DRAM如何随电容器挥发？

我了解以下几点：

1. DRAM将数据的每一位存储到具有一定电位差的微型电容器中。
2. 除非电容器连接到低压端，否则电位差应保持不变。

为什么我们需要刷新存储在DRAM电容器中的电势差？

要么

电容器为什么以及如何失去DRAM中的电荷？（电容器是否连接到低压端？）

电容器不应该与电位差有关，因此DRAM应该像非易失性存储器一样工作吗？

更新：

另外，如果您可以在评论中回答Harry Svensson提出的观点：

• 为什么需要更新DRAM中的电容器，而模拟FPGA栅极中的电容器却以某种方式保留其电荷？

在这两种情况（EEPROM /闪存和DRAM）中，均使用一个小（毫微微法拉）电容器。区别在于电容器的连接方式。

对于DRAM，它连接到MOSFET的源极或漏极。晶体管通道有少量泄漏，电荷将在较短的时间内泄漏（室温下为数秒或数分钟）。通常，将单元指定为每64毫秒刷新一次，因此，即使在高温下，也可以可靠地保存数据。读取数据通常具有破坏性，因此每次读取后都需要重新写入数据。

在使用闪存或EEPROM单元存储配置数据的情况下，电容器连接到MOSFET的栅极。栅极/电容器的绝缘非常接近完美，即使在高温下，微小的电荷也可以保持多年。缺点是必须使用诸如量子隧穿之类的方法来改变“浮栅”上的电荷，这是一个非常慢的过程，太慢了以至于不能用于工作存储器。读取至少在短期内是快速且无损的。使用隧穿将栅极绝缘体暴露于相对较高的电压梯度，并暴露出故障模式，在这种故障模式下，单元将在多次写入（通常指定为10 ^ 3至10 ^ 6或更多）后有效磨损。