Questions tagged «non-volatile-memory»

在最近获得MSP430 Launchpad之后，我一直在从事各种微控制器项目。不幸的是，MSP430G2553仅具有512字节的RAM，因此执行任何复杂的操作都需要外部存储。 查看SPI和I2C SRAM和EEPROM芯片后，我发现了FRAM。 看起来很完美。具有大尺寸（上面链接的是2Mb器件），低功耗，字节可寻址和可编程，非易失性，无磨损问题，无需显式擦除任何内容，并且实际上比串行SRAM（与Microchip的器件相比）便宜。 实际上，它看起来太完美了，这使我感到怀疑。如果这些东西比串行SRAM和闪存EEPROM好得多，为什么不到处都是呢？我应该坚持使用SRAM，还是FRAM是进行实验的不错选择？

31 microcontroller  spi  msp430  sram  non-volatile-memory 

基于SRAM的FPGA需要在断电后再次加载位流。同时，基于非易失性的人不需要这一点。 我想知道，为什么在SRAM FPGA上进行的实验和安全性研究要比基于NVM的实验和安全性研究更多，但似乎易失性技术在不受安全性限制的情况下使用得更多（当涉及确保安全启动时）。 （PS：我没有统计数据，这是个人观察）

20 fpga  embedded  sram  non-volatile-memory  security 

我在嵌入式应用程序中使用了EEPROM和FLASH存储器等非易失性存储器，并且我始终发现1默认情况下始终将未使用的存储器（EEPROM / FLASH）位位置设置为。为什么用它代替0？ 例如，一个地址，例如第0个地址（内存的第一个字节），如果用户未写入，则始终存储，0xff而不是0x00。为什么制造内存芯片的人会这样保存呢？我敢肯定，保留默认的内存位置0xff将为制造商带来一些好处或重要的东西。 内存芯片中这种结构背后的原因是什么？

14 flash  eeprom  non-volatile-memory 

我担心这可能会被标记为范围太广，但是在这里： 最近，我一直在考虑在外围设备上加载数据的可能性。鼠标是最常用的外围设备之一。我意识到有101种方法可以构建鼠标。为了将我的问题细化为几个，我提出以下问题： 是否可以构建没有内存的鼠标？如果是这样，通常是否看到鼠标没有存储空间？ 假设鼠标确实有内存（如果这不是一个现实的假设，请指出），通常只看到ROM类型的内存吗？存储器可以像CMOS存储器一样闪烁吗？ 有没有人从鼠标的记忆中看到过计算机攻击/恶意软件攻击？ 我问第三点，因为我最近一直在想的是对各种高级持续威胁进行的攻击的概括。

13 memory  non-volatile-memory  mouse 

我需要一个内存解决方案，该解决方案将用于跟踪基于微控制器的项目中的累计计数。 通过累计计数，我的意思是说微控制器使用此存储位置来保留事件发生的计数。断电期间需要保留该计数，因此需要非易失性存储器。 另外，计数增加事件的发生是频繁的，因此将有很多写入存储器，因此我犹豫使用EEPROM。 首选的通信接口是I2C，但也欢迎使用其他替代方法。 我想到的是SRAM低功耗易失性存储器IC，可以选择在断电时由备用电池（例如纽扣电池）供电。

12 microcontroller  memory  non-volatile-memory 

我正在尝试使用I2C与远程连接的FRAM（Ramtron的FM24C04）进行通信。此内存嵌入在板上，可以随时将其插入系统或从系统中卸下（在卸下内存之前，通信已正确终止）。 问题是：刚插入包含FRAM的卡后，有时，它不确认地址。 信号测量 我测量了信号以查看发生了什么，看来在两种情况下（工作和不工作）的计时都可以。 正确的I2C通信（读取3个字节）： I2C FRAM地址未确认（从机地址已正确发送）： 为了解决这个问题已经采取的行动（没有成功） 插入带有嵌入式FRAM的卡后添加的延迟，以确保遵守电源顺序。 检测到未确认从站地址后，I2C停止生成 I2C总线配置 一个主机（ST的STM32F205微控制器） 三个从机（Microchip的EEPROM 24AA1025，Maxim IC的RTC DS1339C和Ramtron的远程FRAM FM24C04 一个I2C电平转换器（Maxim IC提供的MAX3373E）用于允许主机与FRAM之间的通信 总线频率设置为100 kHz 编辑（2013-04-17） 首先，谢谢大家的评论。 由于有很多建议，所以这里是我所做调查的描述。 原理图 下图显示了I2C总线的简化原理图： I2C_SDA和I2C_SCL信号直接连接到微控制器，FRAM_SDA和FRAM_SCL信号连接到FRAM。请注意，使用村田制作所的BLM18铁氧体对连接到FRAM的SDA和SCL信号进行滤波。 FRAM的连接方式如下： NC（引脚1）->未连接 A1（引脚2）-> GND A2（引脚3）-> GND VSS（引脚4）-> GND SDA（引脚5）-> FRAM_SDA SCL（引脚6）-> FRAM_SCL WP（引脚7）-> GND（无写保护） VDD（引脚8）-> + 5V FRAM卡说明 该卡是仅嵌入FRAM的“类似ISA”卡。 调查 减慢频率 我在将SCL频率设置为50kHz和10kHz的情况下进行了测试。我用示波器测量了SCL信号，以确保它处于预期的频率。 这些修改不能解决问题。我检查了时序，它们在FRAM数据表的规格之内。 …

11 i2c  stm32  non-volatile-memory  slave 

标题说明了一切。 我试图从晶体管的角度了解闪存技术的工作原理。经过大量研究，我对浮栅晶体管以及如何注入电子或将其从电池中移除有了很好的直觉。我来自CS领域，因此我对诸如隧穿或热电子注入之类的物理现象的理解可能有些不稳定，但我仍然对此感到满意。我也对如何从NOR或NAND存储器布局中读取数据有一个了解。 但是我到处都读到闪存只能以块为单位擦除，并且只能以页为单位写入。但是，我发现此限制没有任何道理，并且我想对为什么要这样做有一个直觉。

10 transistors  memory  flash  non-volatile-memory 

我正在设计一种会随温度变化自动调整其物理位置的设备。如果设备关闭或电源断开，则设备需要记住其上次的温度和位置。我可以将这些值存储在EEPROM中，但问题是位置和温度变化非常快。如果每次更改后将温度和pos写入EEPROM，这将（1）降低固件速度，（2）一两年后可能会杀死EEPROM。因此，正如我所见，我的选择如下... 1）断电后，请使用电容器/电池在短时间内保持设备供电，以便我只能在那时将值写入EEPROM。我不喜欢这样，因为该板有点耗电，这需要很大的限制。而且我没有大量的可用空间。而且，我不希望电池和电池座的额外成本或大笔费用。 2）使用F-RAM代替EEPROM，这样我就可以写万亿次而不会用完。我不喜欢这个选项，因为FRAM比EEPROM贵很多，而且是用于生产产品的（不仅仅是一个）。 3）仅每5分钟左右写一次位置和温度。这样，我总是会记录最近的位置/温度，但我不会每秒写入一次，因此程序不会变慢，而EEPROM不会死得那么快。这似乎是我最好的选择。 还有其他人有我没有想到的建议吗？

10 microcontroller  eeprom  non-volatile-memory 

我了解以下几点： DRAM将数据的每一位存储到具有一定电位差的微型电容器中。 除非电容器连接到低压端，否则电位差应保持不变。 为什么我们需要刷新存储在DRAM电容器中的电势差？ 要么 电容器为什么以及如何失去DRAM中的电荷？（电容器是否连接到低压端？） 电容器不应该与电位差有关，因此DRAM应该像非易失性存储器一样工作吗？ 更新： 另外，如果您可以在评论中回答Harry Svensson提出的观点： 为什么需要更新DRAM中的电容器，而模拟FPGA栅极中的电容器却以某种方式保留其电荷？

9 voltage  capacitor  memory  non-volatile-memory  dram 

据我了解，EEPROM是计算机（在我的情况下是AVR微控制器）的一部分，它存储数据并即使在设备完全关闭时也可以保留数据。它允许将数据写入其中以及从中读取数据。 我看到的问题是，它的寿命有限，寿命很短。换句话说，在磨损EEPROM之前，我只能读/写有限次。 我正在寻找一种实现与EEPROM相同功能的方法，但尺寸要小。我想我可以使用诸如microSD卡之类的东西，但是我更喜欢不需要用户购买存储卡的解决方案。另外，我最多只需要几个字节的空间。假设1 kB非常非常保守。我将花费超出所需的费用来容纳任何类型的存储卡。 那我有什么选择呢？是否有任何通用的IC解决方案可以使我在不短寿命和高成本的情况下实现这种数据存储/检索？

9 microcontroller  eeprom  non-volatile-memory