FRAM有什么收获？

在最近获得MSP430 Launchpad之后，我一直在从事各种微控制器项目。不幸的是，MSP430G2553仅具有512字节的RAM，因此执行任何复杂的操作都需要外部存储。

查看SPI和I2C SRAM和EEPROM芯片后，我发现了FRAM。

看起来很完美。具有大尺寸（上面链接的是2Mb器件），低功耗，字节可寻址和可编程，非易失性，无磨损问题，无需显式擦除任何内容，并且实际上比串行SRAM（与Microchip的器件相比）便宜。

实际上，它看起来太完美了，这使我感到怀疑。如果这些东西比串行SRAM和闪存EEPROM好得多，为什么不到处都是呢？我应该坚持使用SRAM，还是FRAM是进行实验的不错选择？

— 大卫·纪梵
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如果它们能够以相似的成本/位匹配标准闪存的密度，那么就不会有任何闪存。

— Kortuk

铸造过程可能很昂贵，而且可能无法与现有的微型芯片集成。要将FRAM集成到微型芯片（单片）中，需要将它们移植到支持FRAM和微控制器模块（逻辑）的铸造过程中。这既费时又乏味。

— Chetan Bhargava

@ChetanBhargava他们也没有相同的密度。MSP430一直在讨论发布带有所有FRAM的芯片，因为您可以将其用作ram和rom，并且重新启动后芯片不会失去状态。

— Kortuk

微控制器的msp430“ F”子系列可能很有用，因为它们集成了FRAM。此外，提到的Value Line器件是该系列的入门级介绍，还有其他德州仪器（Texas Instruments）MCU的规格更高。

— Anindo Ghosh

@Kortuk是正确的。上次我遇到Mark Buccini（TI-MSP430）时，我们进行了讨论，因为TI刚对Ramtron产生了浓厚兴趣。这是前一段时间。

— Chetan Bhargava

Answers:

据我所知，它和SRAM之间的（主要）区别是速度较慢，而它和EEPROM之间的区别是价格更高。
我会说这是两者之间的“中间”。

作为一项相当新的技术，我希望它的价格在明年左右会下降一些，只要它变得足够流行。即使它没有SRAM的速度快，但速度也并不差，并且可以很好地适合许多应用-我可以在Farnell上看到60ns的访问时间选项（相比之下，SRAM的访问时间低至3.4ns）

这让我想起-我订购了一些Ramtron F-RAM样品已经很久了，但还没有尝试使用它们。

— 奥利·格拉瑟（Oli Glaser）
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SRAM速度是串行还是并行？因为如果是串行的，那将是非常快的。我正在查看的FRAM部分声称通过40MHz的SPI进行零延迟写入，这比我的微控制器的时钟速度还快...

— David Given

它是并行的（这里是一个示例），我将它与并行F-RAM选项（例如。）进行比较。如果您正在寻找SPI部件，那么速度更快的部件将受到最大SPI速度而不是读/写时间的限制。如果非易失性功能是为您的项目有用，而且速度是足够的，我认为我给了F-RAM一展身手。

— 奥利格拉泽

FRAM很棒，但是，该技术具有破坏性的读取。闪存技术具有有限的写入/擦除周期，但是读取周期几乎是无限的。

在FRAM中，每个读取周期实际上都会影响内存，并且开始降低性能。TI指出，他们发现FRAM具有“至5.4×10 ^ 13周期的无磨损耐久性，在85°C时的数据保留期限为10年”。经过一些计算，这大约是2年左右的恒定读取周期（不考虑ECC）。

现实情况是，对于占空比较低的大多数低功耗应用而言，这不是问题。您将需要针对您的特定应用程序对其进行评估。

速度限制也存在，因此如果需要，将添加等待状态。但是，一种解决方案是将代码加载到RAM，从那里运行代码（避免FRAM上的循环），并避免速度限制。

有关于该主题的E2E后这里所讨论的一些影响。

从TI什么FRAM的优点是尽可能安全是一个很好的应用笔记这里

— 古斯塔沃·利托夫斯基
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thread，该线程有点自相矛盾---它不仅取决于技术的类型（而且我不知道Cypress / Ramtron部件采用的是什么技术），而且有人建议您可以通过以下方法解决读取质量下降的问题：写吧！无论哪种方式，它都与我无关，因为我不会那么辛苦地驾驶它，但值得知道。

— 大卫

@DavidGiven：之所以提出它，是因为它得到了TI市场营销部门的解答。据我所知，尽管有破坏性的读取，但由于FRAM的优势，仍有许多人在使用它。

— 古斯塔沃·利托夫斯基

您关于耐磨性的规格完全忽略了使用此类设备的所有做法，并且没有任何意义。它是RAM，如果您要做的就是一次又一次地读取同一位，为什么不使用Flash？如果您以20Mhz SPI对16K FRAM部件的每个单元进行读/写循环，则需要84年的时间才能将其耗尽。

— iheanyi

破坏性的读取声音是如此刺耳。但是，是的，从技术上讲这是正确的，必须根据FRAM的耐用性规格来计算读取周期。对于TI制造的Ramtron / Cyp器件，多年来的规格一直是1E14（@ 85C）。实际上，即使是非常读/写密集型的应用程序也永远不会接近1E14周期（实际上是1E16），顺便说一句，这是一个特定字节经历的读/写周期，而不是任何随机周期（其他单元）。耐力估算的示例计算，如iheanyi指出，对于串行“ V”型FRAM，该限制实际上是无法达到的

— gman

FRAM唯一真正的问题是，对于真正致密的零件，即驱动体积和利润的市场部分，它们尚无法在密度上进行竞争（这要么是产量问题，要么是尺寸问题，这并不重要））。对于较小的零件（即与相同技术的旧版本竞争），它们做得很好。

因此，是的，只要您保持相同大小的零件，就很适合进行实验。

— 占位符
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