极？ 如何基于晶体管确定R1和R2应该是什么？我在网上阅读了一些内容，但仍然感到困惑。 还有其他我没有考虑的事情吗？ 我对此完全陌生，因此非常感谢您的帮助。

10 transistors  relay  ground  npn 

例如，MMBT3904和MMBT3906 BJT被列为NPN / PNP开关晶体管，数据表中提到了开关时间，而BC846和BC856 BJT被列为NPN / PNP通用晶体管（并且必须推导开关速度）通过观察过渡频率f t？） 除了显而易见的（开关晶体管的f t更高）：这些器件的设计和制造方式是否有所不同？通常可以将一种类型用于其他应用程序，反之亦然吗？ 米勒电容，线性度和噪声之类的东西呢？ 硅上的几何形状或掺杂剂浓度是否有某些技巧？ 相关，对于FET：作为开关与放大器销售的场效应晶体管（FET）之间有什么区别？

10 transistors  switches  amplifier  bjt 

似乎有大约4种主要的晶体管版本，然后是NPN / PNP版本。也有继电器，SCR和TRIAC。 当我需要微控制器控制的开关时，应遵循哪些经验法则来指导我选择？在没有特定的高性能规格时，人们是否喜欢保留一些常见的用途？ 我想学习一般规则，所以我不会在同一问题上搜索37个变体。 举一个具体的例子，我现在选择的应用包括驱动一个5 V，160 mA（在50％占空比时平均为80 mA），3.1 kHz蜂鸣器，并带有一个3.3V MCU的输出，可吸收8mA或源电流。 4毫安

10 transistors  switches  mosfet